12 納米文章最新資訊

迎接納米級(jí)IC設(shè)計(jì)挑戰(zhàn) DFM應(yīng)成為普及化概念

有鑒于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正試圖解決可制造性設(shè)計(jì)(DFM)問(wèn)題，參與月前在美國(guó)舉行之SemiconWest展會(huì)上的一場(chǎng)小組座談的EDA產(chǎn)業(yè)專家表示，可以從可測(cè)試性設(shè)計(jì)(design-for-test，DFT)的技術(shù)發(fā)展歷程中取經(jīng)。該場(chǎng)小組座談會(huì)的主持人、市場(chǎng)研究公司GarySmithEDA總裁GarySmith表示：「真正的DFM是個(gè)大問(wèn)號(hào)，如果它跟隨DFT的腳步，得花上幾年時(shí)間才能在設(shè)計(jì)社群中扎根。」他指出，半導(dǎo)體公司基本上是把DFT強(qiáng)迫推銷給設(shè)計(jì)工程師
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 納米 IC DFM 嵌入式

利用Virtex-5 FPGA 降低功耗

VirtexTM-5系列產(chǎn)品的推出，使得Xilinx公司再一次成為向FPGA客戶提供新技術(shù)和能力的主導(dǎo)力量。...
關(guān)鍵字：工藝納米散熱泄漏

納米測(cè)量：探索未知的微觀世界

納米技術(shù)概述　　納米科技的到來(lái)，為人們對(duì)傳統(tǒng)客觀世界的認(rèn)知帶來(lái)了一場(chǎng)革命。科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)，當(dāng)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)單元(如晶粒或孔隙)小到納米量級(jí)(范圍為0.l納米至100納米)時(shí)，物質(zhì)的性質(zhì)發(fā)生了重大變化，不僅大大改善了原有材料的性能，甚至?xí)哂行碌牧钊朔艘乃嫉男阅芑蛐?yīng)。如果能在100nm以下空間尺度內(nèi)對(duì)這些原子分子進(jìn)行觀察、移動(dòng)和測(cè)量，那就能更近距離地理解這些系統(tǒng)是如何工作的，從而對(duì)材料進(jìn)行加工、制造出具有特定功能的產(chǎn)品，或用各種方法來(lái)改進(jìn)這些系統(tǒng)，使它們更加安全、保密、健康。而這種研究100nm以下的技術(shù)
關(guān)鍵字：安捷倫測(cè)量測(cè)試納米

微機(jī)保護(hù)中DSP與時(shí)鐘DS12CR887的接口設(shè)計(jì)

系統(tǒng)中其他外圍電路的控制方法和原理與時(shí)鐘芯片完全類似，以此方法可以搭建一個(gè)通用性強(qiáng)、性能穩(wěn)定的硬件平臺(tái)，再通過(guò)各種具體的保護(hù)應(yīng)用軟件，從而實(shí)現(xiàn)各種具體功能的微機(jī)保護(hù)裝置。
關(guān)鍵字： DSP 887 DS 12

我國(guó)納米科技論文總數(shù)已位居世界前列

毫無(wú)疑義，納米科技是當(dāng)今世界科技發(fā)展的一個(gè)熱門領(lǐng)域，也是科學(xué)家和百姓眾說(shuō)紛紜的一個(gè)前沿科學(xué)話題。在剛剛創(chuàng)刊的《前沿科學(xué)》雜志上，刊載了中國(guó)科學(xué)院院士白春禮和中國(guó)國(guó)家納米科學(xué)中心研究員裘曉輝撰寫的《中國(guó)納米科技研究的進(jìn)展》一文。在這篇論文中，作者總結(jié)了過(guò)去十年中國(guó)在納米科技的基礎(chǔ)研究和應(yīng)用研究中取得的重要進(jìn)展，概述了中國(guó)科技人員近期在納米科技的部分研究領(lǐng)域中所取得的突出成就，并且就我國(guó)納米科技發(fā)展過(guò)程中存在的一些問(wèn)題進(jìn)行了分析。　　近日，記者采訪了裘曉輝研究員，請(qǐng)他向本報(bào)讀者介紹中國(guó)納
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安捷倫推出具有完全抖動(dòng)注入功能的7Gb/s和12.5Gb/s碼型發(fā)生器

　　安捷倫推出帶有完全抖動(dòng)注入能力的J-BERT N4903A 7 Gb/s和12.5 Gb/s碼型發(fā)生器。設(shè)計(jì)和測(cè)試工程師現(xiàn)在可以使用所有類型的抖動(dòng)快速精確地激勵(lì)串行高速端口，以確保更高質(zhì)量的設(shè)備性能表征。Agilent J-BERT N4903A碼型發(fā)生器可與示波器、內(nèi)置誤碼檢測(cè)器或其他分析儀連用。　　計(jì)算機(jī)行業(yè)正在推出使用PCI Express、串行高級(jí)技術(shù)附件和全緩沖DIMM（雙列直插內(nèi)存模塊）等技術(shù)的下一代多千兆位設(shè)備。工程
關(guān)鍵字： 12.5Gb/s 7Gb/s 安捷倫測(cè)量測(cè)試碼型發(fā)生器完全抖動(dòng)注入

