3d 芯片 文章 最新資訊
鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲器開始送樣
- 全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術(shù)的?512Gb TLC存儲器已開始送樣（1）。該產(chǎn)品計劃于?2025?年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產(chǎn)品也將集成到鎧俠的企業(yè)級固態(tài)硬盤中，特別是需要提升?AI?系統(tǒng)?GPU?性能的應(yīng)用。為應(yīng)對尖端應(yīng)用市場的多樣化需求，同時提供兼具投資效益與競爭力的產(chǎn)品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行
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銅關(guān)稅給芯片供應(yīng)鏈帶來壓力和不確定性
- 芯片行業(yè)的勢頭正在與氣候和貿(mào)易挑戰(zhàn)相沖突，對銅征收新的關(guān)稅可能會破壞一切。今年夏天，半導(dǎo)體行業(yè)正在慶祝破紀(jì)錄的芯片銷售，這得益于多個細分市場的強勁區(qū)域增長和需求。與此同時，美國對先進研發(fā)的投資和國家安全研究中心的開放標(biāo)志著國內(nèi)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)更新新時代的開始。即便如此，這種勢頭還是在原材料供應(yīng)中斷的背景下展開的。新報告稱，如果不進行干預(yù)，到 2050 年，超過一半的銅產(chǎn)量將因氣候相關(guān)干旱而面臨風(fēng)險。與此同時，特朗普政府對銅進口征收50%新關(guān)稅的舉動引發(fā)了價格上漲，這將波及供應(yīng)鏈。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)反彈創(chuàng)新根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)
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車規(guī)級芯片 與 消費級芯片 有什么差別？
- 車規(guī)級芯片與消費級芯片在設(shè)計目標(biāo)、應(yīng)用場景、性能要求等方面存在顯著差異，核心區(qū)別源于其服務(wù)的產(chǎn)品屬性 —— 汽車需兼顧安全性、可靠性、長生命周期，而消費電子更側(cè)重性價比、短期性能迭代。以下從多個維度詳細對比：一、工作環(huán)境要求：車規(guī)芯片需應(yīng)對極端環(huán)境汽車的使用場景遠比消費電子復(fù)雜，車規(guī)芯片必須耐受更惡劣的物理環(huán)境，而消費級芯片僅需適應(yīng)相對溫和的環(huán)境。二、可靠性與耐久性：車規(guī)芯片追求 “零故障”汽車的使用壽命通常為10 年 / 15 萬公里以上，芯片需在全生命周期內(nèi)穩(wěn)定工作；而消費電子壽命短（如手機 2-3
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英偉達 H20 銷售重啟引發(fā)關(guān)注：可能庫存甩賣；預(yù)計將為中國推出新的 Blackwell GPU
- 隨著美國批準(zhǔn)英偉達恢復(fù)在中國銷售 H20 產(chǎn)品，中國分銷商之間的討論正在升溫。據(jù)財新報道，這一舉措主要是清空現(xiàn)有的 H20 庫存，不會影響 2025 年下半年基于 Blackwell 架構(gòu)的新 GPU 的推出。同時， 路透社報道，像字節(jié)跳動和騰訊這樣的主要中國公司已經(jīng)申請購買 H20 芯片。報道補充說，英偉達為獲得批準(zhǔn)的中國公司創(chuàng)建了一個注冊名單，以表達對未來的興趣。裕安報告稱，目前將僅銷售現(xiàn)有 H20 庫存，計劃中沒有新的供應(yīng)。主要買家必須提交詳細的 BIS（工業(yè)和安全局）許可證申請，具體說明
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滿足芯片生命周期擴展需求
- 在當(dāng)今競爭激烈的商業(yè)環(huán)境中，駕馭復(fù)雜性可能是一個決定性的優(yōu)勢，但同時也帶來了重大挑戰(zhàn)。推動復(fù)雜性增加的三個關(guān)鍵趨勢是技術(shù)擴展、設(shè)計擴展和系統(tǒng)擴展。傳統(tǒng)上，可測試性設(shè)計 （DFT） 解決方案側(cè)重于晶片級別;然而，這些挑戰(zhàn)在封裝和系統(tǒng)層面也帶來了機遇。為了有效地滿足客戶需求，Siemens EDA 采取了積極措施來應(yīng)對他們遇到的挑戰(zhàn)。通過利用創(chuàng)新的芯片生命周期管理 （SLM） 解決方案，他們成功地大規(guī)模部署了高級系統(tǒng)，使客戶能夠在競爭激烈的市場中蓬勃發(fā)展。圖 1：影響半導(dǎo)體制造商的三大擴展挑戰(zhàn)。半導(dǎo)體公司可以
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臺積電歐洲首個芯片設(shè)計中心鎖定德國慕尼黑，同步啟動“歐洲制造計劃”
