- 隨著臺積電宣布全世界第一個 3 奈米制程的建廠計劃落腳臺灣南科之后，10 奈米以下個位數制程技術的競爭就正式進入白熱化的階段。 臺積電的對手三星 29 日也宣布，將開始導入 11 奈米的 FinFET，預計在 2018 年正式投產之外，也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線光刻設備。
根據三星表示，11 奈米 FinFET 制程技術「11LPP (Low Power Plus)」是現今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
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三星 FinFET
- FD SOI技術在物聯網蓬勃發展的大環境下，以其低功耗、集成射頻和存儲、高性能等優勢獲得業界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業的推動下，該產業鏈正逐步得到完善。此外，在中國大力發展集成電路的當口，FD-SOI技術還給中國企業帶去更多的發展空間和機遇，如何充分利用FD-SOI技術優勢，實現差異化創新成了眾IC設計企業的探討重點。此外，5G網絡與物聯網的不斷進化，對RF技術革新的強烈需求，對RF SOI技術帶來更廣大的市場前景。
FD SOI生態系統逐步完
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FinFET 物聯網
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務器系統處理器定制的量產14納米高性能(HP)技術。這項雙方共同開發的工藝專為IBM提供所需的超高性能和數據處理能力，從而在大數據和認知計算的時代為IBM的云、商業和企業解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產品。 14HP是業內唯一將三維FinFET晶體管架構結合在SOI襯底上的技術。該技術采用了17層金屬層結構，每個芯片上有80多億個晶體管，通過嵌入式動態隨機存儲器(DRAM)以及其它創新功能，達到比前代
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格芯 FinFET
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領先性能(12LP)的FinFET半導體制造工藝。該技術預計將提高當前代14納米 FinFET產品的密度和性能，同時滿足從人工智能、虛擬現實到高端智能手機、網絡基礎設施等最具計算密集型處理需求的應用。 這項全新的12LP技術與當前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產品競爭。這項技術
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格芯 FinFET
- 臺積電董事長張忠謀表示，摩爾定律可能還可再延續10年，3nm制程應該會出來，2nm則有不確定性，2nm之后就很難了。
張忠謀表示，1998年英特爾總裁貝瑞特來臺時，兩人曾針對摩爾定律還可延續多久進行討論，他當時回答還有15年，貝瑞特較謹慎回答，大概還有10年。
現在已經2017年，張忠謀表示，兩人當時的答案都錯了;他指出，目前大膽預測摩爾定律可能再有10年。
張忠謀表示，臺積電明年將生產7nm制程，5nm已研發差不多，一定會出來，3nm也已經做2至3年，看來也是會出來。
張忠謀
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3nm 2nm
- 極紫外光(EUV)微影設備無疑是半導體制程推向3nm的重大利器。這項每臺要價高達逾近億美元的尖端設備，由荷商ASML獨家生產供應，目前主要買家全球僅臺積電、三星、英特爾及格羅方德等大廠為主。
EUV設備賣價極高，原因是開發成本高，因此早期ASML為了分攤開發風險，還特別邀請臺積電、三星和英特爾三大廠入股，但隨著開發完成，臺積電后來全數出脫艾司摩爾股票，也獲利豐碩。
有別于過去半導體采用浸潤式曝光機，是在光源與晶圓中間加入水的原理，使波長縮短到193/132nm的微影技術，EUV微影設備是利
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臺積電 3nm
- 人工智能(AI)成為下世代科技發展重點，工研院 IEK 計劃副組長楊瑞臨表示，AI 終端載具數量將遠小于手機，半導體產業挑戰恐將增大，芯片業者應朝系統與服務領域發展。
工研院產業經濟與趨勢研究中心(IEK)計劃副組長楊瑞臨指出，人工智能大致可分為數據收集與決策兩部分;其中，數據收集方面，因需要大量運算，應在云端進行。
決策方面，目前各國仍以云端發展為主，楊瑞臨表示，未來決策能否改由終端執行，是各界視為臺灣發展 AI 的一大機會。
只是無人機、自駕車、機器人與虛擬現實(VR)/擴增實境
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AI 3nm
- 近期因限電危機，傳出臺積電3nm廠可能轉往美國投資，臺灣“行政院長”林全表示，「臺積電在臺灣投資3nm廠是必然的」，現在的問題只是落腳哪里。
林全表示，包括臺南、高雄都拚命爭取臺積3nm廠落腳。 相較于其他企業也有很好的投資案，但地方政府就沒有這么大的回響，或許和企業形象、經營成功度、員工待遇都有很大關系。
外界質疑政府只關愛臺積電一家公司，林全反駁，政府對企業是「一視同仁的，不會有差別待遇」。 他以臺塑為例表示，臺塑遇到最大的挫折就是環評被退回，因此他去年上任后就
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臺積電 3nm
- 隨著集成電路工藝制程技術的不斷發展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰。
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MOS FinFET
- 在這樣一個對數字電路處理有利的世界中，模擬技術更多地用來處理對它們不利的過程。但這個現象可能正在改變。 我們生活在一個模擬世界中，但數字技術已經成為主流技術。混合信號解決方案過去包含大量模擬數據，只需要少量的數字信號處理，這種方案已經遷移到系統應用中，在系統中第一次產生了模數轉換過程。 模擬技術衰落有幾個原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小，這有利于數字電路。但這對模擬晶體管的影響并不大，反而器件尺寸越小，模擬器件特性往往越差。器件的
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摩爾定律 FinFET
- 格芯今日宣布推出其具有7納米領先性能的(7LP)FinFET半導體技術，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、云服務器和網絡基礎設施等應用的需求。設計套件現已就緒，基于7LP技術的第一批客戶產品預計于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實現量產。 2016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無可比擬的技術積淀，來研發自己7納米FinFET技術的計劃。由于晶體管和工藝水平的進一步改進，7LP技術的表現遠優于最初的性能目標。與先前基于14納米FinFET技術的產品相比，預
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格芯 FinFET
- 大家都在談論FinFETmdash;mdash;可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人mdash;mdash;除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜（FDSOI）的人，都認為20 nm節點以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統開發人員而言，其未來會怎樣呢？
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SoC Synopsys FinFET
- 由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優點，ALD（原子層淀積）技術早從21世紀初即開始應用于半導體加工制造。DRAM電容的高k介電質沉積率先采用此技術，但近來ALD在其它半導體工藝領域也已發展出愈來愈廣泛的應用。
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ALD 半導體制造 FinFET PVD CVD
- 隨著高級工藝的演進，電路設計團隊在最先進的晶片上系統內加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設計挑戰。多重圖案拆分給設計實施過程帶來了許多重大布局限制，另外為降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶體管使之更加復雜，因為它對擺設和布線流程帶來了更多的限制。下面就隨模擬電子小編一起來了解一下相關內容吧。
FinFET布局和布線要經受各種挑戰
隨著高級工藝的演進，電路設計團隊在最先進的晶片上系統內加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設
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FinFET
- 英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動全新22納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程22 FFL，相關開發套件(PDK)在接下來幾個月也將陸續到位，市場上認為22 FFL的推出，顯然是針對GlobalFoundries等業者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動裝置及物聯網(IoT)應用所生產之同類芯片而來。
據EE Times Asia報導，英特爾稱自家22 FFL是市場上首款為低功耗IoT應用及移動裝置產品而開發出來的FinFET技術，能打造出高效能及低功耗的電晶體，漏電流(le
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英特爾 FinFET
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