3d dtof 文章 最新資訊
西門子與聯(lián)華電子合作開發(fā)3D IC混合鍵合流程
- 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作,面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術,提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時向全球客戶提供此項新流程。通過在單個封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術,客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實現(xiàn)多個組件功能。相比于在 PCB
- 關鍵字: 西門子 聯(lián)華電子 3D IC 混合鍵合流程
長江存儲SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s
- 這兩年,長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤,都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài),從技術到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日,長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列,可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務器等各種場景,而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓,可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
- 關鍵字: 長江存儲 3D NAND
存儲芯片從落后20年,到追上三星、美光,中國廠商只花了6年
- 近日,有消息稱,國內存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初,會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術。這意味著國內存儲芯片廠商,終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,而大規(guī)模量產(chǎn)和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片,而大規(guī)模應用也要到2023年去了。可見,國產(chǎn)存儲芯片,在技術上確實已經(jīng)追上了三星
- 關鍵字: 長江存儲 3D NAND
中國芯片傳來捷報,長江存儲取得技術突破,正式打破三星壟斷
- 中國芯片傳來捷報,長江存儲取得重大技術突破,正式打破韓國三星壟斷,目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn),預計年底實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展狀態(tài),用短短3年的時間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離,長江存儲直接越級跳過了96層,直接進入了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是
- 關鍵字: 長江存儲 3D NAND
國產(chǎn)存儲芯片又取得突破,長江存儲192層閃存送樣,預計年底量產(chǎn)
- 頭一段時間,有媒體報道稱,長江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣,預計年底實現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè),從成立之初便保持了一個高速的發(fā)展狀態(tài)。2016年成立,2017年便推出了32層NAND閃存。2019年,推出64層堆棧3D NAND閃存,并成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距,長江存儲跳過了96層,直接進行了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是業(yè)內首款128層QLC規(guī)格的3D N
- 關鍵字: 長江存儲 3D NAND
英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開發(fā)3D深度傳感技術,賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應用
- 增強現(xiàn)實(AR)應用將從根本上改變人類的生活和工作方式。預計今年下半年,AR領域的開拓者Magic Leap將推出其最新的AR設備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業(yè)級應用而設計,將成為市場上最具沉浸感的企業(yè)級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學設計,擁有行業(yè)領先的光學技術和強大的計算能力,能夠讓操作人員更高效地開展工作,幫助公司優(yōu)化復雜的流程,并支持員工進行無縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX:
- 關鍵字: 3D s深度傳感
3D DRAM技術是DRAM的的未來嗎?
- 5月25日,有消息傳出,華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術。隨著“摩爾定律”走向極限,DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前,DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示,三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨;美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么,10nm是DRAM工藝的極限嗎?在回答這個問題之前,我
- 關鍵字: DRAM 3D DRAM 華為 三星 美光 制程 納米
適用于 TMAG5170 SPI 總線接口、高精度線性 3D 霍爾效應傳感器的評估模塊
- TMAG5170UEVM 是一個易于使用的平臺,用于評估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評估模塊 (EVM) 包含圖形用戶界面 (GUI),用于讀取和寫入寄存器以及查看和保存測量結果。還包括一個 3D 打印旋轉和推送模塊,用于通過單個器件測試角度測量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫入器件寄存器以及查看和保存測量結果· 3D 打印旋轉和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過常見的 micro-USB 連接器充電
- 關鍵字: 精密數(shù)模轉換器 霍爾效應傳感器 3D
雙目立體賦能3D機器視覺,銀牛攜芯片模組登陸中國市場
- 1? ?幾種3D深度感知技術比較3D深度感知主要有3個技術方向:雙目立體,結構光,飛行時間(ToF),結構光起步比較早,但是技術的局限性較大,而雙目立體的發(fā)展速度較快,勢頭迅猛。從物理原理上,雙目立體和結構光二者都用了三角測距,但是雙目立體是依靠自然的紅外反射在攝像頭上產(chǎn)生特征點,來計算對象物深度的數(shù)據(jù)。結構光需要有一個發(fā)射光的發(fā)射源,帶編碼的光到了對象物體再反射回來來計算這個深度。結構光的弱點是在室外時,結構光發(fā)射帶編碼的光經(jīng)常受到環(huán)境的干擾;而雙目立體不容易受到室外光的干擾,因此室
- 關鍵字: 3D 雙目 深度
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