4年前的2016年，國家在武漢建設了國家存儲器基地項目一期，不僅量產了64層閃存，今年初還研發成功128層QLC閃存。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區未來科技城正式啟動，整個項目投資高達240億美元，約合1697億元。

在開工儀式上，紫光集團、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開工建設以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領先的存儲器芯片工廠，實現了技術水平從跟跑到并跑的跨越。

趙偉國表示，國家存儲器基地項目于2016年12月30日開工，計劃分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠，總投資240億美元。其中一期主要實現技術突破，并建成10萬片/月產能，二期規劃產能20萬片/月，兩期項目達產后月產能共計30萬片。

今年4月13日，長江存儲重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控廠商SSD等終端產品上通過驗證。

按照長存的說法，這款產品的獨特之處在于，它是業內首款128層QLC規格3D NAND，且擁有已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

目前長江存儲正在不斷提升產能，今年底的目標將達到10萬片晶圓/月的產能，這也是整個國家存儲器基地一期工程的目標。