- 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業電源系統中的高功率應用進行了優化。此前我們描述了M3S的一些關鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點介紹M3S產品的設計注意事項和使用技巧。寄生導通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結溫TJ(MAX) = 175°C時具有最低值。即使數據表中的典型V
- 關鍵字：
SiC MOSFET RSP
- 1 引 言
大多數接收機必須處理動態范圍很大的信號，這需要進行增益調整，以防止過載或某級產生互調，調整解調器的工作以優化工作。在現代無線電接收裝置中。可變增益放大器是電控的，并且當接收機中使用衰減器時，他們通常都是由可變電壓控制的連續衰減器。控制應該是平滑的并且與輸入的信號能量通常成對數關系(線性分貝)。在大多數情況下，由于衰落，AGC通常用來測量輸入解調器的信號電平，并且通過反饋控制電路把信號電平控制在要求的范同內。
2 系統總體設計
在本設計中，前端TD_SCDM
- 關鍵字：
TD_SCDMA AGC FPGA RSP IIR
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