高功率應用 文章 最新資訊
采用反激式轉(zhuǎn)換器進行高功率應用設計
- 本文介紹了借助多相運行（即多個變壓器并聯(lián)）提升反激式轉(zhuǎn)換器功率水平的可能性。此外，這種配置還降低了反激式開關模式電源拓撲結構輸入側(cè)的傳導發(fā)射。
- 關鍵字： 反激式轉(zhuǎn)換器 高功率應用 ADI
650V GaN器件在高功率應用中對SiC構成挑戰(zhàn)
- 瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅(qū)動器 IC 產(chǎn)品線集成后對 GaN 技術的持續(xù)投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺的 RDS（on） 和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開關品質(zhì)因數(shù)提高了 50%，而輸出品質(zhì)因數(shù)提高了 20% 以上。在比較測試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應用中的損耗比領先的碳化硅 MOSFET 和 JF
- 關鍵字： 650V GaN 器件 高功率應用 SiC
第 4 代碳化硅技術：重新定義高功率應用的性能和耐久性
- 簡介本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。基于在碳化硅創(chuàng)新領域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案，重新定義行業(yè)基準。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關應用的全面性能設定了基準。市場上的某些廠商只關注特定品質(zhì)因數(shù)?(FOM)，如導通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一
- 關鍵字： Wolfspeed 碳化硅 高功率應用
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高功率應用介紹
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