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富士通加入軟銀-英特爾Saimemory項目，打造HBM替代方案
- 這項耗資5200萬美元的開發(fā)項目目標是在本世紀末前完成批量生產(chǎn)。 軟銀將向Saimemory出資2000萬美元。富士通和日本理研國立研究院將出資700萬美元。日本政府預(yù)計還將補貼部分費用。Saimemory旨在開發(fā)存儲容量為HBM的2到3倍，且功耗減半且價格相當或更低的內(nèi)存。它將使用英特爾和東京大學的知識產(chǎn)權(quán)和專利。新興電氣工業(yè)和Powerchip半導(dǎo)體負責制造和原型制作。英特爾將提供由DARPA資助開發(fā)的堆疊技術(shù)。Saimemory的方法是利用新穎的互聯(lián)技術(shù)堆疊標準DRAM芯片。另一家采用相同
- 關(guān)鍵字： 富士通 軟銀 英特爾 Saimemory HBM 替代方案
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