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三星3納米以下制程中DTCO將成關(guān)鍵

作者: 時間:2025-10-30 來源: 收藏
據(jù)韓媒Theelec報道,在韓國首爾COEX舉行的「第8屆半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研交流研討會」上,電子晶圓代工部門副社長申淙信表示,以下制程中,設(shè)計與技術(shù)協(xié)同優(yōu)化()對效能提升的貢獻(xiàn)度將達(dá)到50%。這一技術(shù)正成為在先進(jìn)制程競爭中的重要抓手。
隨著摩爾定律持續(xù)推進(jìn),新一代制程開發(fā)成本不斷攀升,IC設(shè)計業(yè)者采用新制程的費(fèi)用也隨之增加。傳統(tǒng)“設(shè)計、制程分離”的模式已難以滿足需求,而通過整合設(shè)計與制程優(yōu)化,有效降低開發(fā)與導(dǎo)入風(fēng)險,同時提升生產(chǎn)效率、優(yōu)化成本結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)雙贏。
申淙信指出,7納米制程中,整體效能改善約10%得益于,而到以下制程,這一比例將提升至50%。目前,與臺積電均設(shè)有專門團(tuán)隊,推動DTCO在設(shè)計與制程中的應(yīng)用。
此外,從N節(jié)點(diǎn)到M節(jié)點(diǎn),效能提升與面積縮小幅度約為15%。在半導(dǎo)體制程領(lǐng)域,1~2%的效能差異足以成為選擇制程的重要標(biāo)準(zhǔn)。據(jù)Money Today等韓媒消息,三星晶圓代工已在2納米制程中導(dǎo)入Hyper cell技術(shù),這是DTCO過程中的核心技術(shù),旨在有限面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效能。
展望未來,DTCO將逐步擴(kuò)展為系統(tǒng)與制程共同優(yōu)化(SPCO)以及系統(tǒng)、設(shè)計與制程共同優(yōu)化(SDTCO)。三星還嘗試?yán)肁I自動生成新的單元結(jié)構(gòu),通過分析RTL合成后的電路結(jié)構(gòu),找出高頻組合,從而生成符合需求的復(fù)合單元,實(shí)現(xiàn)設(shè)計最佳化。



關(guān)鍵詞: 三星 3納米 DTCO

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