- 繼網羅到蔣尚義這位臺灣半導體大將后，大陸半導體產業又有新動作。據報道，傳大陸行業領頭羊中芯國際要將梁孟松收入麾下，梁孟松或于 5 月出任中芯國際 CTO 或 COO。和蔣尚義一樣，梁孟松同樣來自臺積電技術研發高層，他曾任臺積電資深研發處長。
之前蔣尚義加入中芯時，已經是半導體行業的一枚重磅炸彈了，畢竟無論是從他 40 多年的行業經驗還是在臺積電的任職時間來看，他都堪稱元老。在臺積電，蔣尚義參與主導了從0.25微米、0.18微米直至16納米制程技術的研發，張忠謀曾感激他為“臺積電16年
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中芯國際 FinFET
- 臺積電13日的法說會中，針對近期兩大熱門議題：日本半導體大廠東芝NAND Flash部門競標案、先進制程3奈米晶圓廠的選址，一一對外界做最新的回覆。
自從臺積電董事長張忠謀公開表示，考慮參與日本半導體大廠東芝(Toshiba)競標案后，臺積電對該案的態度備受市場關注，尤其參與競標者又是鴻海、SK海力士(SK Hynix)、威騰(WD)等全球大廠。
臺積電13日指出，內部確實評估過該案，但最后決定不去參與競標，主要是兩大原因，第一，內部認為這種標準型記憶體的商業模式和邏輯產業很不一樣，第二是
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臺積電 3nm
- 晶圓代工龍頭臺積電正式將赴美國設立晶圓廠列入選項，且目標直指最先進且投資金額高達5000億元的3納米制程。臺灣地區媒體報道稱，臺積電3納米出走將撼動全球半導體江山。
擔憂臺灣代工基地空氣不佳、電力不穩
臺媒引述指出，臺積電政策轉向，主因是南科高雄園區路竹基地，環評作業完成時間可能無法配合臺積電需求，加上空氣品質及臺灣電力后續穩定不佳，也是干擾設廠的變數。
臺積電表示，南科高雄園區路竹基地也未排除在外，持續觀察，選地尚未決定。至于電力問題，臺積電重申，考慮設廠地點，水、電、土地、人才，
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英特爾 3nm
- 臺科技部長陳良基15日接受經濟日報專訪時表示,他上任后主動拜會臺積電董事長張忠謀等科技大老,對臺積電3納米計劃需求,政府將全力協助,也會特別關注半導體產業,并從近程及長期著手協助產業升級。
對于空污總量管制等環保要求,會否影響臺積電3納米進程,陳良基說:「我比較審慎樂觀。我有看到臺積電對3納米需求,水電、土地、空污等因應措施,并沒有不能解決的悲觀。」他并預言,以人工智能(AI)技術為主的沛星互動科技(Appier),十年后有可能成為另一個「臺積電」。
陳良基說,他跟張忠謀常碰面,上任后
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臺積電 3nm
- 潘文淵文教基金會日前舉行“潘文淵獎”頒獎典禮，2016年的得獎人是加州大學柏克萊分校講座教授胡正明，他曾回臺擔任臺積電首任技術長，也是工研院院士，他所研發的3D鰭式晶體管(FinFET)突破物理極限，堪稱半導體工業40多年來的最大變革。
胡正明目前仍深耕學術教育，為產學研界培育眾多優秀人才。 在頒獎典禮中，胡正明與清華大學前校長劉炯朗以“創新人才培育─邁向科技新世代”為題進行高峰論壇，兩人提出許多深具啟發性的見解。
肯定自己 解決問題就是創新
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FinFET
- 近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業界關注，為何?因為FD-SOI技術。
眾所周知，當柵極長度逼近20nm大關時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時代續命的高招。
盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，FinFET陣營占據絕對優勢。格羅方德是為數不多的FD-SOI技術堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。
今天我們就來談談Fi
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FinFET FD-SOI
- 中國半導體業發展可能關鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實去干，去解決一個一個難題。任何進步沒有捷徑，其中骨干企業的責任尤為重要。
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SOI finFET
- 2016年12月7日，高通宣布在服務器領域的最新進展：其首款10nm服務器芯片Qualcomm Centriq 2400開始商用送樣，預計在2017年下半年實現商用。作為Qualcomm Centriq系列的首款產品，Centriq 2400采用最先進的10nm FinFET制程技術，這也是全球首款10nm處理器芯片，最高可配置48個核心。
高通官方介紹，Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制內核——Qualcomm? Fa
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高通 FinFET
- 最近，中國微電子所集成電路先導工藝研發中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實現了全金屬化源漏(MSD)，能顯著降低源漏寄生電阻，從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍，使得驅動性能達到了國際先進水平。
基于本研究成果的論文被2016年IEEE國際電子器件大會(IEDM)接收，并在IEDM的關鍵分會場之一——硅基先導CMOS 工藝和制造技術(PMT)上，由張青竹
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FinFET 摩爾定律
- 由于技術和商業上的原因，摩爾定律也失去了效力，而且受制于光刻技術、硅材料的極限等因素，芯片制程提升很可能會遭遇瓶頸，這種情況下胡正明教授的FinFET研究就尤為重要。
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半導體 FinFET
- 格羅方德公司今天宣布，已證實運用14納米FinFET工藝在硅芯片上實現真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產品系列的一部分，FX-14? 具有56Gbps SerDes，致力于為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應對最嚴苛的長距離高性能應用需求而準備。 格羅方德56Gbps SerDes 內核同時支持 PAM4 和 NRZ 信號傳導，可補償超過35dB的插入損耗，因而無須在目前極
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格羅方德 FinFET
- 盡管距離國際標準化組織確定的2020年5G商用仍有3年時間之久，現在的4G網絡還有潛力挖掘和價值提升的空間，然而全球“大T”們(運營商)的發展焦點已經向5G轉移，紛紛從技術研發、標準制定、產業儲備等方面入手，對5G進行全面布局。
“預計2022年全球將有5.5億5G用戶，其中北美和亞太將成為發展最快的兩大地區。”鑒于全球運營商的積極行動，業界紛紛調高了對5G發展速度的預期，愛立信在近期發布的《移動市場報告》中就給出了2020年5.5億用戶的預期。
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三星 FinFET
- 半導體領域FinFET技術發明人胡正明說，由于半導體技術的突破，網際網路的速度和普及度還有千百倍的成長空間。
在中國大陸烏鎮舉行的第3屆世界互聯網大會，今年首次舉辦“世界互聯網領先科技成果發布活動”，由海內外網路專家組成的專家征集并評選出15項最尖端的技術成果和最具創新性的商業模式。胡正明及其率領的研究團隊，在半導體微型化的突破成就是其中之一。
胡正明率領的美國加州大學柏克萊分校團隊，將平面二維晶體管創新制作成垂直三維的“鰭式電晶體”，讓半導
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FinFET
- 大家都在談論FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20 nm節點以后，FinFET將成為SoC的未來。但
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SoC FinFET MOSFET
- 所有大型晶圓代工廠都已宣布 FinFET 技術為其最先進的工藝。Intel 在 22 nm 節點上采用該晶體管，TSMC 在其 16 nm 工藝上使用，而 Samsung 和 GlobalFoundries 則將其用于 14 nm 工藝中。
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