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asml 文章 最新資訊

英特爾與ASML達(dá)成協(xié)議開發(fā)下一代半導(dǎo)體關(guān)鍵制造技術(shù)

  • 英特爾公司日前宣布與ASML控股公司簽署一系列價值總計33億歐元(約41億美元)的協(xié)議，以加速450毫米晶圓技術(shù)和超紫外線(EUV)光刻技術(shù)的開發(fā)，力爭提前兩年實現(xiàn)支持這些技術(shù)的光刻設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，從而為半導(dǎo)體制造商大幅降低成本并提高生產(chǎn)力。
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ASML認(rèn)為明年芯片產(chǎn)業(yè)可能放緩

  • 　　荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備商ASML日前公布第3季財報，雖然獲利成長，但預(yù)測明年芯片業(yè)成長放緩而拒絕作出財測。該公司認(rèn)為只有跟平板計算機(jī)和智能型手機(jī)相關(guān)的芯片設(shè)備明年才會見到成長。 　　
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荷蘭芯片設(shè)備供應(yīng)商ASML Q2凈利同比增長81%

  • 　　荷蘭芯片設(shè)備供應(yīng)商ASML公司在本周三表示，該公司今年第二財季的凈利潤比去年同期增長了近81%至4.32億歐元(合6.07億美元)，去年同期該公司的凈利潤為2.39億歐元。
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臺積電臺聯(lián)電分別拋出設(shè)備大訂單

  • 　　日本東京電子(TEL)日前收到來自聯(lián)電的一筆后繼設(shè)備訂單，價值約為三千零五十萬美元，這是TEL今年迄今為止收到的來自聯(lián)電的最大一筆設(shè)備訂單，TEL接獲來自聯(lián)電的上一筆訂單是在今年四月，價值為一千九百十萬美元。 　　
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ASML單價近一億美元EUV光刻機(jī)訂單已達(dá)10臺

  • 　　2010年浸潤式微米光刻機(jī)臺設(shè)備(Immersion Scanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進(jìn)40納米工藝的天險，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機(jī)臺，目前已有10臺訂單在手，預(yù)計2012年將正式交貨;不過，對于資金拮據(jù)的DRAM廠，1臺要價近1億美元的EUV機(jī)臺，將會是更大的資金挑戰(zhàn)，目前僅瑞晶下單訂購1臺，藉以確保20納米工藝的參賽權(quán)。　
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荷蘭阿斯麥發(fā)布第四季度財報

  • 　　歐洲最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商荷蘭阿斯麥控股公司(ASMLHolding NV)發(fā)布第四季度財報，由于2010年銷量創(chuàng)歷史記錄，其第四季度利潤超過之前分析師預(yù)測。 　　阿斯麥報道稱，公司第四季度凈利潤為4.07億歐元(5.49億美元)，而去年同期僅為5.05千萬歐元。此前彭博社對11位分析師預(yù)測統(tǒng)計，平均預(yù)測其第四季度凈利潤為3.258億歐元。此外，公司第四季度凈銷售額上升至15.2億歐元，高于此前預(yù)測的13.4億歐元。
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ASML高層看好明年半導(dǎo)體資本支出

  • 　　道瓊社、Thomson Reuters報導(dǎo)，歐洲半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)龍頭ASML Holding NV財務(wù)長Peter Wennink 19日在摩根士丹利年度科技媒體電信(TMT)大會上表示，明年度半導(dǎo)體業(yè)的資本支出將增加，該公司客戶的需求強勁使得前置時間達(dá)10個月。Wennink也預(yù)期明年度NAND市場將成長，邏輯、晶圓銷售額將大幅擴(kuò)增，不過DRAM銷售額則將下滑。Wennink同時指出，將藉由買回自家股票與配發(fā)股利的方式把多余的現(xiàn)金返還股東。 　　
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ASML公布其Q3業(yè)績

  • 　　ASML公司于10月13日公布其未經(jīng)審計的Q3業(yè)績
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ASML公布其Q3業(yè)績

  • 　　ASML公司于10月13日公布其未經(jīng)審計的Q3業(yè)績，ASML預(yù)計其Q4的銷售額達(dá)13億歐元，并確認(rèn)2010年的銷售額將比歷史上最高的38億歐元，高出10-15%。公司預(yù)期其Q4的毛利率在44%左右。研發(fā)費用增加到1.4億歐元及銷售管理費用在5000萬歐元。
  • 關(guān)鍵字： ASML  Q3  

沉浸式光刻機(jī)供貨緊缺 臺系內(nèi)存芯片廠制程升級受阻

  • 　　據(jù)內(nèi)存業(yè)者透露，由于著名光刻設(shè)備廠商ASML生產(chǎn)的NXT:1950i沉浸式光刻機(jī)目前供貨十分緊缺，因此臺系內(nèi)存芯片廠商收到所訂購的這種設(shè)備的時間 可能會再后延12個月之久，由于NXT:1950i沉浸式光刻機(jī)對這些廠商轉(zhuǎn)移到38nm以上級別制程至關(guān)重要，因此預(yù)計臺系內(nèi)存芯片廠商制程轉(zhuǎn)換的進(jìn)度 會受到較大的影響。NXT:1950i 是荷蘭ASML公司最新開發(fā)的沉浸式光刻機(jī)，可用于制造12英寸32nm及以上級別制程的產(chǎn)品. 　　此前曾有報道稱 NXT:1950i的訂貨至到貨日期已經(jīng)被拉長到了將近12個月，
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iSuppli警告：DRAM下半年供不應(yīng)求

