東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出采用東芝最新一代工藝^[1]U-MOS11-H制造的100V N溝道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。該MOSFET主要面向開(kāi)關(guān)電源等應(yīng)用，適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站使用的工業(yè)設(shè)備。產(chǎn)品于近日開(kāi)始正式出貨。

100V U-MOS11-H系列優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步改善了U-MOSX-H系列的漏源導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）、總柵極電荷（Q_g）以及這兩者（R_DS(ON)×Q_g）之間的平衡，從而降低了導(dǎo)通及開(kāi)關(guān)損耗。

與U-MOSX-H系列產(chǎn)品TPH3R10AQM相比，TPH2R70AR5的R_DS(ON)降低了約8%，Q_g降低了37%，R_DS(ON)×Q_g改善了42%。此外，它還可通過(guò)應(yīng)用壽命控制技術(shù)^[2]實(shí)現(xiàn)高速體二極管性能，從而降低反向恢復(fù)電荷（Q_rr）并抑制尖峰電壓。與TPH3R10AQM相比新產(chǎn)品的Q_rr改善約38%，R_DS(ON)×Q_rr改善約43%。這些業(yè)界領(lǐng)先^[3]的R_DS(ON)×Q_g和R_DS(ON)×Q_rr平衡特性^[4]可最大限度降低功耗，從而提高電源系統(tǒng)的效率和功率密度。新產(chǎn)品還采用SOP Advance (N)封裝，具有與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)高度兼容的貼裝特性。

東芝現(xiàn)在還提供以下兩款電路設(shè)計(jì)支持工具：可在短時(shí)間內(nèi)驗(yàn)證電路功能的G0 SPICE模型，以及可精確再現(xiàn)瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。

未來(lái)東芝將繼續(xù)擴(kuò)大其低損耗MOSFET的產(chǎn)品線，為實(shí)現(xiàn)更高效的電源以及降低設(shè)備功耗做出貢獻(xiàn)。

■   應(yīng)用：

-   數(shù)據(jù)中心和通信基站等工業(yè)設(shè)備的電源

-   開(kāi)關(guān)電源（高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等）

■   特性：

-   低漏源導(dǎo)通電阻：R_DS(ON)＝2.7mΩ（最大值）（V_GS＝10V、I_D＝50A、T_a＝25°C）

-   低總柵極電荷：Q_g＝52nC（典型值）（V_DD＝50V、V_GS＝10V、I_D＝50A、T_a＝25°C）

-   低反向恢復(fù)電荷：Q_rr＝55nC（典型值）（I_DR＝50A、V_GS＝0V、–dI_DR/dt＝100A/μs、T_a＝25°C）

■   主要規(guī)格：

（除非另有說(shuō)明，T_a＝25°C）

注：

[1]截至2025年9月，東芝的低壓功率MOSFET工藝。東芝調(diào)查。

[2]壽命控制技術(shù)：利用Pt擴(kuò)散工藝在半導(dǎo)體中引入缺陷，故意縮短載流子壽命，可提高開(kāi)關(guān)速度，進(jìn)而可提高二極管的恢復(fù)速度并降低噪聲。

[3]截至2025年9月，與其他適用于工業(yè)級(jí)100V N溝道功率MOSFET相比。東芝調(diào)查。

[4]R_DS(ON)×Q_g＝120mΩ·nC（典型值），R_DS(ON)×Q_rr＝127mΩ·nC（典型值）