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euv設備 文章 最新資訊

SK海力士引入全球首臺High-NA EUV設備

  • 據SK海力士官方消息，2025年9月3日，該公司在韓國利川M16工廠成功引進了業界首款量產型高數值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV），并舉行了設備入廠慶祝儀式。此次引進的設備為荷蘭ASML公司開發的TWINSCAN EXE:5200B，是全球首款量產型High-NA EUV設備。相比現有EUV設備（NA 0.33），其光學性能（NA 0.55）提升了40%，能夠繪制精密度高達1.7倍的電路圖案，同時將芯片集成度提升2.9倍。這一技術突破將顯著推動半導體制造向更微細化和高集成度方向發展。SK海力士自
  • 關鍵字： SK海力士  High-NA  EUV設備  

2010決勝年　ASML 主攻38納米、EUV設備

  • 　　全球最大半導體微顯影設備業者ASML表示，目前客戶訂單增加相當多，但主是來自半導體業者制程微縮而非產能擴充的需求，半導體業者仍持續微縮半導體制程，摩爾定律預料將持續延續。以目前ASML最先進的浸潤式微顯影機種來看，新一代的機種NXT 1950i 也已于2009年下半出貨，未來將快速增加出貨，同時深紫外光(EUV)也至少囊括5套客戶訂單，對ASML來說2010年將是極重要的一年。 　　ASML NXT技術平臺資深經理Frank van de Mast指出，XT1900Hi的下一代機種NXT 1950i
  • 關鍵字： ASML  38納米  EUV設備  
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