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stt-mram 文章 最新資訊

自旋芯片與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室發(fā)布全球首款單片容量4 Mb全功能SOT-MRAM芯片

  • 本次技術(shù)突破有力推動(dòng)了 SOT-MRAM 技術(shù)的發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。在 2025 年 12 月 13 日至 15 日召開(kāi)的「第一屆自旋芯片與技術(shù)研討會(huì)」上，自旋芯片與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室發(fā)布了全球首款單片容量達(dá)到 4 Mb 的全功能第三代 MRAM 芯片——SOT-MRAM 芯片，這也是全球第一款 Mb 容量的垂直磁化 SOT-MRAM 芯片。磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）是一種基于磁電阻效應(yīng)的新型非易失性存儲(chǔ)器，其最大特點(diǎn)是能同時(shí)兼具高速、低功耗、抗輻射、近乎無(wú)限的可重寫(xiě)次數(shù)、掉電信息不丟失等優(yōu)勢(shì)，
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2025年MRAM全球創(chuàng)新論壇將展示MRAM技術(shù)創(chuàng)新、進(jìn)展及行業(yè)專家的研究成果

  • MRAM全球創(chuàng)新論壇是行業(yè)內(nèi)磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）技術(shù)的頂級(jí)平臺(tái)，匯聚了來(lái)自業(yè)界和學(xué)術(shù)界的頂尖磁學(xué)專家與研究人員，共同分享MRAM的最新進(jìn)展。今年已是第13屆，這一為期一天的年度會(huì)議將于2025年12月11日IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）之后的第二天，上午8：45至下午6點(diǎn)在舊金山聯(lián)合廣場(chǎng)希爾頓酒店帝國(guó)宴會(huì)廳A/B舉行。2025年MRAM技術(shù)項(xiàng)目包括12場(chǎng)由全球頂尖MRAM專家邀請(qǐng)的演講，以及一個(gè)晚間小組討論。這些項(xiàng)目將聚焦于技術(shù)開(kāi)發(fā)、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、工具開(kāi)發(fā)及其他探索性話題。MRAM技術(shù)是一種非
  • 關(guān)鍵字： MRAM  存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新  2025 創(chuàng)新論壇  

瑞薩電子超高算力RA8系列新增兩款MCU產(chǎn)品，搭載1GHz雙核7300 CoreMark跑分及嵌入式MRAM技術(shù)

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出RA8M2和RA8D2微控制器（MCU）產(chǎn)品。全新MCU產(chǎn)品基于1GHz Arm? Cortex?-M85處理器（可選配250MHz Arm? Cortex?-M33處理器），以7300 CoreMark的原始計(jì)算性能刷新行業(yè)基準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的計(jì)算效能。可選配的Cortex?-M33處理器有助于實(shí)現(xiàn)高效的系統(tǒng)分區(qū)和任務(wù)隔離。RA8M2與RA8D2同屬RA8系列第二代超高性能MCU——RA8M2為通用型產(chǎn)品，RA8D2 MCU則集成多種高端圖形外設(shè)。它們與瑞薩今
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  MCU  MRAM  

特斯拉集團(tuán)與SRAM & MRAM攜手建設(shè)全球電動(dòng)汽車電池超級(jí)工廠

  • 據(jù)印度報(bào)業(yè)托拉斯報(bào)道，為大力推動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）電池制造發(fā)展，特斯拉集團(tuán)與SRAM & MRAM集團(tuán)日前達(dá)成一項(xiàng)價(jià)值10億美元的里程碑式合作協(xié)議。此次合作不僅計(jì)劃在印度建設(shè)5座先進(jìn)的電動(dòng)汽車電池超級(jí)工廠，還將在包括美國(guó)、馬來(lái)西亞、阿曼、巴西、阿聯(lián)酋（UAE）和柬埔寨等另外15個(gè)國(guó)家部署生產(chǎn)網(wǎng)絡(luò)。SRAM & MRAM集團(tuán)董事長(zhǎng)Sailesh L Hiranandani強(qiáng)調(diào)了此次合作的重大意義，他表示，雙方將打造全球規(guī)模最大的電動(dòng)汽車電池制造與儲(chǔ)能供應(yīng)鏈之一。這一舉措體現(xiàn)了各方對(duì)可持續(xù)能源解
  • 關(guān)鍵字： 特斯拉  SRAM & MRAM  電動(dòng)汽車電池  超級(jí)工廠  

