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18a 制程 文章 最新資訊

1.1 億歐元計(jì)劃用于在德累斯頓建設(shè) GF 晶圓

  • 據(jù)報(bào)道,全球晶圓代工廠(GF)將在未來(lái)幾年內(nèi)投資 11 億歐元,將其位于德國(guó)德累斯頓的芯片工廠產(chǎn)能翻倍。這消息傳來(lái)之際,該公司還宣布為位于紐約馬耳他和佛蒙特州的 CMOS 芯片工廠和氮化鎵(GaN)芯片工廠追加 30 億美元資金。公司此前已宣布為這些地點(diǎn)投入 130 億美元資金,以及最近啟動(dòng)的紐約先進(jìn)封裝和光子中心。然而,美國(guó)政府在減少對(duì)佛蒙特州和包裝中心的資金支持。這是否屬于當(dāng)前的歐盟芯片法案,還是屬于下一階段芯片法案的談判,還有待觀察。當(dāng)前的歐盟芯片法案因缺乏資金提供、成果和效益的透明度而受到歐洲審計(jì)
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芯片的先進(jìn)封裝會(huì)發(fā)展到4D?

  • 電子集成技術(shù)分為三個(gè)層次,芯片上的集成,封裝內(nèi)的集成,PCB板級(jí)集成,其代表技術(shù)分別為SoC,SiP和PCB(也可以稱為SoP或者SoB)芯片上的集成主要以2D為主,晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面;同樣,PCB上的集成也是以2D為主,電子元器件平鋪安裝在PCB表面,因此,二者都屬于2D集成。而針對(duì)于封裝內(nèi)的集成,情況就要復(fù)雜得多。電子集成技術(shù)分類(lèi)的兩個(gè)重要依據(jù):1.物理結(jié)構(gòu),2.電氣連接(電氣互連)。目前先進(jìn)封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類(lèi)型。2D封裝012D封裝是指在基板的表
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臺(tái)積電2nm需求超所有其它制程!蘋(píng)果、NVIDIA、AMD都想要

  • 5月6日消息,據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電的2nm制程技術(shù)正在引發(fā)前所未有的市場(chǎng)需求,有望成為該公司下一個(gè)"淘金熱"。報(bào)道稱,臺(tái)積電的2nm節(jié)點(diǎn)需求遠(yuǎn)超以往任何制程,甚至在大規(guī)模量產(chǎn)之前就已經(jīng)展現(xiàn)出強(qiáng)勁的吸引力,有望超越目前極為成功的3nm節(jié)點(diǎn)。臺(tái)積電的2nm制程技術(shù)在成熟度上取得了快速進(jìn)展,其缺陷密度率已與3nm和5nm相當(dāng),并采用了新的環(huán)繞柵極晶體管(GAAFET)架構(gòu)。此外,與3nm增強(qiáng)版(N3E)相比,2nm制程的速度提升了10%至15%。在市場(chǎng)需求方面,蘋(píng)果被認(rèn)為是2nm制程的最大客戶,可
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Synopsys支持英特爾18A-P、E工藝技術(shù)

  • Synopsys 為 Intel Foundries 的 18A 和 18A-P 更高性能工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)了生產(chǎn)就緒型設(shè)計(jì)流程。這些產(chǎn)品將于今年晚些時(shí)候進(jìn)入量產(chǎn),用于使用 RibbonFET 全環(huán)繞柵極 (GAA) 晶體管和第一個(gè)背面供電架構(gòu)的 1.8nm 設(shè)計(jì)。兩家公司還致力于英特爾 14A-E 高效低功耗工藝的早期設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化。這是 Intel Foundry 和 Synopsys 工程團(tuán)隊(duì)之間廣泛設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化 (DTCO) 努力的結(jié)果。Synopsys 還針對(duì) Intel 18A 優(yōu)化了其 IP
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一文看懂英特爾的制程工藝和系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)

  • 一文帶你看懂英特爾的先進(jìn)制程工藝和高級(jí)系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)的全部細(xì)節(jié)...  1.     制程技術(shù)Intel 18A 英特爾18A制程節(jié)點(diǎn)正在按既定計(jì)劃推進(jìn),首個(gè)外部客戶的流片工作將于2025年上半年完成。Intel 18A預(yù)計(jì)將在2025年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)爬坡,基于該制程節(jié)點(diǎn)的首款產(chǎn)品,代號(hào)為Panther Lake,將于2025年年底推出,更多產(chǎn)品型號(hào)將于2026年上半年發(fā)布?!居⑻貭栃缕拢褐匾暪こ虅?chuàng)新、文化塑造與客戶需求;英特爾發(fā)布2025年第一季度財(cái)報(bào)
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英特爾版 X3D 技術(shù)將至:18A-PT 芯片工藝官宣,14A 節(jié)點(diǎn)即將推出

