每到盛夏，我國江浙沿海一帶就會出現電力緊張問題。因此，“高溫下保供電”便成為各地的主要方針。同時，隨著新能源汽車滲透率提升，電能供應的挑戰會越來越大。為了能夠更好地解決供電難題，多元融合高彈性電網成為電力能源領域的熱門概念，并已經得到了初步的落實。多元融合高彈性電網將分布式電源和儲能系統融入電網系統中，具有明顯的負載可調特性，有助于電力系統調度控制從傳統的“源隨荷動”向“源網荷儲友好互動”模式轉變。因此，在電網負荷不斷增大的情況下，多元融合高彈性電網具有重要的戰略意義。在多元融合高彈性電網構建的過程中，兩
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Mouser 功率器件
在今年的慕尼黑電子展上，全球領先的磁傳感器和功率IC解決方案廠商Allegro MicroSystems（以下簡稱Allegro）以強大的團隊和豐富而創新的解決方案迎接八方來客，充分展示了對中國市場的關注和承諾。 關注中國市場 在本次展會上，Allegro展出了面向清潔能源、數據中心、新能源汽車和自動駕駛、工業4.0和機器人等熱門應用的解決方案。Allegro MicroSystems全球銷售高級副總裁Max Glover表示，在磁傳感器和功率器件方面，Allegro擁有領先的技術和產品組合。按照產品劃分
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Allegro 磁傳感器 功率器件
隨著新能源汽車和電動飛機概念的興起，在可預見的未來里，電能都將會是人類社會發展的主要能源。然而，隨著電氣化在各行各業的滲透率不斷提升，每年全社會對電能的消耗量都是一個天文數字。比如在中國，根據國家能源局發布的數據，2022年全社會用電量86,372億千瓦時，同比增長3.6%；其中，高速發展的新能源汽車在整車制造方面，用電量大幅增長71.1%。圖1：全社會用電量統計（圖源：貿澤電子）各行業電氣化進程逐漸深入后，我們也必須要考慮到一個嚴峻的問題，那就是節能。當前，任何一種用電設備在設計之初，都會將高能效和低能
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Mouser 碳化硅 功率器件
據日經中文網，日本最大的半導體晶圓企業信越化學工業和從事ATM及通信設備的OKI開發出了以低成本制造使用氮化鎵(GaN)的功率半導體材料的技術。制造成本可以降至傳統制法的十分之一以下。如果能夠量產，用于快速充電器等用途廣泛，有利于普及。功率半導體裝入充電器、小型家電以及連接純電動汽車(EV)馬達與電池的控制裝置，用于控制電力等。如果使用GaN，可以控制大量的電力。根據TrendForce集邦咨詢研究報告顯示，全球GaN功率元件市場規模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率
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日本 GaN 材料 成本
_____減少碳排放的迫切需求推動了對電氣技術的投資，特別是數據中心和電動汽車領域。根據彭博社最新的電動汽車展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實現電氣化，預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續性的未來方面的重要意義。越來越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體取代開關模式電源和電機驅動器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來的，包括比硅器件更快
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寬禁帶 SiC GaN 雙脈沖測試
幾乎所有現代工業系統都會用到 AC/DC 電源，它從交流電網中獲取電能，并將其轉化為調節良好的直流電壓傳輸到電氣設備。隨著全球范圍內功耗的增加，AC/DC 電源轉換過程中的相關能源損耗成為電源設計人員整體能源成本計算的重要一環，對于電信和服務器等“耗電大戶”領域的設計人員來說更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個 100MW 數據
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ti GaN 圖騰柱 PFC 電源
【中國上海 – 2023年8月3日】氮化鎵功率半導體全球領導廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結盟，共同致力于加速并擴大氮化鎵功率半導體于電動車應用的發展。安世博能源科技為電源行業領導廠商，擁有完整電源供應器、電動車充電模塊及車載充電器產品解決方案。結合 GaN Systems 尖端的氮化鎵功率器件、在車用領域所累積的應用實績，與安世博能源科技在高功率電源系統設計及批量生產的卓越能力，此次策略合作將為中國電動車行業帶來突破性革新。氮化鎵功率半導體將在實現下世代電動車對尺寸微縮、輕
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GaN Systems 安世博 氮化鎵 電動車
2023年8月3日，中國 -意法半導體宣布已開始量產能夠簡化高效功率轉換系統設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER? GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統、工業電源、可再生能源發電、汽車電氣化等應用的性能。該系列先期推出的兩款產品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工業級650V常關G-HEMT? 晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時的典型導通電阻(RDS(on))分別為7
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意法半導體 PowerGaN 氮化鎵 GaN
幾乎所有現代工業系統都會用到 AC/DC 電源，它從交流電網中獲取電能，并將其轉化為調節良好的直流電壓傳輸到電氣設備。隨著全球范圍內功耗的增加，AC/DC 電源轉換過程中的相關能源損耗成為電源設計人員整體能源成本計算的重要一環，對于電信和服務器等“耗電大戶”領域的設計人員來說更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個 100MW 數據
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TI GaN PFC
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務器等工業設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開發出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實現可持續發展的社會，對消費電子和工業設備的電源提出了更高的節能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
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ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET
氮化鎵器件是第三代半導體中的典型代表，具有極快的開關速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時，極快的開關速度又對其動態特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會得到錯誤結果。傳統氮化鎵器件多用于消費類電子市場，研發高壓氮化鎵器件將有助于在電力電子、新能源和電動汽車行業開拓新的應用市場。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠家。這次測試的1200伏TO-252封裝的氮化鎵器件GPIHV15DK，在市場上具有標志性意義，傳統的氮化鎵功率器件最高電壓普
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GaN HEMT 功率器件 動態特性測試
汽車的智能化和電動化趨勢，勢必帶動車用半導體的價值量提升，其中功率半導體和模擬芯片便迎來了發展良機。先看功率半導體，車規功率半導體是新能源汽車的重要組件，無論整車企業還是功率半導體企業都在瞄準這一賽道。新能源汽車電池動力模塊都需要功率半導體，混合動力汽車的功率器件占比增至 40%，純電動汽車的功率器件占比增至 55%。再看車規模擬芯片，模擬芯片在汽車各個部分均有應用，包括車身、儀表、底盤、動力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車在充電樁、電池管理、車載充電、動力系統
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功率半導體 SiC GaN 模擬芯片
【2023年7月12日 – 中國上?！?月11日-13日，2023慕尼黑上海電子展在國家會展中心（上海）隆重舉行。全球領先的功率半導體供應商瑞能半導體（簡稱“瑞能”）攜豐富的產品組合亮相H7.2 C120展臺，覆蓋工業，光伏儲能以及新能源汽車相關方向的全域功率半導體解決方案升級呈現。產品戰略持續進階 引領產業鏈協同發展慕尼黑上海電子展作為2023年盛大的行業盛會，旨在順應電子行業發展趨勢和需求，本屆展會就吸引了1600多家上下游企業參展。作為行業知名的功率器件供應商，瑞能在本屆慕尼黑上海電子展突顯了強大的
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“現在的新車，只要能用碳化硅的地方，便不會再用傳統功率器件”。功率半導體大廠意法半導體（ST）曾以此言表達碳化硅于新能源汽車市場的重要性。當下，在全球半導體行業的逆流中，第三代半導體正閃爍著獨特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅定下注，一部關于第三代半導體的爭奪劇集已經開始上演。一、三代半方興未艾產業進入高速成長期近日，科學技術部黨組成員、副部長相里斌在2023中關村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產業進入下行周
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
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