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存儲價格現波動 全球存儲廠商2月迎接新挑戰

  • 1月最后一個交易日存儲價格突然受到AI需求可能緊縮的影響出現暴跌,雖然這波行情可能屬于短期震蕩,但這還是為很多存儲廠商亮麗的年報蒙上一層陰影
  • 關鍵字: 存儲  價格  存儲廠商  三星電子  SK 海力士  美光  

重組Solidigm,SK 海力士計劃建美國AI投資平臺

  • SK 海力士正在美國設立 AI Co. 以擴大其在美業務。
  • 關鍵字: SK 海力士  

消息稱SK海力士已拿下英偉達三分之二HBM4訂單

  • 1 月 28 日消息,據韓聯社報道,在今年圍繞下一代高帶寬內存(HBM)HBM4 供應的競爭讓半導體行業持續升溫之際,業內消息稱,SK 海力士已拿下最大客戶英偉達超過三分之二的訂單量。消息稱英偉達今年用于下一代 AI 平臺“Vera Rubin”等的 HBM4 需求中,約三分之二已分配給 SK 海力士,拿下了接近整體 70% 的供貨份額。這一數據相比此前市場預計 SK 海力士將供應英偉達 50% 以上 HBM4 的水平,明顯有所提升。去年年底,市場調研機構 Counterpoint 預測,今年全球 HBM
  • 關鍵字: SK  海力士  英偉達  HBM4  

OpenAI攜手AMD和三星設定新路線,試圖打破NVIDIA和SK AI芯片壟斷

  • - ChatGPT 開發商 OpenAI 將于 2026 年推出- AMD 正式宣布大規模采用下一代 AI 芯片。- 郭明錤:“三星將為 MI450 提供 HBM4。- NVIDIA 和 SK 海力士聯盟面臨挑戰主導人工智能(AI)半導體市場的 NVIDIA 大本營出現了裂縫。開創AI時代的ChatGPT開發商OpenAI決定量產AMD的下一代AI加速器,該加速器被認為是NVIDIA的唯一競爭對手。下一代AI芯片的核心部件是HBM4(第6代高帶寬內存)。三星電子(005930)有觀察稱,英偉達將作為主要供
  • 關鍵字: OpenAI  AMD  三星  NVIDIA  SK  AI芯片  

SK Keyfoundry推出先進多層厚金屬間電介質電容工藝

  • Source: Getty image /Sefa ozel韓國8英寸純晶圓代工廠SK Keyfoundry日前公布了其用于電容器的多層厚金屬間電介質(IMD)工藝,該工藝具有高擊穿電壓特性,這一特性不僅有助于提升半導體器件的安全性、可靠性與使用壽命,同時還能增強抗噪聲能力。該工藝可支持堆疊多達三層金屬間電介質,在金屬—絕緣體—金屬結構中,總厚度最高可達到18微米(μm)。這可提供高達19,000伏特的高擊穿電壓特性,并有效提升電容性能。預計該技術將用于制造數字隔離專用電容器,以及用于抑制電子電路中電容耦
  • 關鍵字: SK Keyfoundry  電介質  電容工藝  

消息稱 SK 海力士將獨家供應英偉達 12 層 HBM3E 芯片

  • 3 月 18 日消息,據臺媒 digitimes 今日消息,SK 海力士預計將獨家供應英偉達 Blackwell Ultra 架構芯片第五代 12 層 HBM3E,預期與三星電子、美光的差距將進一步拉大。SK 海力士于去年 9 月全球率先開始量產 12 層 HBM3E 芯片,實現了最大 36GB 容量。12 層 HBM3E的運行速度可達 9.6Gbps,在搭載四個 HBM 的 GPU 上運行‘Llama 3 70B’大語言模型時每秒可讀取 35 次 700 億個整體參數的水平。去年 11 月,SK
  • 關鍵字: SK  海力士  英偉達  HBM3E 芯片  

全球電動汽車需求下滑,韓國電池三巨頭產能利用率暴跌

  • 1 月 2 日消息,韓媒 Business Korea 今天(1 月 2 日)發布博文,受全球電動汽車需求下滑影響,LG Energy Solution、三星 SDI 和 SK On 韓國三大電池企業的工廠利用率大幅下降,企業紛紛采取應對策略以應對市場挑戰。LG Energy Solution 位于美國亞利桑那州的工廠透視圖,圖源:LG Energy Solution據 12 月 30 日行業報告,LG Energy Solution 今年第三季度平均工廠利用率為 60%,較去年同期的 73% 顯著下
  • 關鍵字: 電動汽車  韓國電池  LG Energy Solution  三星 SDI  SK On  

消息稱三星和 SK 海力士達成合作,聯手推動 LPDDR6-PIM 內存

  • 12 月 3 日消息,據韓媒 Business Korea 昨日報道,三星電子和 SK 海力士正在合作標準化 LPDDR6-PIM 內存產品。該合作伙伴關系旨在加快專門用于人工智能(AI)的低功耗存儲器標準化。報道提到,兩家公司已經確定,有必要建立聯盟,以使下一代存儲器符合這一趨勢。報道還稱,三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段,正在進行向聯合電子設備工程委員會(JEDEC)注冊標準化的初步工作。目前正在討論每一個需要標準化項目的適當規格?!?圖源三星PIM 內存技術是一種將存儲和計
  • 關鍵字: 三星電子  SK 海力士  內存  