新興存儲(chǔ)，開(kāi)始走嵌入式路線

  • 新興內(nèi)存已不再只是未來(lái)的前景。在嵌入式系統(tǒng)中，它正在成為現(xiàn)實(shí)。
  • 關(guān)鍵字： MRAM  ReRAM  FeRAM  PCM  

臺(tái)積電計(jì)劃建立首個(gè)歐洲設(shè)計(jì)中心瞄準(zhǔn)5納米車用MRAM

  • TSMC 將在歐洲建立其第一個(gè)設(shè)計(jì)中心，并正在尋求汽車應(yīng)用內(nèi)存技術(shù)的重大飛躍。歐盟設(shè)計(jì)中心 （EUDC） 將設(shè)在慕尼黑，預(yù)計(jì)將專注于汽車，但也將支持工業(yè)應(yīng)用、人工智能 （AI）、電信和物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 的芯片設(shè)計(jì)。考慮到這一點(diǎn)，臺(tái)積電已對(duì)其 28nm 電阻式 RRAM 存儲(chǔ)器進(jìn)行了汽車應(yīng)用認(rèn)證，預(yù)計(jì) 12nm 版本將滿足同樣嚴(yán)格的汽車質(zhì)量要求，并計(jì)劃推出 6nm 版本。它還計(jì)劃推出 5nm MRAM 磁性存儲(chǔ)器。與 MRAM 一起，RRAM 是 16nm 以下工藝技術(shù)上閃存的關(guān)鍵替代品。臺(tái)積電的 22
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  5納米  MRAM  

從閃存到MRAM：滿足現(xiàn)代FPGA配置的需求

  • 在技術(shù)飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和汽車應(yīng)用正在重新定義人們對(duì)現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來(lái)存儲(chǔ)配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應(yīng)用；然而，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及對(duì)更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲(chǔ)選項(xiàng)。這種轉(zhuǎn)變的催化劑在于應(yīng)用和行業(yè)的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應(yīng)用的極限，要求在數(shù)據(jù)完整性、系統(tǒng)耐用性和運(yùn)行效率等方面更進(jìn)一步。現(xiàn)代應(yīng)用需要更先進(jìn)的功能1.更高的耐用性和可靠性：高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)和先進(jìn)的互連航空電子技術(shù)等應(yīng)用
  • 關(guān)鍵字： 閃存  MRAM  FPGA  萊迪思  

IMEC，加碼MRAM

  • 不只是 imec，當(dāng)下諸多研究機(jī)構(gòu)紛紛表示，看好 MRAM。
  • 關(guān)鍵字： MRAM  

一種新型存儲(chǔ)技術(shù)問(wèn)世

  • 大阪大學(xué)的研究人員介紹了一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，可以降低現(xiàn)代存儲(chǔ)設(shè)備的功耗。
  • 關(guān)鍵字： 磁阻RAM  MRAM  

鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

  • 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項(xiàng)創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國(guó)舊金山舉行的IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來(lái)計(jì)算和存儲(chǔ)系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù)：氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開(kāi)發(fā)，通過(guò)改進(jìn)制造工藝，開(kāi)發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高容量交叉點(diǎn)MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
  • 關(guān)鍵字： 鎧俠  存儲(chǔ)技術(shù)  DRAM  MRAM  3D堆疊  

