- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用東芝最新一代工藝[1]U-MOS11-H制造的100V N溝道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。該MOSFET主要面向開關電源等應用，適用于數據中心和通信基站使用的工業(yè)設備。產品于近日開始正式出貨。100V U-MOS11-H系列優(yōu)化了器件結構，進一步改善了U-MOSX-H系列的漏源導通電阻（RDS(ON)）、總柵極電荷（Qg）以及這兩者（RDS(ON)×Qg）之間的平衡，從而降低了導通及開關損耗。與U-MOSX-H系列產品TPH3R10
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東芝 N溝道 功率MOSFET 工業(yè)設備開關電源
- 中國上海，2023年6月13日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。該器件采用超級結結構，耐壓600V，適用于數據中心、開關電源和光伏發(fā)電機功率調節(jié)器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品，于今日開始批量出貨。 通過對柵極設計和工藝進行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比，600V DTMOSVI系列產品的單位面積漏源導通電阻降
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東芝推 超級結結構 N溝道 功率MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設備開關電源，涵蓋數據中心和通信基站等電源應用。該產品于今日開始支持批量出貨。TPH9R00CQ5具有行業(yè)領先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源導通電阻，與東芝現有產品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了約42%。與此同時，與東芝現有產品“TPH9R00CQH4[4]”相比，反向恢復電荷減少約74%，反向恢復[5]時間縮短約44
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東芝 N溝道 功率MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）“TPH9R00CQH”。該產品采用最新一代(*1)工藝“U-MOSX-H”，適用于工業(yè)設備的開關電源，包括部署在數據中心和通信基站的設備。3月31日開始出貨。TPH9R00CQH的漏極-源極導通電阻比TPH1500CNH低大約42%，后者是一款采用了當前U-MOSVIII-H工藝的15
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東芝 150V N溝道 功率MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產體制，該系列產品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達8V，非常適用于基站、數據中心等工業(yè)設備和各種物聯網通信設備的電源電路。一般而言，GaN器件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實現外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低，在開關工作時的器件可靠性方面存在問題。針對這一課題，ROHM的新產品通過采用自有的結構，成功
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ROHM 150V GaN HEMT
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型熱增強型PowerPAK?1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專門用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無線充電器、DC/DC轉換器以及電源的功率密度和效率。日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封裝導通電阻最低的60
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MOSFET N溝道
- 1、MSO的三個極怎么判定： MOS管符號上的三個腳的辨認要抓住關鍵地方。 G極，不用說比較好認。 S極， 不論是P溝道還是N溝道， 兩根線相交的就是; D極， 不論是P溝道還是N溝道， 是單獨引線的那邊。 2、他們是N溝道還是P溝道? 三個腳的極性判斷完后，接下就該判斷是P溝道還是N溝道了： 當然也可以先判斷溝道類型，再判斷三個腳極性。 先判斷是什么溝道，再判斷三個腳極性。 3、寄生二極管的方向如何判定? 接下來，是寄生二極管的方向判斷： 它的判斷規(guī)則就是： N溝道，
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MSO管 N溝道 P溝道
- 隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側高雙功率芯片非對稱N溝道模塊 FDPC8011S，幫助設計人員應對這一系統(tǒng)挑戰(zhàn)。
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飛兆 MOSFET FDPC8011S N溝道
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