- 7月3日消息，三星今天正式發布了其首款3nm工藝芯片——Exynos W1000。這款芯片專為可穿戴設備設計，預計將應用于即將推出的Galaxy Watch 7和Galaxy Watch Ultra智能手表。Exynos W1000芯片采用了三星最新的3nm GAA工藝，搭載了1個Cortex-A78大核心和4個Cortex-A55小核心，其中大核心的主頻達到1.6GHz，小核心主頻為1.5GHz。與前代產品Exynos W930相比，W1000在單核性能上實現了3.4倍的提升，在多核性能上更是達到了3.
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- 財聯社7月4日電，韓國媒體NewDaily報道稱，三星電子的HBM3e芯片通過了英偉達的產品測試，三星將很快就大規模生產HBM并供應給英偉達一事展開談判。
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- 據光本位官微消息，近日，光本位科技已完成算力密度和算力精度均達到商用標準的光計算芯片流片，這顆芯片的矩陣規模為128x128，峰值算力超1000tops，其算力密度已經超過了先進制程的電芯片。據了解，這顆芯片采用PCIe接口或其他通用標準進行數據交互，可以與數據中心兼容，未來光計算芯片的算力密度仍有百倍提升空間，比電芯片更適合處理大模型應用，達到商用標準可以說是中國AI芯片“換道超車”的關鍵一步。光計算芯片要實現規模化商用，需解決非線性計算、存算一體等難題，構建光電融合生態是一條必經之路。因此，光本位科技
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- 知情人士透露，法國反壟斷監管機構計劃對英偉達提出反競爭行為的指控，成為首個對英偉達采取反壟斷行動的國家。法國執法機構去年9月曾對顯卡行業進行突襲檢查，目的是獲取更多關于潛在濫用市場支配地位的信息。當時他們沒有確認該公司是英偉達，但英偉達后來承認，法國和其他機構正在審查其商業行為。知情人士說，去年這場突擊檢查是針對云計算行廣泛調查后的結果。作為全球最大的人工智能和計算機顯卡制造商，英偉達在生成式人工智能應用程序ChatGPT發布后，芯片需求激增，這引發了歐美的反壟斷機構嚴密關注。目前，法國監管機構和英偉達均
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- 7 月 2 日消息，聯發科全球營銷總經理兼副總裁芬巴爾?莫伊尼漢（Finbarr Moynihan）6 月末稱正與多家越南企業合作開發“越南制造”芯片。據越南媒體 Vietnam Investment Review 和 VnExpress 報道，莫伊尼漢在越南胡志明市的一場活動上表示：我們正在積極與越南半導體領域的多個合作伙伴合作。很快，我們將看到“越南制造”芯片服務于（越南）國內和國際市場。莫伊尼漢確認，雖然這些芯片的生產過程并非是在越南境內進行的，但芯片本身絕對是“越南制造”。聯發科在越南市場深耕多年
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- 《科創板日報》2日訊，消息稱谷歌下一代的Tensor G5芯片確定在臺積電投片并已經成功流片，預計采用3納米制程。 (DIGITIMES)。
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- IT之家 6 月 27 日消息，三星昨日（6 月 26 日）發布聲明，否認“三星代工業務 3nm 晶圓缺陷”的報道，認為這則傳聞“毫無根據”。此前有消息稱三星代工廠在量產第二代 3nm 工藝過程中發現缺陷，導致 2500 個批次（lots）被報廢，按照 12 英寸晶圓計算，相當于每月 65000 片晶圓，損失超過 1 萬億韓元（IT之家備注：當前約 52.34 億元人民幣）。三星駁斥了這一傳言，稱其“毫無根據”，仍在評估受影響生產線的產品現狀。業內人士認為，報道中的數字可能被夸大了，并指出三星的
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- 英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級工藝技術已在兩個工廠進入大批量生產，并提供了有關新生產節點的一些額外細節。新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應用。該節點針對的是英特爾自己的產品以及代工客戶。它還將在未來幾年內發展。英特爾代工技術開發副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛爾蘭的工廠進行大批量生產，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
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- 此前有報道稱，明年谷歌可能會改變策略，在用于Pixel
