集LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業領先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術領域的領導地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機驅動開關和并網逆變器等應用。目前世強已獲授權代理SiC系列產品。
圖：CAS300M17BM2模塊外觀圖
世強代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模塊采用行業標準
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CREE SiC
Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態電阻低和開關損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。
SiC與Si性能對比
簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
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世強 SiC
摘要：總線通訊系統中，每個節點的信號質量都直接影響了整個總線的通訊質量，所有保證每個節點都具備高度一致的信號質量便顯得至關重要，該文將為大家細細道來，如果做好信號特征的好壞評估。
CAN總線設計規范對于CAN節點的差分電平位信號特征著嚴格的規定，如果節點的差分電平位信號特征不符合規范，則在現場組網后容易出現不正常的工作狀態，各節點間出現通信故障。具體要求如表 1所示，為測試標準“GMW3122信號特征標準”。
表 1 GMW3122信號特征標準
在以往的測
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CAN
我一直不喜歡那些盲目崇拜老外的人，但有時還不得不對行業內的老外，佩服得五體投地。他們也會出錯，寫出一些亂七八糟的文章害人，但是確實有好多設計，實在精妙，讓人拍案叫絕。
前些日子看CAN總線，那么多設備掛接在單信息總線上，都想說話，還沒有領導，那不成一鍋粥了嗎?看懂就發現，原來它們給每個接入設備分配了ID號——有大小區分的身份證，靠二進制的01級別展開無限制的競爭，一下就實現了多個設備無領導情況下的單總線競爭占用?？赐旰螅业母杏X是美妙。這些洋鬼子，看來是聰明的，至少不比我
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CAN AD629
SiC市場領導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術從而擴展了產品組合，能夠應對市場更新的設計挑戰，可用于更高直流母線電壓。且領先于900V超結Si基MOSFET技術，擴大了終端系統的功率范圍，在更高溫度時仍能提供低導通電阻Rds(on)，大大減小了熱管理系統的尺寸，很好地解決了散熱及顯著降額的問題。與目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平臺為電源轉換設計者提供了更多的創新空間，方便
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Cree SiC
日前，碳化硅(SiC)技術全球領導者半導體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產品目標用途包括感應加熱設備、電機驅動器、太陽能和風能逆變器、UPS和開關電源以及牽引設備等。
世強代理的CAS300M12BM2外殼采用行業標準的62mm x 106mm x 30mm，封裝則采用Half-Bridge Module，具有超低損耗、高頻率特性以及易于并聯等特點。漏極電流方面，連續通電時
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SiC SiC
根據Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現更高功率。
在最新出版的“GaN與SiC器件驅動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉型的巨大驅動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產業。Yole預期EV/HEV產業將持續大力推動Si
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SiC GaN
矢野經濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調查結果。
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全球功率半導體市場規模的推移變化和預測(出處：矢野經濟研究所) (點擊放大)
2013年全球功率半導體市場規模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。
預計2014年仍將繼續增長，2015年以后白色家電、汽車及工業設備領域的需求有望擴大。矢野經濟研究
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SiC 功率半導體
新的技術趨勢不斷出現，MCU+傳感器、MCU+無線、MCU+FPGA、大小核MCU……未來，MCU還將出現哪些新的應用?廠商將如何進行產品開發方能滿足需求?
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MCU CAN
摘要：目前，物聯網的概念已經風靡全球，各行各業都在想盡一切的辦法做創新，為的就是給現有的產品注入新鮮的血液，讓其煥發曾經的輝煌。CAN轉WiFi設備的現世，打破以往線纜的傳輸，讓現場總線通信實現無線聯網，甚至步入手機APP監控時代。
如今汽車已成為人類生活中最主要的交通工具，看著道路上那擁堵的情況，若你也已置身其中，那確實是一件苦惱的事情，為了解決這問題，各大廠家各顯奇招，都嘗試著用自己的概念去實現汽車物聯網，例如：阿里巴巴聯手上汽集團，將阿里系的互聯網生態覆蓋到智能汽車領域，樂視聯手北汽集
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物聯網 CAN
ROHM Co., Ltd.(總部：日本 京都，社長 澤村諭，下稱"ROHM")發布了2015年度第一季度(4~6月)的業績。
第一季度銷售額為949億2千萬日元(去年同比增長7.4%)，營業利潤為115億6千7百萬日元(去年同比增長24.7%)。
縱觀電子行業，在IT相關市場方面，雖然智能手機和可穿戴設備等市場的行情仍然在持續走高，然而一直以來都保持持續增長的平板電腦的普及率的上升勢頭大幅下降，個人電腦市場呈現低迷態勢。在AV相關市場方面，雖然4K電視(※1)等高附加
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ROHM SiC
通信出現故障是時常會遇到的事情，小則無傷大雅，大可殃及城池。因此，處理故障的方法便顯得至關重要，確認處理方式是否能可靠運作更是重中之重。
當CAN通信出現故障時，CAN控制器會讓故障節點從主動錯誤狀態進入被動錯誤狀態，甚至進入總線關閉(Busoff)狀態，使故障節點脫離總線的通信，使其不影響正常節點的通信，但該控制方案將導致在系統重新上電之前，進入總線關閉狀態的節點會持續無法與其他節點做數據的交互，如若節點只是暫時的故障，那讓節點實現自恢復的功能，則是更為上乘的控制方法。所以CAN總線設計規范對
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CAN Busoff
SiC-MOSFET技術新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發出采用溝槽(Trench)結構的SiC-MOSFET，并已建立完整量產機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導通電阻，大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業用變流器等設備的功率損耗。
羅姆半導體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示，新發布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結構專利，目前已開始量產。
羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮表示，相對于Si-IGBT，SiC
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ROHM SiC-MOSFET
目前，電動汽車和工業馬達的可變速馬達驅動系統，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉換器、DC/DC轉換器，其應用系統的普及正在不斷加速。構成這些系統的變頻器·轉換器·馬達等裝置的開發與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統。
各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
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SiC GaN 電流傳感器
CAN總線設計規范對于CAN節點的信號邊沿各項參數都有著嚴格的規定，如果不符合規范，則在現場組網后容易出現不正常的工作狀態，各節點間出現通信故障。具體要求如表 1所示，為測試標準“GMW3122信號邊沿標準”。
表 1 GMW3122信號邊沿標準
所以每個廠家在產品投入使用前，都要進行CAN節點DUT(被測設備)的信號邊沿參數測試。一般是使用GMW3122信號邊沿測試的CAN測試方法，如下描述：
如圖 1所示，我們以信號跳變過程的20% ~ 80%定義為該
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CAN DUT
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