- 美國記憶體大廠美光科技(Micron Technology Inc.)于 1 日美股盤后公布 2015 會計年度第 2 季(截至 2015 年 3 月 5 日為止)財報：營收年增 1%(季減 9%)至 41.7 億美元;本業每股盈余自前一季的 0.97 美元降至 0.81 美元。根據彭博社的調查，分析師原先預期美光第 2 季營收、本業每股盈余各為 41.5 億美元、0.73 美元。美光財報雖優于預期，但 1% 的營收增幅是兩年來最差的成績。
取自官網
(Sour
- 關鍵字：
美光 DRAM
- 今年3月中國武岳峰資本宣布以6.4億美元并購在美國上市的芯成半導體后，中國政府正式向全世界宣布要進軍半導體領域。TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange統計顯示，2014年中國市場的DRAM消化量金額為102億美金，占全球營業額約20%，其龐大內需就足以撐起中國DRAM產業的發展，而美國芯成半導體的整并，只是中國DRAM產業的開端。DRAMeXchange表示，目前有六個地方政府積極爭取設立DRAM廠，而中國中央政府將會選出其中一個地方政府設廠，整合上游廠商發展出具中國自有的技
- 關鍵字：
DRAM
- 英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術。
這一全新3D NAND技術由英特爾與鎂光聯合開發而成，垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g，可打造出存儲容量比同類NAND技術高達三倍的存儲設備。該技術可支持在更小的空間內容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業部署的需求。
?
當前，平面結構的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限
- 關鍵字：
英特爾 鎂光 3D NAND
- 力晶成功轉型為晶圓代工廠，更瞄準物聯網(IoT)商機推出iRAM解決方案，整合嵌入式快閃存儲器(eFlash)、ARM架構處理器芯片和通訊技術成為SoC整合型芯片，預計下半年出貨，全面擁抱物聯網時代來臨。
力晶現在渾身上下都是“晶圓代工魂”，DRAM產品對力晶而言只是眾多布局的一小塊，除了繼續替臺系IC設計公司晶豪、鈺創、力積等代工SDRAM芯片，以及協助存儲器模組大廠金士頓(Kingston)代工標準型DRAM芯片外，力晶旗下的12吋晶圓廠已經全面擁抱晶圓代工產品線。
- 關鍵字：
物聯網 DRAM
- 華亞科技董事長高啟全今表示，最近產業沒什么變化，第1季DRAM比較差，因為PC DRAM價格掉比較多，預期第2季會回穩，價格有機會回溫。他指出，目前看來今年第2、3、4季會相當穩定，今年是DRAM史上第二次連三年大好，今年已連續好第三年，今年還是一個好年。
高啟全說，今年是繼1993年后的第二次連續三年好，但不同的是，前一次靠的是PC需求，今年則不是靠PC，全年還是會很好，2016年也不會太差。
他指出，華亞科下半年因為20奈米開始產出，表現仍會不錯。華亞科目前現金水位約400億元。
- 關鍵字：
華亞科 DRAM
- 在全球半導體行業掀起并購潮的背景下，中國政府也大力扶持國內半導體行業的發展。去年紫光集團收購展訊和銳迪科的消息振奮人心，不久前，DRAM產業傳來武岳峰收購芯成半導的消息。從這些并購案中，我們可以看到大陸半導體產業正趨于完整。
先說說半導體行業的并購潮，我們只看2015年，就可以發現像：東軟載波擬收購上海海爾、英飛凌完成收購美國國際整流器公司、GlobalFoundries收購IBM旗下的全球商用半導體技術業務以及震動半導體行業的恩智浦收購飛思卡爾的收購案在2015年開年就接連出現(關于收購案更多
- 關鍵字：
DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)領先全球同業、于去年10月搶先量產3D架構的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)產品，但三星的領先優勢恐維持不了多久，因為三星NAND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產3D NAND Flash、且其制造技術更勝三星一籌!
