- 據韓媒Theelec報道，在韓國首爾COEX舉行的「第8屆半導體產學研交流研討會」上，三星電子晶圓代工部門副社長申淙信表示，3納米以下制程中，設計與技術協同優化（DTCO）對效能提升的貢獻度將達到50%。這一技術正成為三星在先進制程競爭中的重要抓手。隨著摩爾定律持續推進，新一代制程開發成本不斷攀升，IC設計業者采用新制程的費用也隨之增加。傳統“設計、制程分離”的模式已難以滿足需求，而DTCO通過整合設計與制程優化，有效降低開發與導入風險，同時提升生產效率、優化成本結構，實現雙贏。申淙信指出，7納米制程中，
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三星 3納米 DTCO
- 一些芯片大廠近期宣布在其邏輯芯片的開發藍圖中導入晶背供電網絡（BSPDN）。比利時微電子研究中心（imec）于本文攜手硅智財公司Arm，介紹一種展示特定晶背供電網絡設計的設計技術協同優化（DTCO）方案，其中采用了奈米硅穿孔及埋入式電源軌來進行晶背布線。他們展示如何在高效能運算應用充分發揮該晶背供電網絡的潛力，并介紹在標準單元進行晶背連接的其它設計選擇，探察晶背直接供電方案所能發揮的最大微縮潛能。長久以來，訊號處理與供電網絡都在硅晶圓正面進行，晶背供電技術打破了這種傳統，把整個配電網絡都移到晶圓背面。硅穿
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晶背供電 DTCO 晶背連接
- 美國時間4月21日，應用材料公司舉辦了“全新微縮之旅”大師課。期間，我們重點討論了要在未來若干年內提升晶體管密度，芯片制造商正在尋求互補的兩條道路。其一是延續傳統的摩爾定律二維微縮，也就是使用EUV光刻和材料工程打造出更小的特征。另一條則是使用設計技術協同優化（DTCO）和三維技巧，對邏輯單元布局進行巧妙優化，這樣無需對光刻柵距進行任何更改即可增加密度。這篇博客我們將英文博客原文摘選，一起回顧下該堂大師課程的技術精髓。回顧二維微縮的發展眾所周知，傳統的摩爾定律二維微縮定義了半個多世紀以來芯片行業的技術發展
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摩爾定律 DTCO
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