- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)近日宣布,推出二合一結構的SiC模塊“DOT-247”,該產品非常適合光伏逆變器、UPS和半導體繼電器等工業設備的應用場景。新模塊保留了功率元器件中廣泛使用的“TO-247”的通用性,同時還能實現更高的設計靈活性和功率密度。目前,光伏逆變器雖以兩電平逆變器為主流產品,但為了滿足更高電壓需求,對三電平NPC、三電平T-NPC以及五電平ANPC等多電平電路的需求正在日益增長。這些電路的開關部分混合采用了半橋和共源等拓撲結構,因此若使用以往的SiC模塊進行適配,
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ROHM SiC模塊
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)近日宣布,推出4in1及6in1結構的SiC塑封型模塊“HSDIP20”。該系列產品非常適用于xEV(電動汽車)車載充電器(以下簡稱“OBC”)的PFC*1和LLC*2轉換器等應用。HSDIP20的產品陣容包括750V耐壓的6款機型(BSTxxx1P4K01)和1200V耐壓的7款機型(BSTxxx2P4K01)。通過將各種大功率應用的電路中所需的基本電路集成到小型模塊封裝中,可有效減少客戶的設計時間,而且有助于實現OBC等應用中電力變換電路的小型化。HS
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ROHM SiC模塊 車載充電器
- 壓縮機是汽車空調的一部分,它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體,再流經冷凝器,節流閥和蒸發器換熱,實現車內外的冷熱交換。傳統燃油車以發動機為動力,通過皮帶帶動壓縮機轉動。而新能源汽車脫離了發動機,以電池為動力,通過逆變電路驅動無刷直流電機,從而帶動壓縮機轉動,實現空調的冷熱交換功能。電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件,除了可以提高車廂內的環境舒適度(制冷,制熱)以外,對電驅動系統的溫度控制發揮著重要作用,對電池的使用壽命、充電速度和續航里程都至關重要。圖1 電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件電動壓縮機需
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202409 電動壓縮機 SiC模塊
- 在功率轉換中,效率和功率密度至關重要。每一個造成能量損失的因素都會產生熱量,并需要通過昂貴且耗能的冷卻系統來去除。軟開關技術與碳化硅(SiC)技術的結合為提升開關頻率提供了可能;從而能夠縮減暫存能量和用于平滑開關模式轉換器輸出無源元件的尺寸及數量,還為轉換器構建了減少發熱量并由此使用更小散熱片的基礎。對于傳統的硅基功率晶體管而言,一些效率和頻率上的改進得益于功率轉換器設計中從簡單硬開關向軟開關架構的轉變。這種工藝技術的變革之所以重要,是由于盡管硅技術在提高開關頻率和改善效率方面取得了長足進步,但SiC使得
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Qorvo 功率轉換 E1B SiC模塊
- 中國 北京,2024 年 2 月 29 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?(納斯達克代碼:QRVO)近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅(SiC)模塊,其中兩款為半橋配置,兩款為全橋配置,導通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動汽車充電站、儲能、工業電源和太陽能等應用。Qorvo SiC 電源產品線市場總監 Ramanan Natarajan 表示:“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET,從而簡化
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Qorvo 1200V SiC模塊 SiC
- 德國紐倫堡,PCIM 2023 – 2023年5月9日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日推出SCALE-iFlex? LT NTC系列IGBT/SiC模塊門極驅動器。新款門極驅動器適配于流行的100mmx140mm IGBT半橋模塊,例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2,以及耐壓在2300V以內的碳化硅(SiC)衍生模塊。SCALE-iFlex LT NTC驅動器可提供負溫度系數
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Power Integrations IGBT SiC模塊 門極驅動器
- 致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股近日宣布,其旗下世平推出基于安森美(onsemi)NXH010P120MNF1 SiC模塊和NCP51561隔離式雙通道柵極驅動器的5KW工業電源方案。圖示1-大聯大世平基于onsemi?SiC模塊的5KW工業電源方案的展示板圖工業用電在全社會電力消耗中占有很大比重,因此在節能減排的大背景下,提升工業電源的轉換效率、降低能源消耗是非常有必要的。而由于工業應用一般都具有較高的耗能需求,因此大都采用交流380V或交流480V的電源供電。在如此
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大聯大世平 onsemi SiC模塊 5KW工業電源
- 針對Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問題,給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法,并提供了具體的估算公式。以30 kW DC/DC變換器為研究對象,對功率模塊在不同工作頻率下的損耗進行了理論計算、PLECS仿真和試驗驗證對比分析。PLECS仿真和試驗驗證的結果不僅證明了估算公式的正確性,還直觀的體現了SiC和IGBT兩類模塊在不同開關頻率下工作的熱損耗趨勢。從文中可以看出,使用SiC替代IGBT可以顯著地提高變換器的工作頻率和功率密度。
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202301 Boost變換器 SiC模塊 IGBT模塊 熱損耗
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