近日，長江存儲科技有限責任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領域，以滿足AIoT、機器學習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著長江存儲嵌入式產品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示 ：“隨著5G通信、大數據、AIoT的加速
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長江存儲 3D NAND
這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態盤，都呈現火力全開的姿態，從技術到產品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯網、嵌入式、服務器等各種場景，而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態規格
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長江存儲 3D NAND
近日，有消息稱，國內存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會實現232層堆疊的3D NAND閃存技術。這意味著國內存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發布了業界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規模量產和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規模應用也要到2023年去了。可見，國產存儲芯片，在技術上確實已經追上了三星
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長江存儲 3D NAND
中國芯片傳來捷報，長江存儲取得重大技術突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經完成192層3D NAND閃存樣品生產，預計年底實現大規模量產交付。長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業，從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進入了128層3D NAND 閃存的研發，并成功在2020年正式宣布研發成功，它是
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長江存儲 3D NAND
頭一段時間，有媒體報道稱，長江存儲自主研發的192層3D NAND閃存已經送樣，預計年底實現量產。長江存儲一直是我們優秀的國產存儲芯片企業，從成立之初便保持了一個高速的發展狀態。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業大廠的差距，長江存儲跳過了96層，直接進行了128層3D NAND 閃存的研發，并在2020年正式宣布研發成功，它是業內首款128層QLC規格的3D N
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長江存儲 3D NAND
比利時微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實現互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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imec 晶背供電 邏輯IC 布線 3D IC
3D深度傳感器在汽車座艙監控系統中發揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創新的汽車智能座艙，支持新服務的無縫接入，并提高被動安全。它們對于滿足監管規定和NCAP安全評級要求，以及實現自動駕駛愿景等都至關重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時間）系統領域的湃安德（pmd）合作，開發出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標準，具有更高的分辨率。
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3D 圖像傳感器
多年來，設計人員一直在工業和汽車系統中使用霍爾效應傳感器進行接近檢測、線性位移測量、旋轉編碼和許多其他應用。隨著時間的推移，更高的系統性能要求促使集成電路供應商提高靈敏度精度、集成更多功能、提供不同的傳感方向和更低的功耗，從而將霍爾效應傳感器的使用范圍擴大到未來幾十年。本文將探討有關霍爾效應傳感器的常見誤解，并在適當的時候將其與實際應用聯系起來。1. 霍爾效應傳感器僅提供簡單的開關信息許多機電設計需要使用傳感器檢測物體，該傳感器提供一個簡單的邏輯信號來指示其存在或不存在。一個例子是筆記本電腦蓋的關閉和打開
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霍爾效應傳感器
增強現實（AR）應用將從根本上改變人類的生活和工作方式。預計今年下半年，AR領域的開拓者Magic Leap將推出其最新的AR設備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業級應用而設計，將成為市場上最具沉浸感的企業級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學設計，擁有行業領先的光學技術和強大的計算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優化復雜的流程，并支持員工進行無縫協作。Magic Leap 2的核心優勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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在現代工業生產尤其是自動化生產過程中，傳感器幾乎必不可少。具體來講，工業生產者需要使用各種傳感器來監視、控制生產過程中的各個參數，使設備處于正常狀態，如果出現故障也能被及時發現。一、光電傳感器 光電傳感器是將光信號轉換為電信號的一種器件。其工作原理基于光電效應。光電效應是指光照射在某些物質上時，物質的電子吸收光子的能量而發生了相應的電效應現象。根據光電效應現象的不同將光電效應分為三類：外光電效應、內光電效應及光電效應。光電器件有光電管、光電倍增管、光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管、光電池等。 光電
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霍爾效應傳感器 工業傳感器
霍爾效應傳感器也稱霍爾傳感器，用來測量磁場。1.霍爾傳感器是根據霍爾效應制作的一種磁場傳感器。霍爾效應是磁電效應的一種。可以用來位移測量兩塊永久磁鐵同極性相對放置，是以高精度、一致性和可靠性監控磁場。霍爾效應是研究半導體材料性能的基本方法。能夠判斷半導體材料的導電類型、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數。2.磁場傳感器是可以將各種磁場及其變化的量轉變成電信號輸出的裝置。各類磁傳感器磁傳感器是一種旨在測量磁場的大小和方向的傳感器，根據目的不同有多種傳感器,電磁場傳感器是利用某些材料的磁電效應做成的對磁場敏感
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霍爾效應傳感器
什么是磁傳感器？磁性傳感器磁傳感器是能夠檢測和分析由磁鐵或電流產生的磁場的設備。它們可用于不同類型的應用，例如感應磁場位置和角度的變化，感應磁場強度或方向的變化等。有多種類型的磁傳感器，例如用于檢測磁場強度變化的霍爾效應傳感器（霍爾開關、線性霍爾傳感器等），用于檢測磁場方向變化的磁阻傳感器、用于檢測磁場角度變化的角度傳感器、3D 霍爾傳感器以及磁性速度傳感器。霍爾效應傳感器被廣泛應用于接近傳感器、位置和速度測量等領域。它們甚至用于計算機打印機、氣缸、計算機鍵盤等。磁傳感器通常是一種固態器件，由于其高精度和
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霍爾效應傳感器
5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發表其與中科院微電子研究所合作開發的 3D DRAM 技術。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產品的量產。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
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當人們在75年前使用寶麗來 (Polaroid ) 相機拍攝出世界上第一張實時成像照片時，便是一項以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫面的創舉。時至今日，人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉過來，亦即在幾秒鐘內將一組靜態影像變成數字 3D 場景。 NVIDIA Research 透過人工智能，在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場景這項稱為逆向渲染 (inverse rendering) 的過程，利用 AI 來預估光線在真實世界中的表現，讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
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TMAG5170UEVM 是一個易于使用的平臺，用于評估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評估模塊 (EVM) 包含圖形用戶界面
(GUI)，用于讀取和寫入寄存器以及查看和保存測量結果。還包括一個 3D 打印旋轉和推送模塊，用于通過單個器件測試角度測量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫入器件寄存器以及查看和保存測量結果· 3D 打印旋轉和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過常見的 micro-USB 連接器充電
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