【供應(yīng)商亮點(diǎn)】Everspin與Lucid Motors攜手，將MRAM技術(shù)集成至Gravity SUV車型

  • Source:Getty/kaptnal專注于磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）解決方案的美國(guó)企業(yè)Everspin Technologies日前宣布將與Lucid Motors合作，在Lucid即將推出的Gravity電動(dòng)運(yùn)動(dòng)型多用途車中使用其PERSYST MRAM產(chǎn)品。Everspin旗下PERSYST產(chǎn)品線中的一款256Kb串行MRAM產(chǎn)品——MR25H256A，將被集成至Lucid的Gravity SUV車型中。Lucid之所以選擇Everspin的MR25H256A MRAM型號(hào)，是因?yàn)樗軌蛟谳^寬
  • 關(guān)鍵字： Everspin  Lucid Motors  MRAM  Gravity  SUV車型  

MRAM，新興的黑馬

  • 1956 年，IBM 推出世界上第一個(gè)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器——RAMAC 305，可以存儲(chǔ) 5MB 的數(shù)據(jù)，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤(pán)體積巨大如同兩臺(tái)冰箱，重量超過(guò)一噸，但是卻標(biāo)志著磁盤(pán)存儲(chǔ)時(shí)代的開(kāi)始。此后，隨著科技的進(jìn)步，內(nèi)存技術(shù)逐漸發(fā)展。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），具有較快的讀寫(xiě)速度，能夠滿足計(jì)算機(jī)系統(tǒng)在運(yùn)行過(guò)程中對(duì)數(shù)據(jù)的快速存取需求。固態(tài)硬盤(pán)（SSD）以其高速的讀寫(xiě)性能、低功耗和抗震動(dòng)等優(yōu)點(diǎn)，逐漸取代傳統(tǒng)磁盤(pán)成為主流存儲(chǔ)設(shè)備之一。存儲(chǔ)技術(shù)仍舊在持續(xù)發(fā)展，近年來(lái)新型存儲(chǔ)技術(shù)如雨后春筍般涌現(xiàn)，諸如相
  • 關(guān)鍵字： 磁變存儲(chǔ)器  MRAM  

生成式人工智能音頻快速發(fā)展：高信噪比MEMS麥克風(fēng)功不可沒(méi)

  • 最新一代人工智能或?qū)㈤_(kāi)啟新一輪科技革命，全面提升各種人機(jī)交互體驗(yàn)。人工智能日益融入人們的日常生活，在方方面面帶來(lái)深刻變化。基于人工智能的文本和圖像生成工具可以創(chuàng)建出令人難以置信的內(nèi)容。不僅如此，人工智能的觸角已從視覺(jué)和文字媒介，伸向語(yǔ)音轉(zhuǎn)文字（STT）和自然語(yǔ)言處理（NLP）等音頻應(yīng)用，展現(xiàn)出巨大潛力。然而，音頻應(yīng)用質(zhì)量大幅提高是否僅僅歸功于最新一代基于大語(yǔ)言模型的生成式人工智能？還是說(shuō)硬件依然功不可沒(méi)？就拿高信噪比（SNR）微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）麥克風(fēng)來(lái)說(shuō)，它為實(shí)現(xiàn)這種必將改變?nèi)藗內(nèi)粘Ｉ畹男沦|(zhì)人機(jī)交互
  • 關(guān)鍵字： NLP  STT  SNR  MEMS  麥克風(fēng)  

臺(tái)積電新型存儲(chǔ)技術(shù)問(wèn)世，功耗僅為同類技術(shù)的1%

  • 臺(tái)積電利用其自身先進(jìn)的制程優(yōu)勢(shì)，正在積極推動(dòng)新型存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
  • 關(guān)鍵字： MRAM  

MRAM：RAM和NAND再遇強(qiáng)敵

  • M 是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，通過(guò)磁致電阻的變化來(lái)表示二進(jìn)制中的 0 和 1，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。由于產(chǎn)品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數(shù)據(jù)信息，并擁有不遜色于 DRAM 內(nèi)存的容量密度和使用壽命，平均能耗也遠(yuǎn)低于 DRAM。被大廠看好的未來(lái)之星，非它莫屬。三星：新里程碑目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002 年三星宣布研發(fā) MRAM，2005 年三星率先研究 STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對(duì) MRAM 的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的 MRAM 研發(fā)逐漸走向低調(diào)。20
  • 關(guān)鍵字： MRAM  
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