  • 4 月 30 日消息,英特爾新任 CEO 陳立武今日在美國(guó)加州圣何塞舉行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活動(dòng)中亮相,概述了公司在晶圓廠代工項(xiàng)目上的進(jìn)展。陳立武宣布,公司現(xiàn)在正在與即將推出的 14A 工藝節(jié)點(diǎn)(1.4nm 等效)的主要客戶進(jìn)行接觸,這是 18A 工藝節(jié)點(diǎn)的后續(xù)一代。英特爾已有幾個(gè)客戶計(jì)劃流片 14A 測(cè)試芯片,這些芯片現(xiàn)在配備了公司增強(qiáng)版的背面電源傳輸技術(shù),稱為PowerDirect。陳立武還透露,公司的關(guān)鍵 18A 節(jié)點(diǎn)現(xiàn)在處于風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段,預(yù)計(jì)今年晚
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日本政府?dāng)M2025年成Rapidus股東,修法已通過(guò)

  • 據(jù)日本共同通信社和日經(jīng)新聞報(bào)道,日本政府計(jì)劃在2025年下半年對(duì)半導(dǎo)體企業(yè)Rapidus出資1,000億日元,并成為其股東。這一計(jì)劃的法律基礎(chǔ)已經(jīng)確立,日本參議院于4月25日通過(guò)了《信息處理促進(jìn)法》等修正案,正式為相關(guān)支持鋪平道路。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)?。ń?jīng)產(chǎn)?。┲鞴艿男畔⑻幚硗七M(jìn)機(jī)構(gòu)(IPA)將新增金融業(yè)務(wù),向民間金融機(jī)構(gòu)為下一代半導(dǎo)體企業(yè)提供債務(wù)擔(dān)保。這一機(jī)制將使日本政府能夠通過(guò)IPA對(duì)Rapidus進(jìn)行出資,出資對(duì)象將通過(guò)公開(kāi)招募選定,預(yù)計(jì)為Rapidus。經(jīng)產(chǎn)省已在2025年度預(yù)算中預(yù)留了1,000億日元
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臺(tái)積電高歌猛進(jìn),二線廠商業(yè)績(jī)承壓

  • 作為全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)的龍頭,2024年臺(tái)積電全年合并營(yíng)收達(dá)900億美元,同比增長(zhǎng)30%;稅后凈利達(dá)365億美元,同比大幅增長(zhǎng)35.9%。毛利率達(dá)到56.1%,營(yíng)業(yè)利益率達(dá)45.7%,皆創(chuàng)歷史新高。2025年首季,臺(tái)積電的營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期。據(jù)晶圓代工業(yè)內(nèi)人士透露,臺(tái)積電首季毛利率達(dá)58.8%,且預(yù)計(jì)第二季毛利率有望介于57%-59%的高位區(qū)間;美元營(yíng)收有望實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)13%、同比增長(zhǎng)近40%。與之形成鮮明對(duì)比的是,二線代工廠首季營(yíng)運(yùn)并未出現(xiàn)明顯回暖跡象。具體來(lái)看,聯(lián)電2025年首季合并營(yíng)收為新臺(tái)幣578
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英特爾18A工藝雄心遇挫?旗艦2納米芯片據(jù)稱將外包給臺(tái)積電生產(chǎn)

  • 財(cái)聯(lián)社4月23日訊(編輯 馬蘭)據(jù)媒體報(bào)道,英特爾正委托臺(tái)積電使用其2納米制程生產(chǎn)Nova Lake CPU??紤]到英特爾自己擁有18A工藝,且一直宣傳該工藝勝過(guò)臺(tái)積電的2納米技術(shù),這份代工合同可能透露出一些引人深思的訊號(hào)。英特爾聲稱將為客戶提供最好的產(chǎn)品,而這可能是其將Nova Lake生產(chǎn)外包給臺(tái)積電的一個(gè)原因。但業(yè)內(nèi)也懷疑,既然18A工藝已經(jīng)投入了試生產(chǎn),英特爾將生產(chǎn)外包可能是由于產(chǎn)能需求的驅(qū)動(dòng),而不是性能或回報(bào)等方面的問(wèn)題。還有傳言稱,英特爾可能采取雙源戰(zhàn)略:既使用臺(tái)積電的2納米技術(shù)生產(chǎn)旗艦產(chǎn)品,
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英特爾將在 2025 VLSI 研討會(huì)上詳解 18A 制程技術(shù)優(yōu)勢(shì)

  • 4 月 21 日消息,2025 年超大規(guī)模集成電路研討會(huì)(VLSI Symposium)定于 2025 年 6 月 8 日至 12 日在日本京都舉行,這是半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂級(jí)國(guó)際會(huì)議。VLSI 官方今日發(fā)布預(yù)覽文檔,簡(jiǎn)要介紹了一系列將于 VLSI 研討會(huì)上公布的論文,例如 Intel 18A 工藝技術(shù)細(xì)節(jié)。相較于 Intel 3 制程,Intel 18A 節(jié)點(diǎn)在性能、能耗及面積(PPA)指標(biāo)上均實(shí)現(xiàn)顯著提升,將為消費(fèi)級(jí)客戶端產(chǎn)品與數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品帶來(lái)實(shí)質(zhì)性提升。英特爾聲稱,在相同電壓(1.1V)和復(fù)雜度條件下,I
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AMD拿下臺(tái)積電2nm工藝首發(fā)

