- 臺積電在8月14日宣布,公司董事會已批準了一項約45億美元的資本預算。未來將會使用該預算來修建新的晶圓廠,而現在中國臺灣媒體報道稱,臺積電計劃2020年開始建造3nm制程的晶圓廠,希望能夠在2022年實現3nm制程芯片的量產?! 「鶕_灣《經濟日報》的報道,臺灣相關部門通過了「臺南科學園區二期基地開發暨原一期基地變更計劃環差案」,這項議案主要是為了臺積電全新的晶圓制造廠而打造?! ?,臺積電計劃2020年開始建造最新的3nm制程的晶圓廠,同時最快可以在2022年實現對于3nm制程芯片的量產。目前臺積
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- 9日中芯國際集成電路制造有限公司公布截至2018年6月30日止第二季度的綜合經營業績。中芯國際第二季度銷售額為8.907億美元,與上一季度環比增長7.2%,與去年同比增長18.6%。欣喜的是,14納米FinFET制程開始進入到客戶導入階段,可以預見量產目標已不遙遠。14納米FinFET制程如果正式量產,對于中芯國際來說將是一個歷史性的時刻。不僅可以確保其遙遙領先于國內的競爭對手,更是可以拉近其和國際芯片大廠之間的距離?! 「鶕行緡H財報,第二季度不含技術授權收入(授權收入)確認的銷售額為8.379億
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中芯國際 14納米 FinFET
- 為了能夠充分發揮好工藝制程的功耗,性能和面積(PPA)上的優勢, 必須要求我們的設計人員將有相關工藝知識的設計戰略和優化的IP相結合,其中包括了標準
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FinFET synopsys
- 隨著高級工藝的演進,電路設計團隊在最先進的晶片上系統內加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時,他們同樣面臨許多新的設計挑戰。多重圖案拆分
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FinFET 布線
- 近日,德克薩斯州聯邦陪審團作出一項裁決:三星電子因侵犯韓國技術學院一項專利技術,需向后者支付賠償金或將高達4億美元。 據了解,韓國技術學院曾向法院提起訴訟,指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(FinFET)制程工藝相關的專利技術。然而三星向陪審團表示,它與韓國技術學院合作開發了這項技術,并否認侵犯了相關專利技術。三星還對這項專利的有效性提出了質疑。就在三星對此不屑一顧時,其對手英特爾公司開始向這項技術的發明者取得許可授權,圍繞三星是否侵權的力量博弈發生了改變,三星才開始重視這個事件的嚴重性。 據悉
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- 小小的芯片,看似簡單,卻充滿了科技之道。只有真的懂得制造工藝與應用原理,了解每一顆芯片生產背后的艱辛,才能看懂制造商從小處用心的美好。
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芯片 FinFET
- “半導體市場正在經歷由技術推動到需求推動的轉變。而半導體技術上的創新,可能讓半導體晶體管密度再增加1000倍,仍有巨大空間?!苯?,美國加州大學伯克利分校教授、國際微電子學家胡正明在接受集微網采訪時表示?! ∽?965年摩爾定律提出以來,歷經半個多世紀的發展,如今越來越遭遇挑戰,特別是新世紀以來,每隔十年,摩爾定律以及半導體的微型化似乎便會遭遇到可能終止的危機?! 『靼l明了鰭型晶體管(FinFET)以及「全耗盡型絕緣層上硅晶體管」(FD-SOI),兩大革命性創新為半導體帶來新契機。 2011年5月
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FinFET 7納米
- 在2018年,如果蘋果新一代產品應用7nm制程工藝的消息被確認,那么對于其競爭對手,或將成為一場腥風血雨;而對于整個產業來說,或將成為轉折點;對于我們消費者來說,當然是件好事情。
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- 為2D互連和3D硅穿孔封裝提供顛覆性濕沉積技術與化學材料的開發商與生產商aveni S.A.今日宣布,其已獲得成果可有力支持在先進互連的后段制程中,在5nm及以下技術節點可繼續使用銅?! 钢荡算~集成20周年之際,我們的研究結果證實了IBM研究員Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主題演講中所表達的意見:『銅集成可持續使用』。」aveni執行長Bruno Morel指出。 由于器件要滿足(和創
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aveni 3nm
- 目前晶圓代工市場三強分立,Intel、三星、臺積電都在積極備戰之中。而中國市場也是這些大佬的兵家必爭之地,擁有了中國市場便擁有了全世界。晶圓市場暗流涌動,鹿死誰手猶未可知。
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晶圓 3nm
- 摩爾定律的提出只為預測半導體行業的發展趨勢,但是隨著其在半導體行業的聲名鵲起,外界各行各業對于競相仿效。
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摩爾定律 3nm
- 近日,格芯2017技術大會(GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC)于上海舉行,格芯盛邀數百位半導體行業領導者、客戶、研究專家與核心媒體齊聚一堂,并精心為與會者準備了公司的核心業務、市場推進方向與創新成果,以及包括制程工藝、設計實現、IP、射頻以及生態圈的發展等方面的最新進展,共同聚焦格芯面向5G互聯時代的技術解決方案。作為格芯的年度技術盛會,本次大會格芯分享的技術主題十分廣泛,包括FDX?設計和生態系統、IoT,5G/網絡和汽車解決方案智能應用,FDX?、Fi
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GTC FDSOI FINFET 制程
- 臺積電創始人兼董事長張忠謀在近日的一次公司會議上披露,臺積電將在2020年開工建設3nm工藝晶圓廠,但不會去美國設廠,而是堅持留在中國臺灣本土,確切地說是在南部科技園區。
張忠謀提出,臺積電相信當地政府會解決好3nm工廠建設所需的水電土地問題,并提供全力協助。
按照張忠謀此前的說法,3nm工廠建設預計會花費超過200億美元,同時有望帶動相關供應商跟進建廠,拉動臺南地區經濟發展。
他沒有透露3nm工廠何時完工、新工藝何時量產,但即便不考慮額外困難和挑戰,最快也得是2023年的事兒了。
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3nm 晶圓
- 詳解先進的半導體工藝之FinFET-FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。
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FinFET 半導體工藝
- 10月7日,芯片代工廠臺積電宣布選址南科臺南園區興建3nm晶圓廠。據臺積電董事長張忠謀透漏,臺積電此次將投資約200億美元用于晶圓廠的建設,于2020年左右竣工,這也將成為全球首家3nm晶圓廠。
2016年末至2017年初,三星與臺積電先后推出10nm制程工藝,穩占手機芯片市場80%以上的市場份額。在這場角斗中,英特爾由于研發步伐稍微緩慢,錯失了市場先機。即使后來推出的10nm工藝遠超三星與臺積電,但是對于整體市場來說,并沒有太大影響。
臺積電面臨的局勢
臺積電主要客戶為蘋果、高通、
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