  • 　　市場研究業(yè)者iSuppli警告，由于動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)芯片的制造產(chǎn)能有限，DRAM市場下半年可能供不應(yīng)求。 　　分析師霍華德(Mike Howard)預(yù)期，今年DRAM芯片出貨量可望成長49%，其中多數(shù)集中在下半年。他預(yù)測，今年第三、四季的DRAM芯片出貨量將分別比前一季成長11%左右，由于增加的需求都集中在下半年，屆時供應(yīng)DRAM芯片的產(chǎn)能恐難以負(fù)荷。 　　iSuppli指出，有兩個問題可能影響下半年的DRAM供應(yīng)量，甚至恐會造成供不應(yīng)求。首先，由于全球最大半導(dǎo)體微影工具供貨商艾斯摩爾
  • 關(guān)鍵字： ASML  DRAM  

分析師稱ASML應(yīng)該對內(nèi)存芯片供不應(yīng)求負(fù)一定責(zé)任

  • 　　對于內(nèi)存廠商來說，已經(jīng)過去的2009年就像是一場噩夢。而2010年情況則大有好轉(zhuǎn)，可是今年內(nèi)存廠商卻遇上了芯片供貨緊缺，芯片產(chǎn)品投產(chǎn)準(zhǔn)備時間加長，產(chǎn)品價格居高不下的問題。在本周三舉辦的Memcon會議上，一位分析師將今年內(nèi)存廠商遇到的這些問題歸結(jié)為由內(nèi)存廠商自身的問題而引起，不過著名光刻設(shè)備制造商ASML則也在被指責(zé)之列。 　　ObjectiveAnalysis市調(diào)公司的分析師JimHandy認(rèn)為內(nèi)存市場的上揚期恐怕不久便會結(jié)束，他并稱2011年中期或2012年間內(nèi)存芯片市場將再度陷入供過于求的局面
  • 關(guān)鍵字： ASML  內(nèi)存芯片  50nm  

分析師：ASML是導(dǎo)致內(nèi)存芯片供不應(yīng)求局面的罪魁之一

  • 　　對于內(nèi)存廠商來說，已經(jīng)過去的2009年就像是一場噩夢。而2010年情況則大有好轉(zhuǎn)，可是今年內(nèi)存廠商卻遇上了芯片供貨緊缺，芯片產(chǎn)品投產(chǎn)準(zhǔn)備時間加 長，產(chǎn)品價格居高不下的問題。在本周三舉辦的Memcon會議上，一位分析師將今年內(nèi)存廠商遇到的這些問題歸結(jié)為由內(nèi)存廠商自身的問題而引起，不過著名光 刻設(shè)備制造商ASML則也在被指責(zé)之列。   　　Objective Analysis市調(diào)公司的分析師Jim Handy認(rèn)為內(nèi)存市場的上揚期恐怕不久便會結(jié)束，他并稱2011年中期或2012年間內(nèi)存芯片
  • 關(guān)鍵字： ASML  內(nèi)存芯片  

ASML整合微影方案獲意法采用

  • 　　受惠于晶圓代工與DRAM廠推出先進(jìn)制程，對浸潤式顯影機(jī)臺需求大增，讓半導(dǎo)體設(shè)備大廠艾斯摩爾(ASML)2010年接單暢旺，隨著半導(dǎo)體制程推進(jìn)5x奈米以下先進(jìn)制程，制程復(fù)雜度大增，亦需加緊提高量良率，讓ASML甫于2009年推出的整合微影技術(shù)(Holistic Lithography)系列產(chǎn)品，已獲得意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。 　　ASML指出，隨著半導(dǎo)體制程推進(jìn)到50x奈米以下制程，業(yè)者投入的經(jīng)費越來越高昂，生產(chǎn)時程亦拉得更長，良率更難提升，制程容許度(p
  • 關(guān)鍵字： ASML  DRAM  晶圓代工  

Sokudo早餐會上論光刻技術(shù)趨勢

  • 　　在SEMICON West舉行的Sokudo光刻論壇上對于實現(xiàn)22nm的各類光刻技術(shù)的進(jìn)展、挑戰(zhàn)與未來市場前景進(jìn)行了熱烈的討論。 　　作為193nm光刻技術(shù)的接替者，ASML仍是全球EUV(遠(yuǎn)紫外光光刻機(jī)) 技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商。該公司的首臺NXE3100機(jī)器將如期發(fā)貨，目前正在作最后的組裝及測試。盡管如此，由于EUV技術(shù)中目前能提供的光源功率及掩模缺陷仍是此類技術(shù)的主要挑戰(zhàn)。另外，為了達(dá)到工業(yè)使用指標(biāo)急需投入大筆資金。 　　Nikon指出它仍繼續(xù)采用兩次圖形曝光方法來延伸193nm高NA(數(shù)值孔徑)
  • 關(guān)鍵字： ASML  22nm  光刻  
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