過去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學校都學過，它們主要適用于簡單集成電路技術中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預測與為優化器件所做的改變相關的現象。當今大多數功率器件不是橫向結構，而是垂直結構，它們使用多個摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變為溝槽型，引入了更復雜的結構，如超級結，并極大地改變了MOSFET的行為。基本Spice模型中提供的簡單器件結構沒有考慮所有這些非線性因素。現在，通過引入物理和可擴展建模技術，安森美(onsemi)使仿真精度
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功率器件 Spice模型 SiC 仿真
高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo?高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F280049 控制器。功率級尺寸 65 x 4
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TI GaN 圖騰柱 PFC TIDA-00961 FAQ
PC公司的氮化鎵專家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術如何增強消費電子產品的功能和性能?增強型氮化鎵(eGaN?)FET和IC領域的全球領導者宜普電源轉換公司(EPC)將在CES 2024展會展示其卓越的氮化鎵技術如何為消費電子產品在功能和性能方面做出貢獻 ，包括實現更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。CES展會期間，EPC的技術專家將于1月9日至12日在套房與客戶會面、進行技術交流、討論氮化鎵技術及其應用場景的最新發展。氮化鎵技術正在改變大批量消費應用的關鍵領域包括：推動人工智能
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宜普電源 CES 2024 氮化鎵 GaN
據“徐州高新發布”公眾號消息，12月18日，徐州高新區漢軒車規級功率器件制造項目開工建設。據悉，漢軒車規級功率器件制造項目總投資約15億元，占地面積68.8畝，總建筑面積約8萬平米，潔凈室面積1.4萬平米，滿足6到8英寸晶圓生產需求，是一座專注于車規級功率器件的晶圓代工廠。項目規劃VDMOS、SBD、FRD、SGT、IGBT、SIC MOS等多個工藝代工平臺，規劃月產能超過6萬片，年銷售收入約13.8億元。項目建成后將進一步完善高新區半導體產業鏈布局，有力推動車規級功率器件國產化進程。
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功率器件 汽車電子 晶圓制造
本系列文章將介紹安森美(onsemi)高邊SmartFET的結構和設計理念，可作為了解該器件在特定應用中如何工作的指南。范圍僅限于具有模擬電流檢測輸出的SmartFET。今天將為大家介紹SmartFET的熱響應，將簡要解讀產品數據表中公布的熱數據和曲線。了解熱網絡對于外部條件可能出現極端變化的汽車應用而言，了解并準確估計器件的熱響應是一個長期存在的挑戰。以瞬態或連續溫度波動形式表現的超過器件熱容量的熱過應力，是該領域中最常遇到的故障模式之一，尤其是功率器件，在其壽命期間經常觀察到這種瞬態。此外，隨著硅特征
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SmartFET 熱響應 功率器件
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規模、高質量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯氮化鎵場效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用CCP
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Nexperia SMD CCPAK GaN FET
常見的幾種功率半導體器件半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導體有多少了解呢？今天我們就從最基礎的半導體功率器件入手，全面了解半導體的“前世今生”。電力電子器件又稱為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數十至數千安，電壓為數百伏以上）電子器件。1、MCT? MOS控制晶閘管MCT是一種新型MOS與雙極復合型器件。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅動下MCT的功率、快開關速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結合在一起，形成大功率、高壓、快速全
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半導體 功率器件
在半導體行業，新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節能潛力可為實現長期的全球節能目標作出貢獻。寬禁帶技術將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數據中心、智能樓宇、個人電子設備等應用場景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓應用性能炸裂，怎么做到的？寬禁帶材料的優勢主要體現在：? 與傳統的硅基半導體材料相比，寬禁帶產品具有更寬更高的禁帶寬度、電場強度，更高的擊穿
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GaN 寬禁帶 SiC
Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奧地利，是設計和生產創新、用于陽臺的小型發電廠的先驅。EET公司選用了宜普電源轉換公司(EPC)的增強型氮化鎵(eGaN?)功率晶體管（EPC2204）, 用于其新型SolMate?綠色太陽能陽臺產品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實現了最佳折衷，這對于要求嚴格的硬開關應用至關重要，同時在緊湊的封裝中實現100 V的漏-源擊穿電壓。這種緊湊型設計顯著縮小了PCB的尺寸，保持較小的電流環路和最大限度地減少EMI。
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11月30日消息，日前，比亞迪半導體功率器件和傳感控制器件研發及產業化項目一期竣工。據了解，位于馬山街道的比亞迪半導體項目總投資100億元，用地417畝。項目建設年產72萬片功率器件產品和年產60億套光微電子產品生產線，達產后可實現年產值150億元。順應新能源汽車行業發展需求，一期項目研發生產的功率器件、傳感控制器件，均為新能源汽車核心器件。據相關人員介紹，比亞迪半導體項目預計42個月全部竣工。
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RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設計上有別于其它技術，有時設計具有一定挑戰性；但它的性能在許多應用中是獨特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術需要柵極負電壓工作。這曾經被視為負面的——此處“負面”和“負極”并非雙關語——但今天，有一些技術使這種柵極負壓操作變得微不足道。今天，我們擁有電源管理集成電路（PMIC）器件，可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電，以及PMIC所帶來更多其他優勢。我們將在下
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當地時間11月13日，沖電氣工業株式會社（OKI）與信越化學合作，宣布成功開發出一種技術，該技術使用OKI的CFB（晶體薄膜鍵合）技術，從信越化學特殊改進的QST（Qromis襯底技術）基板上僅剝離氮化鎵（GaN）功能層，并將其粘合到不同材料的基材該技術實現了GaN的垂直導電，有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業化做出貢獻。兩家公司將進一步合作開發垂直GaN功率器件，并與制造這些器件的公司合作，讓這些器件能應用到實際生產生活中。GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關注，尤其在1800
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氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。相比于生成工藝復雜的SiC，GaN的生成工藝相對成熟，可以制作成尺寸小巧的芯片封裝，因此非常適合在各種消費級和工業級開關功率應用。當然，相比SiC在高壓領域的出色表現，GaN在高壓的表現并不突出。因此，作為目前GaN市場占有率最高的Power Integrations（PI）創新地將GaN開關的耐壓上限提升到1250V，再次為GaN開關的應用填補了新的耐受電壓領域。 PI的PowiGaN已經在超過60個的市場應用中
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1250V PI PowiGaN GaN
加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業標準，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經驗證的高壓動態(開關)導通電阻可
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基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設計顯著提高了電機驅動系統的效率、扭矩而同時使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實現最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉換公司宣布推出三相BLDC電機驅動逆變器參考設計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V，可提供高達60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機驅動器，包括電動自行車、電動滑板車、無人
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EPC GaN FET 電機驅動器
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
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