- 簡介：CMOS和TTL集成門電路在實際使用時經常遇到這樣一個問題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩定的工作?本文給出了解決這個問題的方法，供大家參考。
CMOS門電路
CMOS門電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態下，柵極無電流，所以靜態時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應采用以下
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CMOS TTL
- 簡介：本文介紹了TTL電平和CMOS電平之間的區別以及使用注意事項等內容。
TTL：雙極型器件，一般電源電壓 5V，速度快(數ns)，功耗大(mA級)，負載力大，不用端多數不用處理。
CMOS：單級器件，一般電源電壓 15V，速度慢(幾百ns)，功耗低，省電(uA級)，負載力小，不用端必須處理。
CMOS 和 TTL 電平的主要區別在于輸入轉換電平。
CMOS：它的轉換電平是電源電壓的 1/2，因為 CMOS 的輸入時互補的，保證了轉換電平是電源電壓的 1/2。
TTL：
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TTL CMOS
- 上海微技術工業研究院(SITRI)協辦的第二屆MIG亞洲會議上，全球傳感器巨頭暢談了未來的MEMS傳感器發展戰略;會后本刊還采訪了其他MEMS廠商，請他們談了關注的方向。
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MEMS 數據分析 物聯網 DLP 語音控制 201510
- 剛剛在上海閉幕的MIG大會，這次MEMS行業標桿型的會議首次在中國召開。這次大會無疑為中國MEMS市場的蓬勃前景又注射了一針強心劑。為期三天的會議針對MEMS全行業包括設計，生產，加工，終端等不同企業進行了全面的展示。在中國這樣一個電子消費品大國，MEMS傳感器的需求量不言而喻。其中，越來越多的份額被可穿戴設備以及物聯網等非傳統消費電子類產品所占有。
ADI亞太區微機電產品市場和應用經理 趙延輝
MEMS傳感器在可穿戴設備上的應用設計與傳統的手機等終端的應用設計有著不同的側重點。對于這
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MEMS 傳感器
- 一、CMOS門電路
CMOS 門電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態下，柵極無電流，所以靜態時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應采用以下方法：
1、與門和與非門電路：由于與門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平，輸出信號就為低電平，只有全部為高電平時，輸出端才為高電平。而與非門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平
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CMOS TTL
- 簡介：繼續把我在學習數字電路過程中的一些“細枝末節”小結一下，和大家共享。
1、在數字電路中，BJT一般工作在截止區或飽和區，放大區的經歷只是一個轉瞬即逝的過程，這個過程越長，說明它的動態性能越差;同理，CMOS管也是只工作在截止區或可變電阻區，恒流區的經歷只是一個非常短暫的過程。因為我們需要的是確切的0、1值，不能過于“含糊”，否則數字系統內門電路之間的抗干擾性能會大打折扣!
2、數字IC內部很多門電路一般都是把許多CMOS管并聯起來，這樣
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CMOS BJT
- 1、CS單管放大電路
共源級單管放大電路主要用于實現輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態工作點，而根據MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態工作點具有較寬的動態范圍，主要表現為MOS管在飽和區的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區可以完全表現線性特性，并且實現信號的最大限度放大【理想條件下】，則確定的靜態工作點約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2，但是
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CMOS 電路
- 點按手環關閉鬧鐘，打開手機APP看看昨晚的睡眠狀態，這是每天伴隨筆者的起床動作。整個過程中，智能手機、可穿戴產品都包含單個或多個傳感器，正如聯芯科技總裁錢國良在MIG亞洲大會上講道，“傳感器已無處不在!”
