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柔性集成電路、微機(jī)電系統(tǒng)與金屬氧化物：破解全新技術(shù)難題

核心要點(diǎn)柔性集成電路具備耐用、貼合外形的特性，但會(huì)為本就復(fù)雜的制造流程增添新挑戰(zhàn)，而印刷柔性傳感器的配套產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施尚不完善。微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）在大規(guī)模并行系統(tǒng)中重獲青睞，既可集成于單一設(shè)備，也可分布式部署在網(wǎng)絡(luò)中的多個(gè)設(shè)備上。基于金屬氧化物的傳感器比光子晶體傳感器更具規(guī)模化應(yīng)用潛力，因金屬氧化物的傳感性能不會(huì)受濕度影響而衰減。當(dāng)下融合了人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)的數(shù)字技術(shù)，正被用于更精準(zhǔn)地采集環(huán)境和人體產(chǎn)生的模擬現(xiàn)實(shí)數(shù)據(jù)。最新的傳感器技術(shù)可模擬生物感知機(jī)制，而人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)則為分布式智能和實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)分析提
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NOR Flash、MEMS與傳感器、功率器件三大領(lǐng)域洞察

進(jìn)入2026年，NOR Flash的基本面與DRAM和NAND形成顯著差異：其定價(jià)保持穩(wěn)定，基本不受存儲(chǔ)周期性波動(dòng)影響。同時(shí)，市場(chǎng)需求正日益轉(zhuǎn)向適用于汽車、工業(yè)及真無線耳機(jī)（TWS）等領(lǐng)域的更高密度SPI NOR產(chǎn)品。更大的固件容量、無線升級(jí)（OTA）需求以及邊緣AI的集成，共同推動(dòng)了高密度NOR Flash設(shè)備的采用，尤其是從128Mb向256Mb及以上容量的升級(jí)。盡管出貨量趨于平穩(wěn)，但產(chǎn)品密度的提升、漫長(zhǎng)的認(rèn)證周期以及向55-40納米工藝穩(wěn)定遷移，將持續(xù)驅(qū)動(dòng)其價(jià)值增長(zhǎng)。得益于供需結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定，NOR F
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一顆幾乎像原子鐘一樣計(jì)時(shí)的芯片

數(shù)十年來，原子鐘一直是最穩(wěn)定的計(jì)時(shí)工具。它通過與原子的共振頻率同步振蕩來測(cè)量時(shí)間，該方法精度極高，成為了 “秒” 的定義基準(zhǔn)。如今，計(jì)時(shí)領(lǐng)域迎來了一位新的競(jìng)爭(zhēng)者。研究人員近期研發(fā)出一款基于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的微型時(shí)鐘，通過硅摻雜技術(shù)實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的穩(wěn)定性。這款時(shí)鐘連續(xù)運(yùn)行 8 小時(shí)后，時(shí)間偏差僅為 102 納秒，在逼近原子鐘計(jì)時(shí)標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí)，還具備體積小、功耗低的優(yōu)勢(shì)。此前，溫度的微小波動(dòng)都會(huì)對(duì)計(jì)時(shí)產(chǎn)生極大干擾，這一直是制約此類微型時(shí)鐘發(fā)展的核心難題。該團(tuán)隊(duì)于上周舉辦的第 71 屆 IEEE 國(guó)際電子器件
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IPERLITE任務(wù)上的IMEC高光譜傳感器

IPERLITE任務(wù)是一次在軌演示（IOD）飛行，旨在從510公里軌道展示下一代高光譜成像技術(shù)。IPERLITE任務(wù)的核心是由imec開發(fā)的高光譜傳感器，這是經(jīng)過多年ESA支持的研發(fā)成果，涉及多個(gè)比利時(shí)合作伙伴，并在早期CHIEM和CSIMBA項(xiàng)目基礎(chǔ)上進(jìn)一步發(fā)展。IPERLITE并非作為實(shí)際運(yùn)行衛(wèi)星，而是作為試驗(yàn)平臺(tái)——訪問農(nóng)業(yè)遺址并收集光譜數(shù)據(jù)，以評(píng)估其創(chuàng)新有效載荷在真實(shí)軌道條件下的性能。IPERLITE為日益增長(zhǎng)的緊湊型高光譜任務(wù)做出貢獻(xiàn)，這些任務(wù)旨在普及光譜數(shù)據(jù)的獲取，補(bǔ)充CHIME和SBG等大型
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極端環(huán)境生存之道：了解MEMS傳感器中的沖擊與振動(dòng)問題

MEMS加速度計(jì)在機(jī)械應(yīng)力頻繁且劇烈的環(huán)境中應(yīng)用日益廣泛。本文探討了抗沖擊能力與耐振動(dòng)性之間的關(guān)鍵差異，這兩項(xiàng)核心指標(biāo)決定了傳感器在惡劣條件下的可靠性。文中概述了提升傳感器穩(wěn)健性的相關(guān)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、失效機(jī)制及設(shè)計(jì)策略，并以ADI公司的加速度計(jì)與傳感器為實(shí)例，闡明了機(jī)械余量和阻尼特性如何影響傳感器在振動(dòng)環(huán)境下的性能，并介紹了沖擊測(cè)試如何評(píng)估系統(tǒng)級(jí)抗損毀能力。理解兩項(xiàng)重要指標(biāo)間的差異，是確保所選傳感器兼顧性能要求與可靠性標(biāo)準(zhǔn)的重要前提。
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到2030年，MEMS封裝基板市場(chǎng)將達(dá)到 32.3 億美元

