cmos-ldo 文章最新資訊

如何使用LDO的VIOC特性來降低噪聲、優(yōu)化功耗？

在電源管理領(lǐng)域，低壓差(LDO)穩(wěn)壓器對(duì)確保電子元器件獲得高性能電源起著關(guān)鍵作用。LDO的低噪聲性能至關(guān)重要，尤其是在精密模擬電路、RF系統(tǒng)和醫(yī)療設(shè)備等噪聲敏感型應(yīng)用中，LDO可提供純凈的電源，有效降低干擾，增強(qiáng)信號(hào)完整性。LDO與電壓輸入至輸出控制(VIOC)功能及兼容的開關(guān)穩(wěn)壓器配合使用時(shí)，可形成一個(gè)始終維持最佳輸入輸出電壓差的系統(tǒng)。這種設(shè)計(jì)不僅能顯著降低噪聲，實(shí)現(xiàn)高電源電壓抑制比(PSRR)，還能確保系統(tǒng)高效運(yùn)行、受到保護(hù)且具備強(qiáng)大性能。本文深入探討了實(shí)現(xiàn)VIOC的復(fù)雜細(xì)節(jié)，并闡述了VIOC的優(yōu)勢(shì)和
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“安靜”LDO 采用獨(dú)特的架構(gòu)來降低噪聲并提升 PSRR

Linear Technology 推出的 LT3042 低壓差線性穩(wěn)壓器專為噪聲敏感型應(yīng)用的供電設(shè)計(jì)，該器件采用獨(dú)特架構(gòu)，能最大限度降低噪聲影響并優(yōu)化電源抑制比（PSRR）。要理解這款芯片的噪聲性能，首先需回顧電源的噪聲特性。許多模擬電路都需要低噪聲電源供電，以避免產(chǎn)生非預(yù)期的輸出信號(hào)誤差。電源產(chǎn)生的噪聲大小取決于器件本身及其輸出噪聲帶寬，噪聲的頻譜分布會(huì)隨頻率變化。因此，可通過對(duì)噪聲功率密度開方得到噪聲電壓密度，單位為伏 / 根號(hào)赫茲（V/√Hz）；也可通過對(duì)目標(biāo)頻段內(nèi)的所有噪聲功率求和，得到積分輸出
關(guān)鍵字： LT3042 低噪聲 LDO 電源抑制比

線性電源(4)LDO ≠ 線性電源

線性電源的結(jié)構(gòu)和原理（1）什么是LDOLDO是lowdropout regulator，意為低壓差線性穩(wěn)壓器，是相對(duì)于傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器來說的。傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器，如78xx系列的芯片都要求輸入電壓要比輸出電壓高出2v~3V以上，否則就不能正常工作。但是在一些情況下，這樣的條件顯然是太苛刻了，如5v轉(zhuǎn)3.3v,輸入與輸出的壓差只有1.7v，顯然是不滿足條件的。針對(duì)這種情況，才有了LDO類的電源轉(zhuǎn)換芯片。LDO=low dropout regulator，低壓差+線性+穩(wěn)壓器?！暗蛪翰睢保狠敵鰤航当容^低，例如輸
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ADI公司LDO的電容選擇指南

為什么電容的選擇至關(guān)重要？電容往往被人們所忽視。電容既沒有數(shù)十億計(jì)的晶體管，也沒有采用最新的亞微米制造工藝。在許多工程師的心目中，電容不過是兩個(gè)導(dǎo)體加上中間的隔離電解質(zhì)。總而言之，它們屬于最低級(jí)的電子元件之一。工程師們通常通過添加一些電容的辦法來解決噪聲問題。這是因?yàn)樗麄兤毡閷㈦娙菀暈榻鉀Q噪聲相關(guān)問題的“靈丹妙藥”，很少考慮電容和額定電壓以外的參數(shù)。但是，和其他電子元器件一樣，電容也有缺陷，例如寄生電阻、電感、電容溫漂和電壓偏移等非理想特性。為許多旁路應(yīng)用或電容實(shí)際容值非常重要的應(yīng)用選擇電容時(shí)，必須考慮上
關(guān)鍵字： ADI LDO 電容電容選擇德州儀器