幾中較新的納米聚合物傳感器

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：納米傳感器

納米技術(shù)與生物傳感器

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：生物傳感器納機(jī)電系統(tǒng) 納米

德州儀器推出12 與 14 位 210 MSPS ADC

德州儀器推出12 與 14 位 210 MSPS ADC 壯大高速 ADC 產(chǎn)品陣營(yíng) 設(shè)計(jì)人員可選擇全新高性能 ADC 以滿足應(yīng)用對(duì)于速度與分辨率的要求日前，德州儀器 (TI) 宣布其引腳兼容型高速 ADS5546 產(chǎn)品系列又添兩款新成員—— 12 與 14 位 210 MSPS&nb
關(guān)鍵字： 12 14 210 ADC MSPS 德州儀器電源技術(shù) 模擬技術(shù) 位與

ARM發(fā)布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP

ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP Velocity DDR存儲(chǔ)器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認(rèn)證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲(chǔ)器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲(chǔ)器接口是第一個(gè)通過(guò)TSMC IP質(zhì)量安全測(cè)試的9
關(guān)鍵字： 90 ARM DDR1 DDR2 IP TSMC 存儲(chǔ)器單片機(jī) 工藝接口納米嵌入式系統(tǒng) 存儲(chǔ)器

應(yīng)用M68HC908LJ12設(shè)計(jì)單相復(fù)費(fèi)率電能表

本設(shè)計(jì)充分利用了內(nèi)部的功能模塊，減少了外圍電路、降低了成本，同時(shí)提高了整機(jī)的可靠性，所設(shè)計(jì)的電能表在市場(chǎng)上很具競(jìng)爭(zhēng)力。
關(guān)鍵字： M68 908 68 12

專家稱納米公司前景黯淡人才技術(shù)不足

　　據(jù)某分析師指出，雖然中國(guó)半導(dǎo)體制造商納米技術(shù)公司(Nanotech Corp.)在得到Intel的鼎力相助之后得以順利成立，但其前景不被看好。　　2004年，Intel和納米技術(shù)公司達(dá)成了協(xié)議，通過(guò)納米技術(shù)公司將Intel的CPU制造工藝和設(shè)備首次引入中國(guó)。　　Intel授權(quán)納米技術(shù)公司使用Intel 0.35微米和0.25微米的CMOS技術(shù)和工藝。Intel還將幫助納米技術(shù)公司培訓(xùn)員工并售賣充足的200mm晶元設(shè)備給該公司以幫助其月產(chǎn)量達(dá)
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英飛凌與中芯國(guó)際合作擴(kuò)展至90納米生產(chǎn)領(lǐng)域

英飛凌和中芯國(guó)際近日共同宣布，雙方已經(jīng)簽署合作協(xié)議，進(jìn)一步擴(kuò)展在標(biāo)準(zhǔn)記憶芯片（DRAM）產(chǎn)品生產(chǎn)領(lǐng)域中的現(xiàn)有合作，開(kāi)始90納米標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品合作生產(chǎn)。根據(jù)新協(xié)議的內(nèi)容，英飛凌將把自己最尖端的90納米DRAM溝槽技術(shù)和300毫米產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)轉(zhuǎn)讓于中芯國(guó)際，并可以在未來(lái)期間靈活進(jìn)行其70納米技術(shù)的進(jìn)一步轉(zhuǎn)讓。因此，中芯國(guó)際將為英飛凌獨(dú)家生產(chǎn)屬于此技術(shù)范圍之內(nèi)
關(guān)鍵字：納米英飛凌中芯國(guó)際

歐盟對(duì)抗功率難題納米級(jí)芯片欲破瓶頸

　近日，研發(fā)人員在開(kāi)發(fā)納米級(jí)芯片時(shí)遇到的重大難題——功率泄漏（power leakage），看起來(lái)有了福音。為了解決這一瓶頸問(wèn)題，歐盟向某一研發(fā)團(tuán)體協(xié)會(huì)資助550萬(wàn)美元以解決這一難題。　　該協(xié)會(huì)的主要成員STMicroelectronics在當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二（北京時(shí)間周三）發(fā)布的一份聲明中稱，該協(xié)會(huì)的研發(fā)項(xiàng)目旨在改進(jìn)下一代芯片系統(tǒng)半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)，解決65納米及其以下納米CMOS出現(xiàn)功率泄漏的問(wèn)題。　　據(jù)悉，該項(xiàng)稱為CLEAN的計(jì)劃將得到歐盟第六次框架項(xiàng)目下納米電子計(jì)劃的資助。功率泄漏
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英特爾推出采用65納米技術(shù)四核移動(dòng)芯片

近日，英特爾正式宣布新處理器的的價(jià)格和名稱。新推出的四款四核移動(dòng)Yonah芯片，分別為T2300、T2400、T2500和T2600，另外一款單核芯片為T1300。這次的產(chǎn)品定價(jià)主要是針對(duì)英特爾的大宗客戶，即購(gòu)物數(shù)量在1000以上的用戶。　　單核T1300價(jià)格為209美元，而四核芯片T2300、T2400、T2500和T2600的價(jià)格分別為241美元、294美元、423美元和637美元。上述芯片都采用65納米生產(chǎn)技術(shù)，時(shí)鐘頻率為T
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