拿蘋果iPhone 6為例，在全部76個芯片中，光MEMS產品有15-16個，占比約19%，隨著更多傳感器的應用，這一比例仍在持續上升。在追逐萬物互聯，智能生活的今天，傳感器的發展變化將成為物聯網時代“智能化”的關鍵因素。作為傳感器芯片領域的&l
- 關鍵字：
MEMS 傳感器
- 過去在半導體領域一直坐冷板凳的感測芯片，近期在物聯網應用加持下全面翻紅，除了既有國際大廠持續鯨吞全球微機電系統(MEMS)感測芯片市場版圖，大陸MEMS感測芯片設計業者亦如雨后春筍般冒出，并吸引大陸上海市政府、中芯國際等加入蠶食商機行列，臺積電亦不遑多讓，企圖打破國際IDM大廠獨霸局面，透過轉投資矽立(mCube)及扶植InvenSense等外商，全力沖刺感測器事業。
目前全球MEMS感測器商機主要被Bosch、意法半導體(STM)、Freescale等IDM大廠所獨占，在物聯網應用加持下，ME
- 關鍵字：
MEMS 傳感器
- 過去在半導體領域一直坐冷板凳的感測芯片，近期在物聯網應用加持下全面翻紅，除了既有國際大廠持續鯨吞全球微機電系統(MEMS)感測芯片市場版圖，大陸MEMS感測芯片設計業者亦如雨后春筍般冒出，并吸引大陸上海市政府、中芯國際等加入蠶食商機行列，臺積電亦不遑多讓，企圖打破國際IDM大廠獨霸局面，透過轉投資矽立(mCube)及扶植InvenSense等外商，全力沖刺感測器事業。
目前全球MEMS感測器商機主要被Bosch、意法半導體(STM)、Freescale等IDM大廠所獨占，在物聯網應用加持下，ME
- 關鍵字：
MEMS 傳感器
- 日前在上海舉辦的第二屆MIG亞洲會議上，Yole Développement調查數據指出，從2000年到2020年間，MEMS市場將保持20年的連續增長，MEMS產品的市場規模將在2020年超過250億美元，是2000年的5倍。MEMS傳感器市場的爆發，將成為帶動物聯網市場前進的重要因素。
站在半導體供應鏈的最上游，也許我們能夠更清楚地看出MEMS市場的發展方向，集微網與全球最大的半導體制造設備廠商美國應用材料公司的兩位專家，戰略和技術營銷總監Miche
- 關鍵字：
MEMS 傳感器
- 大陸即將成為全球手機OEM廠微機電(MEMS)感測器最大采購者，引發許多新創的MEMS感測器設計公司切入主流三軸感測器市場，為卡位大陸感測器市場商機，并打造物聯網(IoT)、巨量資料(Big Data)最底端的感測器基礎。
其中國際大廠Bosch、意法半導體(STMicroelectronics)、飛思卡爾(Freescale)、應美盛(InvenSense)等相爭赴大陸挖商機，臺積電、中芯半導體，以及應用材料(Applied Materials)、東京威力科創(TEL)、EVG等設備大廠也不缺
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MEMS IC設計
- 簡介：本文總結了TTL和CMOS電平的特點、使用方式等內容 。
1，TTL電平(什么是TTL電平)：
輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，噪聲容限是0.4V。
特點：
1.CMOS是場效應管構成，TTL為雙極晶體管構成
2.COMS的邏輯電平范圍比較大(5～15V)，TTL只能在5V下工作
3.CMOS的高
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TTL CMOS
- 2015年9月10日，大唐電信執行副總裁、大唐半導體兼聯芯科技總經理錢國良受邀參加在上海舉辦的MIG亞洲會議“2015 MIG Asia”，并帶來《聯接信息世界 用心豐富生活》的主題演講。錢總表示，IoT時代的到來促使MEMS產業呈現爆發式的增長。
2008年之前，汽車是MEMS主要應用市場，08年之后，智能手機、智能終端等日漸涌現并占領MEMS主流市場，目前年產量過10億臺。未來，隨著智能化的進一步發展，各種新興應用如可穿戴設備、智能家居及工業4.0等將為MEMS提供更
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IoT mems
- 不論是在家中、車上或工作場所，微機電(MEMS)應用已悄悄深入消費者生活。盡管不常受到注意，MEMS技術在過去20年間經歷了劇烈的改變。隨著物聯網(IoT)不斷發展，MEMS還將持續改進，達到更小、更省電的需求。
SEMI歐洲MEMS高峰會(European MEMS Summit)將于2015年9月17~18日在米蘭舉行，Solid State Technology網站訪問高峰會指導委員會的成員，談MEMS的發展現況。德國Fraunhofer電子奈米系統研究所(Fr
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物聯網 MEMS
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