IPERLITE任務(wù)上的IMEC高光譜傳感器

IPERLITE任務(wù)是一次在軌演示（IOD）飛行，旨在從510公里軌道展示下一代高光譜成像技術(shù)。IPERLITE任務(wù)的核心是由imec開發(fā)的高光譜傳感器，這是經(jīng)過多年ESA支持的研發(fā)成果，涉及多個(gè)比利時(shí)合作伙伴，并在早期CHIEM和CSIMBA項(xiàng)目基礎(chǔ)上進(jìn)一步發(fā)展。IPERLITE并非作為實(shí)際運(yùn)行衛(wèi)星，而是作為試驗(yàn)平臺(tái)——訪問農(nóng)業(yè)遺址并收集光譜數(shù)據(jù)，以評(píng)估其創(chuàng)新有效載荷在真實(shí)軌道條件下的性能。IPERLITE為日益增長(zhǎng)的緊湊型高光譜任務(wù)做出貢獻(xiàn)，這些任務(wù)旨在普及光譜數(shù)據(jù)的獲取，補(bǔ)充CHIME和SBG等大型
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CMOS 2.0 正在推進(jìn)半導(dǎo)體拓展極限

關(guān)鍵Imec在晶圓間混合鍵合和背面連接方面的突破正在推動(dòng)CMOS 2.0的發(fā)展，CMOS 2.0通過將片上系統(tǒng)（SoC）劃分為專門的功能層來優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)。CMOS 2.0 利用先進(jìn)的 3D 互連和背面供電網(wǎng)絡(luò) （BSPDN）來提高電源效率并實(shí)現(xiàn) SoC 內(nèi)不同功能的異構(gòu)堆疊。背面連接和 BSPDN 有助于晶圓兩側(cè)電源和信號(hào)的無縫集成，減少紅外壓降并增強(qiáng)移動(dòng) SoC 和其他應(yīng)用的整體性能。在快速發(fā)展的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，imec 最近在晶圓間混合鍵合和背面連接方面的突破正在為 CMOS 2.0 鋪平道路，這是
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汽車電子供電革命：Nexperia新一代車規(guī)LDO如何破解電源痛點(diǎn)

汽車智能化浪潮中，精密電子系統(tǒng)的供電質(zhì)量已成為性能分水嶺。全球半導(dǎo)體巨頭Nexperia推出的NEX90x30/15-Q100系列車規(guī)級(jí)低壓差穩(wěn)壓器（LDO），以 45V瞬態(tài)耐壓能力與 5.3μA超低靜態(tài)電流的雙重突破，攻克了傳統(tǒng)電源模塊在冷啟動(dòng)、啟停工況下的穩(wěn)定性難題。該產(chǎn)品系列通過AEC-Q100 Grade 1認(rèn)證，為ADAS域控制器、車載攝像頭等噪聲敏感系統(tǒng)構(gòu)建起堅(jiān)不可摧的"電力防線"。一、汽車電子供電的極境挑戰(zhàn)現(xiàn)代汽車電子系統(tǒng)面臨三
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走進(jìn)芯片：CMOS反相器

以一個(gè)實(shí)際的CMOS反相器實(shí)物為例，從逆向的角度出發(fā)，為大家簡(jiǎn)單介紹其在芯片中的具體呈現(xiàn)形式。通過這一過程，希望能夠幫助各位讀者在后續(xù)的逆向工程實(shí)踐中，快速而準(zhǔn)確地判斷出CMOS反相器，從而為深入分析芯片的整體架構(gòu)和功能奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。在芯片的微觀世界中，CMOS反相器通常由一個(gè)P型MOSFET和一個(gè)N型MOSFET組成。這兩個(gè)晶體管的源極和漏極分別相連，形成一個(gè)互補(bǔ)對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。當(dāng)輸入信號(hào)為低電平時(shí)，N型MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，而P型MOSFET則導(dǎo)通，電流從電源流向輸出端，使得輸出端呈現(xiàn)高電平；反之，
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Diodes 公司的高 PSRR LDO 可在噪聲敏感型應(yīng)用中降低噪聲和紋波

Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 宣布推出 AP7372 低噪聲低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器，用于為數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 (ADC、DAC)、電壓控制振蕩器 (VCO) 和鎖相環(huán) (PLL) 等精密元器件供電。AP7372 在寬頻率范圍內(nèi)的電源紋波抑制 (PSRR) 高達(dá) 90dB，而且輸出噪聲極低，僅為 8μVrms。這可幫助設(shè)計(jì)人員減少輸入源噪聲的影響，并滿足嚴(yán)格的輸出紋波和噪聲目標(biāo)。這對(duì)于測(cè)試和測(cè)量
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GlobalFoundries 與中國(guó)代工廠合作，進(jìn)行本地化汽車級(jí) CMOS 生產(chǎn)

盡管第三季度前景疲軟，受消費(fèi)者需求低迷影響，但 GlobalFoundries 正在中國(guó)采取大膽行動(dòng)。這家芯片制造商通過與新代工廠的新協(xié)議，正在加速其“中國(guó)為中國(guó)”戰(zhàn)略，首期將啟動(dòng)汽車級(jí) CMOS 和 BCD 技術(shù)，根據(jù)其新聞稿和 IT Home 的報(bào)道。如 IT之家所強(qiáng)調(diào)，并援引公司高管的話，目標(biāo)訂單來自在中國(guó)有需求的國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體公司——在轉(zhuǎn)移代工廠時(shí)，無需客戶重新開發(fā)或重新認(rèn)證其芯片設(shè)計(jì)。根據(jù)來自 Seeking Alpha 的財(cái)報(bào)記錄，
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CMOS 2.0：后納米芯片時(shí)代的分層邏輯