10系列的Tensor
G5上更換代工廠，改用臺積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯發科的SoC處于同一水平線。為了更好地進行過渡，谷歌將擴大在中國臺灣地區的研發中心。隨后泄露的數據庫信息表明，谷歌已經開始與臺積電展開合作，將Tensor
G5的樣品發送出去做驗證。據Wccftech報道，谷歌與臺積電已達成了一項協議，后者將為Pixel系列產品線生產完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
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- 6月23日消息，據媒體報道，Exynos 2500的良品率目前僅為20%，遠低于量產標準，但三星仍在積極尋求解決方案，以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機SoC，該工藝相較于前代4nm FinFET工藝，在能效和密度上預計有20%至30%的提升。然而，低良品率的問題可能導致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺，這將增加成本并可能影響產品定價。三星對Exynos 2500寄予厚望，該芯片在性能測試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
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- 據媒體報道，為滿足未來人工智能（AI）對算力的需求，臺積電正在研究一種新的先進芯片封裝方法，使用矩形基板，而不是傳統圓形晶圓，從而在每個晶圓上放置更多的芯片。多位知情人士表示，臺積電正在與設備和材料供應商合作開發這種新方法，不過商業化可能需要幾年時間。AI算力加速建設，國際大廠引領先進封裝技術持續迭代。華福證券表示，后摩爾時代來臨，先進封裝大放異彩。據Yole預測，2022-2028年先進封裝市場將以10.6%的年化復合增長率增至786億美元，且2028年先進封裝占封裝行業的比重預計將達到57.8%，先進
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- 據外媒報道，英特爾周三表示，其名為“Intel 3”的3nm制程技術已在俄勒岡州和愛爾蘭工廠開始大批量生產，并提供了有關新生產節點的一些額外細節。據介紹，新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的超高性能應用電壓。該節點既針對英特爾自己的產品，也針對代工客戶，將在未來幾年不斷發展。英特爾一直將Intel 3制造工藝定位于數據中心應用，這些應用需要通過改進的晶體管（與Intel 4相比）、降低晶體管通孔電阻的電源傳輸電路以及設計協同優化來實現尖端性能。生產節點支持<0.6V低壓以及&g
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- 國際半導體行業權威機構SEMI（國際半導體產業協會）發布的最新季度《世界晶圓廠預測報告》顯示，為了跟上芯片需求持續增長的步伐，全球半導體制造產能預計將在2024年增長6%，并在2025年實現7%的增長，達到每月晶圓產能3370萬片的歷史新高（以8英寸當量計算）。▲ 整體產能變化情況。圖源 SEMI行業習慣將7nm及以下的芯片劃分為先進制程，28nm及以上芯片為成熟制程。而最新的一輪擴產潮兩者均有涉及：一方面是來自AI算力需求的激增，以先進制程芯片的擴產最為明顯；另一方面是中國大陸廠商在成熟制程領域的集中擴
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- 6月17日，據臺媒《工商時報》報道，在產能供不應求的情況下，臺積電將針對3nm/5nm先進制程和先進封裝執行價格調漲。其中，3nm代工報價漲幅或在5%以上，而2025年度先進封裝報價也將上漲10~20%。
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- 6月16日消息，據媒體報道，隨著臺積電3納米供不應求，預期臺積電3納米訂單滿至2026年，NVIDIA、蘋果、AMD和高通等都在考慮提高AI硬件價格。在AI服務器、HPC應用與高階智能手機AI化驅動下，蘋果、高通、英偉達、AMD等四大廠傳大舉包下臺積電3納米家族制程產能，并涌現客戶排隊潮，一路排到2026年。業界認為，在客戶搶著預訂產能下，臺積3納米家族產能持續吃緊，將成為近二年常態。由于供不應求的局面，臺積電正在考慮將部分5納米設備轉換為支持3納米產能，預計月產能有望提升至12萬片至18萬片。盡管臺積電
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