消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業務規模,全力聚焦 HBM 等高利潤產品

  • 10 月 17 日消息,據韓媒 ZDNET Korea 當地時間昨日報道,SK 海力士正縮減 CIS (注:即 CMOS 圖像傳感器)等次要業務規模,全力聚焦高利潤產品 HBM 以及 CXL 內存、PIM、AI SSD 等新興增長點。SK 海力士今年減少了對 CIS 業務的研發投資,同時月產能已低于 7000 片 12 英寸晶圓,不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場三大巨頭索尼、三星、豪威共占據 3/4 市場份額,SK 海力士僅以 4% 排在第六位,遠遠落后于競爭對手。同時,SK 海力
  • 關鍵字: SK 海力士  CIS  HBM  內存  

SK電信將在首爾開設AI數據中心 全部配套英偉達GPU

  • 韓國最大電信運營商SK電信周三(8月21日)稱,將與美國GPU云服務公司Lambda合作,于今年12月在首爾江南區開設一家人工智能(AI)數據中心,該設施將以英偉達先進的圖形處理器(GPU)為基礎。目前,雙方已簽署了人工智能云服務合作協議,將通過戰略合作擴大GPU即服務(GPUaaS)業務,并奠定Lambda在韓國的立足點。Lambda成立于2012年,為尋求訓練人工智能大模型的公司提供云、本地和咨詢服務。目前Lambda的平臺可以訪問英偉達公司的大型GPU集群。所謂的GPUaaS服務,就是幫助企業客戶通
  • 關鍵字: SK  電信  AI  數據中心  英偉達  GPU  

SK 海力士加大環保投入,在芯片生產工藝中使用氟氣替代三氟化氮

  • 7 月 25 日消息,SK 海力士宣布將在芯片生產清洗工藝中使用更環保的氣體 —— 氟氣(F2)。SK 海力士 2024 可持續發展報告顯示,該公司原先將三氟化氮(NF3)用于芯片生產過程中的清洗工藝,用于去除沉積過程中腔室內部形成的殘留物,其全球變暖潛能值(GWP)顯著高于氟氣(NF3的 GWP 為 17200,而 F2為 0)。除此之外,SK 海力士還進一步增加了氫氟酸(HF)的使用量(可用于低溫蝕刻設備),該氣體的 GWP 為 1 甚至更低,遠低于過去用于 NAND 通道孔蝕刻的氟碳氣體。
  • 關鍵字: SK  海力士  芯片  生產工藝  氟氣  三氟化氮  

【電動車和能效亮點】Sakuu和SK On合作推動電動汽車的電池制造

  • Source: Zhihao/via Getty Images總部位于美國加州硅谷的Sakuu是一家專注于為電池制造行業提供商業化設備和技術的公司,該公司日前已與韓國電動汽車電池供應商SK On簽訂了一份聯合開發協議。此次合作彰顯了兩家公司通過推動電池制造創新以解決當前行業挑戰的堅定承諾,并為下一代解決方案的發展奠定了堅實基礎。作為此次合作的一部分,兩家企業將攜手推進Sakuu干法制造工藝平臺Kavian的工業化進程。Sakuu干法制造工藝平臺Kavian有助于電池供應商轉變其業務運營模式。該公司表示,使
  • 關鍵字: Sakuu  SK On  電動汽車電池  

SK海力士將在HBM生產中采用混合鍵合技術

  • 《科創板日報》17日訊,SK海力士計劃于2026年在其HBM生產中采用混合鍵合,目前半導體封裝公司Genesem已提供兩臺下一代混合鍵合設備安裝在SK海力士的試驗工廠,用于測試混合鍵合工藝?;旌湘I合取消了銅焊盤之間使用的凸塊和銅柱,并直接鍵合焊盤,這意味著芯片制造商可以裝入更多芯片進行堆疊,并增加帶寬。
  • 關鍵字: SK  海力士  HBM  混合鍵合技術  

英偉達、臺積電和 SK 海力士深化三角聯盟:HBM4 內存2026年量產

  • 7 月 13 日消息,韓媒 businesskorea 報道,英偉達、臺積電和 SK 海力士將組建“三角聯盟”,為迎接 AI 時代共同推進 HBM4 等下一代技術。SEMI 計劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動(其影響力可以認為是半導體行業的 CES 大展),包括臺積電在內的 1000 多家公司將展示最新的半導體設備和技術,促進了合作與創新。預計這次會議的主要焦點是下一代 HBM,特別是革命性的 HBM4 內存,它將開啟市場的新紀元。IT之家援引該媒體報道,SK 海力士總裁 Kim Joo-
  • 關鍵字: 英偉達  臺積電  SK  海力士深  HBM4  內存  

消息稱三星電子、SK 海力士分別考慮申請 5/3 萬億韓元低息貸款,擴張運營

  • IT之家 7 月 1 日消息,據《韓國經濟日報》報道,三星電子、SK 海力士分別考慮向韓國產業銀行申請 5 萬億和 3 萬億韓元(IT之家備注:當前分別約 263.8 / 158.28 億元人民幣)低息貸款,用于業務擴張。韓國產業銀行由韓國政府全資控股,是韓國唯一的政策性金融機構,主要為韓國國家經濟發展提供長期資金。韓國企劃和財政部此前公布了“半導體生態系統綜合支持計劃”。作為該計劃的一部分,韓國產業銀行將向半導體企業發放 17 萬億韓元低息貸款,其中大企業可獲得 0.8~1% 利率折讓,而中小
  • 關鍵字: 三星電子  SK 海力士  
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