USB作為一種新型的接口技術,以其簡單易用、速度快等特點而備受青睞。本文簡單介紹USB 接口的特點和PHILIPS公司的USB接口芯片PDIUSBD12,并詳細說明USB軟硬件開發(fā)過程中應注意的問題。
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PDIUSBD USB 12 芯片
據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)近日報道，美國萊斯大學在儲能設備微型化研究方面取得新進展，開發(fā)出兩款微型的充電裝置，一種是薄膜式超級電容器，另一種是可充放電的納米線，有望為將來的微型電子產品和納米設備提供電源。這兩項研究分別發(fā)表在近期《自然-納米技術》網(wǎng)站和《納米快報》上。
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納米 MEMS
據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術，該產業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。
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DRAM 納米
化學Ni/Au(ENIG)、化學鍍錫、化學鍍銀、化學鍍Ni/Pd/Au(ENEPIG)和有機可焊性保護劑(OSP)等PCB可焊性表面涂(鍍)覆層不是納米級的表面涂(鍍)覆材料，它們的表面涂覆厚度都在300nm(0.3um)以上。而新開發(fā)的有機金屬OM(Or
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PCB 有機金屬 納米 表面
制定行業(yè)公認的標準是研究納米技術必不可少的先期工作
就像1849年出現(xiàn)的加利福尼亞淘金熱一樣，納米技術的出現(xiàn)也帶來了巨大機遇和極大風險。正如在淘金熱時代出現(xiàn)了很多新技術、利益和挑戰(zhàn)一樣，人們對納米技術的探索也將不可避免地促使人們開發(fā)一些新工具突破納米關鍵技術，抓住創(chuàng)造巨大財
富的機遇，但是也存在給環(huán)境、健康和安全帶來災難性影響的可能性。盡管納米技術將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術，催生很多新的研究領域，但是也可能對那些不了解
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納米 CMOS
歐姆定律不一定適用
對更小尺寸、更低功耗電子器件的需求推動了納米技術的發(fā)展。研究人員努力理解量子能級結構和納米級器件的行為以及這些如何影響電氣特性。這使觀察或預測何時發(fā)生隧道效應，計算器件的能態(tài)密度，理解低溫環(huán)境下的導電現(xiàn)象以及產生人造原子（其中能量量化可以基于材料的結構和形狀進行修改）成為可能。
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納米 歐姆定律
目前看來，碳納米管的潛在用途是無窮無盡的，僅在半導體行業(yè)就存在著大量的潛在應用。研究人員已經(jīng)成功將碳納米管用于FET開關、消費電子存儲器，以及下一代電視機的場發(fā)射顯示器中。研究人員還在嘗試在傳感器應用中利用碳納米管來探測分子顆粒，支持某些國家安全類的應用。此外，人們還在努力探索在數(shù)字邏輯中使用碳納米管。
對于碳納米管和其它一些低功耗納米器件，從事半導體和
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納米 晶體管
引言
?????? 納米技術研究已深入到原子挨原子的分子級，構造具有全新特性的新結構。特別地，納米電子領域的發(fā)展十分迅速，其潛在影響涉及非常寬的行業(yè)領域。目前的納米電子研究的內容主要是如何開發(fā)利用碳納米管、半導體納米線、阿分子有機電子和單電子器件。
???????不過，由于多方面的原因，這些微小器件無法采用標準的測試技術進行測試。其中一個主要原因在于這類器件的物理尺
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納米 脈沖測量
隨著納米技術日新月異的發(fā)展，研究已深入到原子挨原子的分子級，構造具有全新特性的新結構。特別地，納米電子領域...
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納米 測試
納米碳管再度被用來造福人類，讓 HIV、癌癥篩檢更有效率、準確性,癌癥（或 HIV 等其他重大疾病）篩檢，向來是醫(yī)療上相當重要的課題，能夠及早發(fā)現(xiàn)、治療，患者不僅可以有更大康復的機會，也讓治療過程中所受到的折磨減輕，更可以有效的節(jié)省醫(yī)療成本。 近日哈佛大學就跟好鄰居
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HIV 納米 效率
一種新型傳感器能夠通過檢測反射光來辨識小至分子大的物質，未來有可能使傳感器用于從爆炸物探測到癌癥診斷等各個領域。
據(jù)普林斯頓大學的研究人員稱，由美國國防部高級研究計劃局出資研制的這種新型傳感器采用了一個充滿金屬支柱的芯片來增強反射某物體的光信號，其敏感度要比以前所能達到的高10億倍。
這對于拉曼散射原理的應用來說是個重大突破，拉曼散射是通過檢測某個物體反射的光來確定其分子的構成。數(shù)十年來，研究人員一直想分離出這些光的頻率，但即便采用先進的實驗方法也很難看到它們。
這種新型芯片采用金屬
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納米 傳感器芯片
曼徹斯特大學研制出50納米級的光學顯微鏡英國曼徹斯特大學科學家近期研制出了世界上分辨率最高的光學...
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納米 顯微鏡
近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院(EPFL)納米電子學與結構(LANES)實驗室稱，用一種名為輝鉬(MoS2)的單分子層材料制造半導體，或用來制造更小、能效更高的電子芯片，在下一代納米電子設備領域，將比傳統(tǒng)的硅材料或富勒烯更有優(yōu)勢。研究論文發(fā)表在1月30日的《自然?納米技術》雜志上。
輝鉬在自然界中含量豐富，通常用于合金鋼或潤滑油添加劑中的成分，在電子學領域尚未得到廣泛研究。“它是一種二維材料，非常薄，很容易用在納米技術上，在制造微型晶體管、發(fā)光二極管(LEDs)、太陽能電池等方面有很大潛
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半導體材料 納米 電子設備
基于TalusVortexFX的32/28納米節(jié)點設計方案, 前言 目前的高端ASIC/ASSP/SoC器件開發(fā)商可考慮分為三大類：主流、早期采用者和技術領導者。在寫這篇文章的時候，主流開發(fā)商正致力于65納米技術節(jié)點設計，早期采用者開發(fā)商正專注于45/40納米節(jié)點設計，而技術領
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設計 方案 節(jié)點 納米 TalusVortexFX 32/28 基于
摘要 利用一種新型HBT復合晶體管結構設計了一款寬帶功率放大器，有效抑制了HBT的大信號Kink效應。采用微波仿真軟件AWR對電路結構進行了優(yōu)化和仿真，結果顯示，在5～12 GHz頻帶內，復合晶體管結構的輸出阻抗值更穩(wěn)定，
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GHz 12 復合管 寬帶
12 納米介紹
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