盡管IC產業在步入2009年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經濟危機影響的存儲產業終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求，擴充產能。一是通過從高節點技術向低節點技術的制程升級，進一步擴大位級產能;二是充分發揮“靈活資產(Asset Smart)”策略的優勢，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產能。
展望2010年的市場前景，主管恒憶亞洲區嵌入式業務及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球存儲器解
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Numonyx NAND NOR閃存 PCM
盡管 IC 產業在步入 2009 年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經濟危機影響的存儲產業終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求，擴充產能。一是通過從高節點技術向低節點技術的制程升級，進一步擴大位級產能;二是充分發揮“靈活資產(Asset Smart)”策略的優勢，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產能。
展望2010年的市場前景，主管恒憶亞洲區嵌入式業務及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球
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Numonyx NAND NOR閃存
市場研究機構水清木華日前發布"2009年手機內存行業研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應用領域單一,應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優勢越明顯,應用領域更廣泛,應用廠家也多.手機市場變化迅速,現在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優勢"長壽"也不復存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領域的只有Spansion.而NAND領域,三
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三星 NAND NOR RAM
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發表了卡內基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結果選出了兩個最有希望的候選 者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。
PCRAM我們偶爾會有所耳聞。它基于硫系玻璃的結晶態和非結晶態相變屬性，單元尺寸較小，而且每個單元內能保存多個比特，因此存儲密度和成本
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NAND 閃存 相變存儲
2008年DRAM產業跌落谷底，臺灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺幣1億元，且龐大的負債成為臺灣科技產業的巨大問題，因此經濟部為挽救臺灣內存演產業，宣布要進行產業再造，成立臺灣內存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因為此名字已被其它公司注冊，因此改名為Taiwan Innovation Memory Company，簡稱為TIMC。
TIMC正式于2009年7月31日登記成立，董事長為聯電榮譽副董事長宣明智，帶領臺灣內存產業再造的任務，目的在于協助臺灣DRAM產
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TIMC DRAM NAND Flash
美光科技股份有限公司日前宣布，該公司將業界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結合，生產出了市場上最先進的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝產品以智能手機、個人媒體播放器和新興的移動互聯網設備為應用目標。較小的外形尺寸、低成本和節能是這類應用的核心特色。
美光公司目前向客戶推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝試用產品，預計于2010年初投入量產。4Gb NAND-2Gb LPDDR組合
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美光 NAND 34納米 智能手機
10月28日消息，據國外媒體報道，全球最大的記憶體芯片制造商韓國三星電子周三表示，該公司目標要在三年內將半導體業務營收提高逾50%，并對2010年記憶體市場發表樂觀的看法。
三星電子將在周五公布第三季財報。該公司估計，今年半導體業務營收為166億美元，并稱目標要在2012年達到255億美元營收。
三星指出，明年動態隨機存取記憶體(DRAM)和NAND快閃記憶體(閃存)芯片將出現小規模短缺情況。
韓國三星半導體事業群總裁勸五鉉在一項高層主管會議上發表上述預估，公司發言人士也確認了這項消
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三星 NAND 存儲
英特爾和芯片技術公司Numonyx本周三發布了一項新技術.這兩家公司稱,這種新技術將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節省成本.
英特爾研究員和內存技術開發經理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術產生的堆疊內存陣列有可能取代目前DRAM內存和NAND閃存的一些工作.這種技術甚至能夠讓系統設計師把一些DRAM內存和固態內存的一些存儲屬性縮小到一個內存類.
This image shows phase-change memory bu
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Intel 5納米 DRAM NAND
最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內存廠商的產品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經有較大起色，但是這內存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現在的內存產品是怎樣的一個局面呢，下面小編就給大家來個深度分析，給你講講這里面的道道。
9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4%
9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元，較上個月多出了近 13%。D
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NAND DRAM 內存 存儲
美國內存大廠SanDisk近日公布第3季財報，意外由虧損轉為強勁獲利，主要由于銷售額優于預期，以及先前減記的庫存收入回補加持。這也反映了內存制造商持續受惠于閃存芯片市場好轉趨勢。
據國外媒體報道，SanDisk第3季由去年同期的虧損1.659億美元或每股74美分，改善為獲利2.313億美元或每股99美分。去除特殊項目后，每股獲利則為76美分，優于分析師預期的每股26美分。
該季營收增長14%至9.352億美元，遠優于公司今年7月份預估的介于7.25-7.75億美元，以及分析師預期的7.87
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SanDisk NAND 閃存芯片
“經濟部”「DRAM產業再造計畫」20日最后截止日期，卻出現戲劇性變化!臺塑集團旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺灣存儲器產業整合規模推升到NAND Flash格局，反將了臺灣創新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產NAND Flash，且100%為自有技術，比任何同業都符合“經濟部”所要求技術扎根條件，未來力晶
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力晶 DRAM 存儲器 NAND
鎂光34nm制程企業級MLC/SLC NAND閃存芯片已經進入試樣階段，MLC部分的存儲密度可達32Gb，寫入壽命達3萬次，是普通MLC產品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb，寫入壽命同樣為3萬次，是普通SLC產品的3倍.
鎂光這次開發成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規范(Open NAND Flash Interface)，數據傳輸率最高可達200MB/S，而且可以采用閃存封裝內部集成多片閃存芯片的封裝方案。
鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產。
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鎂光 NAND 閃存芯片 34nm
液晶電視與電漿電視在高畫質、大屏幕和薄型化的競賽仍在發生，但上文中提到，日本電視機大廠在今年的CEATEC中，紛紛揭橥明年將邁向Full HD 3D的電視世代。本文中將進一步解析他們將如何做到對3D電視的承諾，以及未來的發展方向
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CEATEC 3D DLNA Sony 東芝
研究機構集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價上漲約8%~10%，主要原因是多數供貨商已接獲部份電子系統廠客戶10月到11月的旺季長單，同時近期記憶卡客戶的旺季備貨需求，因此NAND Flash市場供貨吃緊，在賣方主導市場下，10月上旬NAND Flash合約價持續地上揚。
16Gb MLC NAND Flash合約價走勢圖
集邦科技指出，在10月到11月，多數NANDFlash供貨商份仍將優先供貨給電子系
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NAND 存儲 閃存
近日，在韓國國際電子展上，全球創新巨頭 3M 公司展示了其全新研制的場序 3D 光學膜，該產品的面試實現了無需佩戴 3D 眼鏡，就可以在手機，游戲機及其他手持設備中顯示真正的三維立體影像。
“最近幾年，隨著類似觸摸屏和流視頻等新技術應用，顯著地提升了移動設備的功能。3M 在推動這些新技術的應用中功不可沒，而且我們正在使 3D 立體顯示等新一代應用功能成為現實”。3M 光學產品部全球副總裁 Jim Bauman 先生說，“我們的 3D 光學膜解決方案通過為用戶提
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3M 3D 光學膜
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