五十多年來，半導(dǎo)體行業(yè)一直依賴一個(gè)簡(jiǎn)單的方程式——縮小晶體管，在每片晶圓上封裝更多晶體管，并隨著成本的下降而看到性能飆升。雖然每個(gè)新節(jié)點(diǎn)在速度、能效和密度方面都提供了可預(yù)測(cè)的提升，但這個(gè)公式正在迅速耗盡。隨著晶體管接近個(gè)位數(shù)納米工藝，制造成本正在飆升，而不是下降。電力傳輸正在成為速度與熱控制的瓶頸，定義摩爾定律的自動(dòng)性能提升正在減少。為了保持進(jìn)步，芯片制造商已經(jīng)開始抬頭看——字面意思。他們不是將所有內(nèi)容都構(gòu)建在一個(gè)平面上，而是垂直堆疊邏輯、電源和內(nèi)存。雖然 2.5D 封裝已經(jīng)將其中一些投入生產(chǎn)，將芯片并排
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比LDO更安靜！新一代開關(guān)穩(wěn)壓器解鎖高速ADC全性能

摘要在5G基站、防務(wù)領(lǐng)域、精密儀器等對(duì)噪聲極度敏感的射頻系統(tǒng)中，電源噪聲直接影響信號(hào)完整性。傳統(tǒng)降壓+LDO的二級(jí)供電方案雖能降噪，卻面臨體積大、效率低、成本高的痛點(diǎn)。新型超低噪聲開關(guān)穩(wěn)壓器Silent Switcher? 3系列打破這一局限，憑借0.1Hz-100kHz頻段噪聲低于LDO的突破性性能，結(jié)合單級(jí)架構(gòu)優(yōu)勢(shì)，為射頻工程師提供了更緊湊、高效、經(jīng)濟(jì)的電源解決方案。本文通過鎖相環(huán)時(shí)鐘與高速ADC兩大案例，深入解析其如何平衡降噪需求與系統(tǒng)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。引言射頻(RF)系統(tǒng)對(duì)電源解決方案的噪聲性能提出了更嚴(yán)
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全局快門CMOS傳感器選型指南：從分辨率到HDR的終極考量

在高速視覺應(yīng)用的競(jìng)技場(chǎng)中，全局快門CMOS圖像傳感器扮演著關(guān)鍵角色。當(dāng)設(shè)計(jì)需要捕捉高速動(dòng)態(tài)場(chǎng)景的方案時(shí)，僅僅關(guān)注分辨率或幀率遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。傳感器的核心特性——尤其是其快門機(jī)制——直接決定了能否無失真地“凍結(jié)”瞬間。深入理解全局快門在高速環(huán)境下的優(yōu)勢(shì)，并權(quán)衡光學(xué)格式、動(dòng)態(tài)范圍、噪聲表現(xiàn)（SNR）、像素架構(gòu)，乃至功耗、接口、HDR處理能力等綜合特性，是選擇真正匹配高速需求的圖像傳感器的必經(jīng)之路。為了幫助篩選這些規(guī)格和功能，一個(gè)重要的考慮因素是傳感器的預(yù)期應(yīng)用。某些應(yīng)用需要非常高的分辨率來捕捉靜止物體，而另一些應(yīng)用
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這一領(lǐng)域芯片，重度依賴臺(tái)積電

英特爾和三星正在研發(fā)先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)的封裝技術(shù)，但目前所有大型廠商都已 100% 依賴臺(tái)積電。大型語言模型（例如 ChatGPT 等 LLM）正在推動(dòng)數(shù)據(jù)中心 AI 容量和性能的快速擴(kuò)展。更強(qiáng)大的 LLM 模型推動(dòng)了需求，并需要更多的計(jì)算能力。AI 數(shù)據(jù)中心需要 GPU/AI 加速器、交換機(jī)、CPU、存儲(chǔ)和 DRAM。目前，大約一半的半導(dǎo)體用于 AI 數(shù)據(jù)中心。到 2030 年，這一比例將會(huì)更高。臺(tái)積電在 AI 數(shù)據(jù)中心邏輯半導(dǎo)體領(lǐng)域幾乎占據(jù) 100% 的市場(chǎng)份額。臺(tái)積電生產(chǎn)：Nv
關(guān)鍵字： CMOS