- 揭開廢棄紐扣電池的秘密-監視便攜式設備或配套服務系統中紐扣電池的電壓等級，對現代 CMOS 運算放大器來說是一項常見的簡單應用。
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CMOS CR2032 德州儀器
- 所有這些干擾都是從哪里來的？-自從進入市場以來，CMOS 單電源放大器就給全球單電源系統設計人員帶來了極大優勢。影響雙電源放大器總諧波失真 + 噪聲 （THD+N） 特性的主要因素是輸入噪聲與輸出級交叉失真。單電源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的輸入輸出級。但是，輸入級對 THD+N 的影響可讓單電源放大器的這一規范屬性變得復雜。
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CMOS 電源放大器 THD
- 硅光子芯片設計突破結構限制瓶頸-當今的硅光子芯片必須采用復雜的制造制程連接光源與芯片，而且也和晶圓級堆棧密不可分。
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硅光子 半導體芯片 CMOS 芯片設計
- cmos+憶阻器實現高效分布式處理兼存儲功能的傳感器架構-依靠憶阻器執行像素級自適應背景提取算法的成像傳感器架構,與全cmos成像傳感器相比，基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲功能，讓設計人員能夠使用可編程時間常數建立圖像背景模型。
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cmos 憶阻器 傳感器
- ccd與cmos的區別及六大硬件技術指標-CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后產生電子的基本原理相同，但是讀取過程不同：CCD 是在同步信號和時鐘信號的配合下以幀或行的方式轉移，整個電路非常復雜，讀出速率慢；CMOS 則以類似 DRAM的方式讀出信號，電路簡單，讀出速率高。
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ccd cmos 圖像傳感器
- 圖像傳感器原理及分類-圖像傳感器是各種工業及監控用相機、便攜式錄放機、數碼相機，掃描儀等的核心部件。目前，這個快速增長的市場現在已經延伸到了玩具、手機、PDA、汽車和生物等領域。
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圖像傳感器 CCD CMOS
- 詳解先進的半導體工藝之FinFET-FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補式金氧半導體（CMOS）晶體管。
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FinFET 半導體工藝
- 隨著臺積電宣布全世界第一個 3 奈米制程的建廠計劃落腳臺灣南科之后，10 奈米以下個位數制程技術的競爭就正式進入白熱化的階段。 臺積電的對手三星 29 日也宣布，將開始導入 11 奈米的 FinFET，預計在 2018 年正式投產之外，也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線光刻設備。
根據三星表示，11 奈米 FinFET 制程技術「11LPP (Low Power Plus)」是現今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
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三星 FinFET
- FD SOI技術在物聯網蓬勃發展的大環境下，以其低功耗、集成射頻和存儲、高性能等優勢獲得業界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業的推動下，該產業鏈正逐步得到完善。此外，在中國大力發展集成電路的當口，FD-SOI技術還給中國企業帶去更多的發展空間和機遇，如何充分利用FD-SOI技術優勢，實現差異化創新成了眾IC設計企業的探討重點。此外，5G網絡與物聯網的不斷進化，對RF技術革新的強烈需求，對RF SOI技術帶來更廣大的市場前景。
FD SOI生態系統逐步完
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FinFET 物聯網
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務器系統處理器定制的量產14納米高性能(HP)技術。這項雙方共同開發的工藝專為IBM提供所需的超高性能和數據處理能力，從而在大數據和認知計算的時代為IBM的云、商業和企業解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產品。 14HP是業內唯一將三維FinFET晶體管架構結合在SOI襯底上的技術。該技術采用了17層金屬層結構，每個芯片上有80多億個晶體管，通過嵌入式動態隨機存儲器(DRAM)以及其它創新功能，達到比前代
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格芯 FinFET
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領先性能(12LP)的FinFET半導體制造工藝。該技術預計將提高當前代14納米 FinFET產品的密度和性能，同時滿足從人工智能、虛擬現實到高端智能手機、網絡基礎設施等最具計算密集型處理需求的應用。 這項全新的12LP技術與當前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產品競爭。這項技術
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格芯 FinFET
- 本文主要對電路設計常用接口類型進行了簡要說明，下面一起來學習一下： (1)TTL電平接口： 這個接口類型基本是老生常談的吧，從上大學學習模擬電路、數字電路開始，對于一般的電路設計，TTL電平接口基本就脫不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以內，這是由于BJT的輸入端存在幾個pF的輸入電容的緣故(構成一個LPF)，輸入信號超過一定頻率的話，信號就將“丟失”。它的驅動能力一般最大為幾十個毫安。正常工作的信號電壓一般較高，要是把它和信號電壓較低的ECL電路接近時會產生比較明顯的串擾問題。
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TTL CMOS
- 手機串口一般是CMOS電平，當把android手機當做開發板上的一個器件(比如利用android系統自帶的GPRS模塊，wifi模塊，語音視頻模塊等等)看待時，常常會涉及到自己重寫底層協議和驅動的情況，同時也會涉及到不同開發板不同電平之間的轉換。最近在做一個利用android手機收發數據的實驗，其中就涉及到了EIA電平和TTL電平的轉換，TTL電平和CMOS電平的轉換。現簡要的總結下常用的TTL電平，CMOS電平和EIA電平，以及一些與上述電平有關集成邏輯電路和rs232串口的一些基本知識： 一、集
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TTL CMOS
- 據海外媒體報道，Sony 計劃于 2018 年 3 月底前將使用于智能手機、數字相機等用途的 CMOS 影像傳感器月產能擴增至 10 萬片(以 12 吋晶圓計算)左右水準，大幅增加 14%。目前 Sony 月產能約 8.8 萬片。
報導指出，因智能手機自拍用前置相機朝高性能化演進，加上車用、物聯網(IoT)用需求增加，因此 Sony 決定增產因應。
根據 Sony 公布的財報數據顯示，2016 年度(2016 年 4 月~2017 年 3 月)Sony 影像傳感器銷售額年增 15% 至 5
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Sony CMOS
- 隨著集成電路工藝制程技術的不斷發展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰。
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MOS FinFET
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