- 全球半導(dǎo)體巨頭臺積電正式披露其歐洲戰(zhàn)略布局，首站鎖定德國科技重鎮(zhèn)慕尼黑。臺積電歐洲業(yè)務(wù)負責(zé)人保羅·德博特在新聞發(fā)布會上確認，這座具有里程碑意義的芯片設(shè)計中心將于今年三季度正式啟用。這將是臺積電在歐洲的首個芯片設(shè)計中心，標(biāo)志著其傳統(tǒng)戰(zhàn)略的轉(zhuǎn)變，重點服務(wù)歐洲市場在智能汽車、工業(yè)4.0、AI運算及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的尖端芯片需求。巴伐利亞州經(jīng)濟事務(wù)負責(zé)人休伯特·艾萬格在歡迎致辭中強調(diào)：“這一戰(zhàn)略投資印證了本地區(qū)作為歐洲科技心臟的獨特優(yōu)勢。從寶馬、西門子等終端用戶到ASML等設(shè)備供應(yīng)商，我們構(gòu)建了完整的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈。
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TSMC：AI芯片革命中被低估的支柱
- 全球人工智能革命正在推動對先進半導(dǎo)體的空前需求，沒有哪家公司比臺積電更有能力利用這一趨勢。作為全球最大的專營代工廠，臺積電在用于 AI 系統(tǒng)、云基礎(chǔ)設(shè)施和自動駕駛技術(shù)的尖端芯片生產(chǎn)方面占據(jù)主導(dǎo)地位。與 NVIDIA 或 AMD 等直接在軟件和硬件生態(tài)系統(tǒng)中競爭的芯片設(shè)計商不同，臺積電作為硅片的中立制造商，使其與競爭動態(tài)隔絕，使其成為 AI 領(lǐng)域所有主要參與者的關(guān)鍵供應(yīng)商。這一戰(zhàn)略優(yōu)勢，加上其行業(yè)領(lǐng)先的制造能力和有吸引力的估值，使臺積電成為一項引人注目的長期投資。代工
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在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生
- 從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實力。作為芯片設(shè)計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準(zhǔn)把握未來芯片設(shè)計的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設(shè)計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內(nèi)重新定義幾乎每個領(lǐng)域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
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赴美新建半導(dǎo)體工廠減免35%稅收！加速推進“芯片制造回流美國”？
- 美國參議院本周通過的《全面稅收法案》將降低半導(dǎo)體制造商在美國建廠的成本，為芯片制造商帶來利益，并將促進美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)本土化進程。根據(jù)參議院通過該法案最終版本，英特爾、臺積電和美光科技等公司如果在現(xiàn)有《芯片與科學(xué)法案》提出的2026年截止日期之前在美國動工興建新工廠，將有資格享受35%的投資稅收抵免。這一比例遠超現(xiàn)行芯片法案規(guī)定的抵免25%，并且超過了提案草案中設(shè)想的30%。值得注意的是，據(jù)悉這項稅收抵免沒有上限，很可能已經(jīng)高于其他形式的補貼 —— 這取決于投資規(guī)模。無論在哪種情況下，這種稅收抵免幾乎都將帶
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Siemens對數(shù)字孿生的芯片、封裝老化進行建模
- Siemens EDA 正在開發(fā)復(fù)雜芯片封裝隨時間老化的模型，作為其工具的一部分，以創(chuàng)建高達機架級別的數(shù)字孿生。這將在未來三個月內(nèi)作為 Calibre 3D 系列的一部分推出。除了 Innovator3D IC 工具外，Calibre 3DStress 工具還使用熱機械分析來識別晶體管級應(yīng)力的電氣影響。這些工具共同旨在降低復(fù)雜的下一代 2.5D/3D IC 和小芯片設(shè)計中的設(shè)計、良率和可靠性風(fēng)險。小芯片設(shè)計中老化的影響尤為重要，因為混合了不同的工藝技術(shù)、更薄的芯片和更高的功耗，再加上安裝在基板上。隨著 2
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2.5D/3D 芯片技術(shù)推動半導(dǎo)體封裝發(fā)展
- 來自日本東京科學(xué)研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構(gòu)思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導(dǎo)體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關(guān)的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術(shù)。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構(gòu)開發(fā)了一種新穎的電源技術(shù)，該架構(gòu)由直接放置在動態(tài)隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標(biāo)志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
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