日本媒體產經新聞25日報導，三星于去年量產的3D NAND Flash產品為垂直堆疊32層，但東芝已研發出超越三星的制造技術、可堆疊48層，且東芝計劃于今年下半年透過旗下四日市工廠
- 關鍵字：
東芝 3D Flash
- 在全球半導體行業掀起并購潮的背景下，中國政府也大力扶持國內半導體行業的發展。去年紫光集團收購展訊和銳迪科的消息振奮人心，不久前，DRAM產業傳來武岳峰收購芯成半導的消息。從這些并購案中，我們可以看到大陸半導體產業正趨于完整。
先說說半導體行業的并購潮，我們只看2015年，就可以發現像：東軟載波擬收購上海海爾、英飛凌完成收購美國國際整流器公司、GlobalFoundries收購IBM旗下的全球商用半導體技術業務以及震動半導體行業的恩智浦收購飛思卡爾的收購案在2015年開年就接連出現(關于收購案更多
- 關鍵字：
DRAM 展訊
- 全球最大內存廠韓國三星電子傳出DRAM擴產大減速消息。原本將在今年中量產的Line 17，全產能量產時間將延至年底，且外資圈傳出，三星有將近2萬片月產能的DRAM設備采購，下單及裝機時程均出現明顯延后(postpone)情況。
美光股價上周五受此消息激勵而大漲2.25%，法人認為，三星今年擴增DRAM產能只為了彌補20奈米微縮導致的產能自然減損，總產能不會增加，對南亞科、華亞科、華邦電等DRAM廠來說亦是重大利多。
業界去年9月時曾傳出，三星Line 17今年將全力擴充DRAM產能，預計第
- 關鍵字：
三星 DRAM
- SK 海力士 20日舉行股東會，社長樸星昱(Park Sung-wook)宣誓，20 奈米級DRAM最快可能在今年7月邁入量產，將可在高階產品趕上三星與美光等競爭者。
海力士目前最先進的制程為25與29奈米，而三星已在去年第四季搶先邁入20奈米制程領域，且預估今年下半年，半數PC用記憶體都會以20奈米制程打造。
據科技網站kitguru.net報導，20奈米制程在300mm 晶圓上塞進的晶粒數量較25奈米多三成，可降低每單位IC生產成本，并提高利潤空間。隨著8GB DDR4記憶體時代來臨，
- 關鍵字：
SK海力士 DRAM
- 過去存儲器一向扮演半導體制程的領頭羊地位，不僅DRAM廠率先投入最尖端制程，連臺積電、聯電最先進制程也先用存儲器來練兵。不過，近年來整個半導體出現改變，邏輯產品制程全面超越存儲器，晶圓代工廠也直接導入邏輯產品，存儲器退下晶圓廠制程領頭羊地位。
以往臺積電、聯電最先進制程均用存儲器來練兵，將良率提升到一定程度，再投入邏輯產品。臺積電一向用SRAM(Static RandomAccess Memory，靜態隨機存取存儲器)練兵，聯電則用DRAM(Dynamic RandomAccess Memory
- 關鍵字：
DRAM ARM
- SK海力士(SK Hynix)決定采取選擇與集中策略，聚焦于20納米(nm)微細制程DRAM、三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技術，以及固態硬盤(SSD)等優勢領域。較弱勢的系統芯片方面，將集中發展CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor;CIS)。
據ET News報導，日前SK海力士社長樸星昱在創下史上最高業績紀錄之際，反而在組織內部強調危機意識，透過員工電子郵件與公司內部電視等管道，不斷提醒現在不是放心的時刻，應透過強化根本競爭
- 關鍵字：
SK海力士 DRAM
- 首季DRAM市場呈現淡季氣氛，價格有所修正，法人估計，第2季跌價幅度將減少。研調機構集邦指出，三星最新旗艦機S6出貨量提升，帶動相關需求，可減緩淡季DRAM跌價幅度。外界認為，整體市況將回溫，對華亞科(3474)、南亞科等將有正面助益。
華亞科董事長高啟全認為，首季PC市況不佳，連帶影響PC DRAM價格下滑，但并沒有像以往大跌，預期整體DRAM市況會從第2季起逐漸回溫。
集邦分析師吳雅婷表示，三星新機S6與S6 Edge第2季出貨將優于預期，且采用最新的行動式記憶體LPDDR4。另外，包
- 關鍵字：
DRAM LPDDR4
- 全球DRAM大廠三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)紛搶進20納米制程世代，南亞科在美光協助下亦全力轉進20納米制程，并計劃投資新臺幣400億元。半導體業者指出，DRAM制程轉進20納米世代過程中，產能減損情況愈益嚴重，估計減損產能約2~3成，由于先進制程需要機臺設備大增，同樣無塵室空間能生產數量減少，使得DRAM廠為轉進20納米制程紛進行擴產，但產出卻出現停滯現象。
半導體業者表示，業界原本預期20納米制程恐將是DRAM產業最
- 關鍵字：
三星電子 DRAM
- 中國武岳峰資本日前宣布以6.4億美元并購在美國上市的芯成半導體。TrendForce旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 表示，此并購案雖為中國武岳峰資本主導，但尚包含eTown MemTek、清芯華創和華清基業，同時也與具官方色彩的上海市創業引導基金有合作。
其中清芯華創也代表北京集成電路產業基金，因而此次收購意味著上海與北京二大基金的合作，加上去年近期中國官方正式宣布了金額高達1,200億人民幣的半導體政策，中國政府已在整合技術能量，往完整的DRAM之路積極邁進。
綜觀中國電
- 關鍵字：
TrendForce DRAM
3d x-dram介紹
您好，目前還沒有人創建詞條3d x-dram!
歡迎您創建該詞條，闡述對3d x-dram的理解，并與今后在此搜索3d x-dram的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