  • 4月15日,AMD宣布其新一代Zen 6 EPYC處理器「Venice」正式完成投片(tape out),成為業(yè)界首款采用臺(tái)積電2nm(N2)制程技術(shù)的高效能運(yùn)算(HPC)處理器,預(yù)計(jì)將于明年上市。這也是AMD首次拿下臺(tái)積電最新制程工藝的首發(fā),而以往則都是由蘋(píng)果公司的芯片首發(fā)。N2是臺(tái)積電首個(gè)依賴于全環(huán)繞柵極晶體管(Gate All Around,GAA)的工藝技術(shù),預(yù)計(jì)與N3(3nm)相比,可將功耗降低24%至35%,或者在相同運(yùn)行電壓下的性能提高15%,同時(shí)晶體管密度是N3的1.15倍,這些提升主要得
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英特爾宣布 18A 工藝節(jié)點(diǎn)已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)

  • 英特爾的代工服務(wù)高級(jí)副總裁 Kevin O'Buckley 在 2025 年愿景大會(huì)上宣布了公司 18A 工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)展。?在 2025 年愿景會(huì)議上,英特爾今天宣布已進(jìn)入其 18A 工藝節(jié)點(diǎn)的風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn),這是一個(gè)關(guān)鍵的生產(chǎn)里程碑,標(biāo)志著該節(jié)點(diǎn)現(xiàn)在處于小批量測(cè)試制造運(yùn)行的早期階段。英特爾的代工服務(wù)高級(jí)副總裁 Kevin O'Buckley 宣布了這一消息,因?yàn)橛⑻貭柤磳⑼耆瓿善洹八哪晡鍌€(gè)節(jié)點(diǎn)”(5N4Y) 計(jì)劃,該計(jì)劃最初由前首席執(zhí)行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger)
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英特爾18A制程搶單臺(tái)積電,瞄準(zhǔn)英偉達(dá)和博通

  • 臺(tái)積電為全球晶圓代工龍頭,追兵英特爾來(lái)勢(shì)洶洶,瑞銀分析師Timothy Arcuri最新報(bào)告指出,英特爾在新任執(zhí)行長(zhǎng)陳立武帶領(lǐng)下,著重發(fā)展半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與代工能力,正積極爭(zhēng)取英偉達(dá)與博通下單18A制程。Timothy Arcuri表示,英偉達(dá)比博通更有機(jī)會(huì)下單英特爾晶圓代工,可能用于游戲產(chǎn)品,但效能與功耗仍是英偉達(dá)考慮的重點(diǎn)。 另一方面,英特爾透過(guò)改善先進(jìn)封裝技術(shù),縮小與臺(tái)積電的差距,英特爾EMIB接近臺(tái)積電的CoWoS-L希望能吸引以英偉達(dá)為首的大客戶支持。此外,英特爾與聯(lián)電的合作相當(dāng)順利,最快可能在202
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中科院成功研發(fā)全固態(tài)DUV光源技術(shù)!

  • 3月24日消息,中國(guó)科學(xué)院(CAS)研究人員成功研發(fā)突破性的固態(tài)深紫外(DUV)激光,能發(fā)射 193 納米的相干光(Coherent Light),與當(dāng)前被廣泛采用的DUV曝光技術(shù)的光源波長(zhǎng)一致。相關(guān)論壇已經(jīng)于本月初被披露在了國(guó)際光電工程學(xué)會(huì)(SPIE)的官網(wǎng)上。目前,全球主要的DUV光刻機(jī)制造商如ASML、Canon和Nikon,均采用氟化氬(ArF)準(zhǔn)分子激光技術(shù)。這種技術(shù)通過(guò)氬(Ar)和氟(F)氣體混合物在高壓電場(chǎng)下生成不穩(wěn)定分子,釋放出193納米波長(zhǎng)的光子。這些光子以短脈沖、高能量形式發(fā)射,輸出功
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Intel首批18A工藝晶圓投產(chǎn),大批量生產(chǎn)可能比預(yù)期更早

  • Intel新CEO陳立武上任之際,Intel工廠傳出了捷報(bào),位于亞利桑那州的新晶圓廠的Intel 18A工藝開(kāi)始初始批量生成,新工藝的量產(chǎn)計(jì)劃有望提早實(shí)現(xiàn)。Intel工程經(jīng)理Pankaj Marria在LinkedIn的帖子中以“雄鷹已著陸”為喻,強(qiáng)調(diào)這一節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)是先進(jìn)制程研發(fā)的重要里程碑。從中我們了解到Intel 18A節(jié)點(diǎn)已開(kāi)始批量生產(chǎn)首批晶圓,供客戶進(jìn)行測(cè)試與評(píng)估。這標(biāo)志著英特爾18A節(jié)點(diǎn)的工藝設(shè)計(jì)套件(PDK)正式進(jìn)入1.0版本,客戶已開(kāi)始利用該套件進(jìn)行定制芯片的測(cè)試。Intel 18
  • 關(guān)鍵字: Intel  18A  晶圓  
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