這項耗資5200萬美元的開發項目目標是在本世紀末前完成批量生產。 

軟銀將向Saimemory出資2000萬美元。富士通和日本理研國立研究院將出資700萬美元。日本政府預計還將補貼部分費用。

Saimemory旨在開發存儲容量為HBM的2到3倍，且功耗減半且價格相當或更低的內存。

它將使用英特爾和東京大學的知識產權和專利。新興電氣工業和Powerchip半導體負責制造和原型制作。英特爾將提供由DARPA資助開發的堆疊技術。

Saimemory的方法是利用新穎的互聯技術堆疊標準DRAM芯片。

另一家采用相同方法的公司是NEO Semiconductor，而上周，英偉達向Groq支付了200億美元，開發了AI推理集成電路技術，消除了對高密度磁體的必要。