cmos digital image sensor 文章
最新資訊
- 如何建立一個小型獨立報警電路的CMOS 說明 這是一種小型獨立報警電路的選擇。每個警報的主要特點是線路圖上描述自己。他們都具有非常低的待機電流。因此,他們非常適合電池供電。每個電路對將打印出一張A4紙。
- 關鍵字:
報警 電路 CMOS 獨立 小型 建立 一個 如何
- 如何建立一個CMOS 4060防盜報警器 說明 這是一個區域報警 - 自動出入和警笛截止定時器。這將容納所有的常閉輸入設備一般類型 - 例如磁簧觸點 - 鋁箔膠帶 - PIRs等,但它很容易添加一個常開觸發。示意圖 當
- 關鍵字:
防盜報警 CMOS 一個 建立 如何
- 如何建立一個更簡單的CMOS單防區報警器說明 這是一個簡單的單區防盜報警電路。它的功能包括自動出入境延誤和定時貝爾/警報器停產。它的設計是與常閉類型的輸入設備的正常使用,例如 - 磁簧聯系方式 - 微動開關
- 關鍵字:
防區 報警 CMOS 簡單 建立 一個 如何
- 如何構建基于一個CMOS單防區報警器 說明 該電路具有自動出入延誤 - 計時鐘切斷 - 和系統重置。它為常開和常閉開關提供 - 并將滿足通常的輸入設備(壓力墊,磁簧接觸,鋁箔膠帶,PIRs和慣性傳感器)。 如果綠
- 關鍵字:
防區 報警器 CMOS 一個 構建 基于 如何
- 這個測試儀的基礎是一個皮爾茲CMOS緩沖振蕩器(圖一)。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區域通過電阻R1 以形成一個高增益反相放大器。由于這個高增益,這個逆變器比一個非緩沖門消耗的功率低,甚至是很小的信
- 關鍵字:
CMOS 電感測試儀 方案
- 提出一種標準CMOS工藝結構的低壓、低功耗電壓基準源,工作電壓為5~10 V。利用飽和態MOS管的等效電阻特性,對PTAT基準電流進行動態電流反饋補償,設計了一種輸出電壓為1.3 V的帶隙基準電路。使輸出基準電壓溫度系數在-25~+120℃范圍的溫度系數為7.427pp-m/℃,在27℃時電源電壓抑制比達82 dB。該基準源的芯片版圖面積為0.022 mm2,適用于低壓差線性穩壓囂等領域。
- 關鍵字:
CMOS 高精度 帶隙基準源
- CMOS成像技術的領先創新者ApTIna今日推出其高性能、功能豐富、APS-C格式的1600萬像素的圖像傳感器。特別的設計令該產品可實現專業攝影師所要求的高畫質,除了以10幀/秒的速度捕捉1600萬像素的靜態圖像以外,新的MT9H004傳感器亦具備較高的靈敏度、較小的暗電流和較低的讀出噪聲。憑借該公司最新的動態響應(DR)像素技術創新(稱為Aptina DR-Pix技術),新的APS-C格式成像解決方案在低亮度條件下可增加5分貝的信噪比(SNR),而無需犧牲高亮度環境中的表現。高亮度下的最大信噪比可達
- 關鍵字:
圖像傳感器 CMOS
- 邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發展估計將在2013年前后15nm工藝達到量產水平時迎來重大轉折點。將由現行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺灣臺積電(TSMC)等知名半導體廠商均已開始表現出這種技術意向。LSI的制造技術發生巨變之后,估計也會對各公司的微細化競爭帶來影響。
元件材料及曝光技術也會出現轉折
“估計一多半的半導體廠商都會在15nm工藝時向FinFET過渡”(英特爾)。“在20nm以
- 關鍵字:
CMOS 15nm 立體晶體管
- 本文以比較器為基本電路,采用恒流源充放電技術,設計了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路,并對其各單元組成電路的設計進行了闡述。同時利用Cadence Hspice仿真工具對電路進行了仿真模擬,結果表明,鋸
- 關鍵字:
CMOS 工藝 鋸齒波 振蕩電路
- 摘要:介紹數字式CMOS攝像頭MT9M011的工作方式;提出MT9M011在基于HCSl2單片機的智能車控制系統中的應用方案,針對采集圖像時遇到的問題給出了相應的解決方法;分析數字式CMOS攝像頭相對于模擬攝像頭的優勢和不足。
- 關鍵字:
車中 應用 智能 攝像頭 CMOS 數字式
- CMOS成像技術的領先創新者Aptina宣布推出其新款功能豐富的8MP CCS8140成像解決方案。CCS8140解決方案利用公司在像素、處理和封裝方面的創新技術,將高品質MT9E013 8MP CMOS影像傳感器與Aptina™ MT9E311成像協處理器完美結合,同時其各方面的處理速度保持在與獨立影像處理器類似的水平。經全面調節的Aptina CCS8140整套相機解決方案可提供一流的影像品質,同時僅需極少的調節和傳感器調整即可完成最終產品設計。該解決方案不僅可以為移動手持設備OEM和
- 關鍵字:
Aptina CMOS CCS8140
- 按全球半導體聯盟GSA經過調查后的報道,全球2010年Q2的硅片代工價格與上個季度相比下降。
為了支持與促進半導體產業鏈發展,一家非盈利組織GSA的報告,用于CMOS制造的200mm直徑代工硅片的中間價格環比下降9.5%,而同類的300mm硅片代工價格環比沒有改變,每片平均仍為3200美元。
據GSA說,調查的參與者也報道200mm CMOS工藝的掩模價格下降,在連續兩個季度價格上升之后,環比中間價格下降12%。而300mm CMOS工藝的掩模中間價沒有改變,而且已連續達3個季度。
- 關鍵字:
硅片 CMOS 200mm
- 據路透社援引俄羅斯當地報紙的一則報道稱,俄羅斯一家名為Sistema的公司最近呼吁俄羅斯當局禁止其對手廠商生產的同類IC芯片產品進口到俄羅斯市場。Sistema目前與意法半導體公司有合作關系,雙方正在合作生產90nm制程的電視,GPS,手機,電子護照等產品用的IC芯片。這家公司的國企背景深厚,著名的俄羅斯國有半導體企業俄羅斯納米技術集團(Rusnano)便是這家公司的大后臺之一,目前Rusnano正在全力支持在俄羅斯國內架設一條90nm制程CMOS產線的項目。據《俄羅斯日報》報道,俄羅斯總理普京9月2
- 關鍵字:
IC芯片 90nm CMOS
cmos digital image sensor介紹
您好,目前還沒有人創建詞條cmos digital image sensor!
歡迎您創建該詞條,闡述對cmos digital image sensor的理解,并與今后在此搜索cmos digital image sensor的朋友們分享。
創建詞條
cmos digital image sensor電路
cmos digital image sensor相關帖子
cmos digital image sensor資料下載
cmos digital image sensor專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473