根據(jù) MarketsandMarkets 的一份報(bào)告，全球 MEMS 封裝基板市場(chǎng)預(yù)計(jì)將從 2025 年的 24.0 億美元增長(zhǎng)到 2030 年的 32.3 億美元。這一增長(zhǎng)是由不斷擴(kuò)大的醫(yī)療設(shè)備行業(yè)、加速的 5G 部署以及物聯(lián)網(wǎng)解決方案的廣泛采用推動(dòng)的。對(duì)于eeNews Europe的讀者來說，這種增長(zhǎng)——6.1%的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）——凸顯了對(duì)下一代傳感器和執(zhí)行器設(shè)計(jì)至關(guān)重要的基板材料和先進(jìn)封裝技術(shù)的關(guān)鍵創(chuàng)新機(jī)會(huì)。預(yù)計(jì)汽車、醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用將出現(xiàn)創(chuàng)新。玻璃基板有望快速增長(zhǎng)該報(bào)告將玻璃基板
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中國(guó)首條全自動(dòng)化8英寸MEMS生產(chǎn)線投產(chǎn)

近日，中國(guó)電子系統(tǒng)工程二號(hào)建設(shè)有限公司（CESE2）宣布，中國(guó)蚌埠傳感器谷8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目首批產(chǎn)品成功下線。這標(biāo)志著我國(guó)首條全自動(dòng)化8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線，也是首條擁有全套工藝設(shè)備的壓電MEMS量產(chǎn)線正式投產(chǎn)。此前，中國(guó)高端MEMS芯片嚴(yán)重依賴進(jìn)口。該產(chǎn)線的投產(chǎn)有望有效緩解國(guó)內(nèi)產(chǎn)能短缺，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵領(lǐng)域，特別是汽車電子和工業(yè)控制領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化，從而保障產(chǎn)業(yè)鏈安全。此外，中國(guó)首條全自動(dòng)8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線的建立和投產(chǎn)，標(biāo)志著蚌埠市從傳統(tǒng)制造中心向以智能傳感器為中心的創(chuàng)新中心轉(zhuǎn)型。該國(guó)家戰(zhàn)略性項(xiàng)目
關(guān)鍵字： 8英寸 MEMS

Pickering新型基于MEMS技術(shù)的多端口千兆以太網(wǎng)接口單元（GBASE-T1 FIU），顯著提升了測(cè)試系統(tǒng)的帶寬、數(shù)據(jù)吞吐能力以及使用壽命

迄今為止，Pickering?公司推出的帶寬最高的故障注入裝置采用微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）開關(guān)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高速、穩(wěn)定的信號(hào)切換以及優(yōu)異的長(zhǎng)期使用壽命。作為電子測(cè)試與驗(yàn)證領(lǐng)域模塊化信號(hào)開關(guān)及仿真解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，Pickering Interfaces公司宣布對(duì)廣受歡迎的PXI故障注入單元開關(guān)模塊系列擴(kuò)展并推出新產(chǎn)品。新增的40-205（PXI）和42-205（PXIe）系列采用緊湊型單槽設(shè)計(jì)，隸屬于該公司雙線串行接口故障注入開關(guān)產(chǎn)品家族。該系列產(chǎn)品基于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）開關(guān)技術(shù)，專為模擬高
關(guān)鍵字： Pickering MEMS 千兆以太網(wǎng)

Pickering 新型基于MEMS技術(shù)的多端口千兆以太網(wǎng)接口單元（GBASE-T1 FIU），顯著提升了測(cè)試系統(tǒng)的帶寬、數(shù)據(jù)吞吐能力以及使用壽命

2025年10月22 日，美國(guó)馬薩諸塞州特克斯伯里——作為電子測(cè)試與驗(yàn)證領(lǐng)域模塊化信號(hào)開關(guān)及仿真解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，Pickering Interfaces公司宣布對(duì)廣受歡迎的PXI故障注入單元開關(guān)模塊系列擴(kuò)展并推出新產(chǎn)品。新增的40-205（PXI）和42-205（PXIe）系列采用緊湊型單槽設(shè)計(jì)，隸屬于該公司雙線串行接口故障注入開關(guān)產(chǎn)品家族。該系列產(chǎn)品基于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）開關(guān)技術(shù)，專為模擬高速通信協(xié)議中的典型故障場(chǎng)景而設(shè)計(jì)，能夠滿足MultiGBASE-T1測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的最新演進(jìn)要求。
關(guān)鍵字： Pickering MEMS 千兆以太網(wǎng)接口單元 GBASE-T1 FIU 帶寬數(shù)據(jù)吞吐能力

CMOS 2.0 正在推進(jìn)半導(dǎo)體拓展極限

關(guān)鍵Imec在晶圓間混合鍵合和背面連接方面的突破正在推動(dòng)CMOS 2.0的發(fā)展，CMOS 2.0通過將片上系統(tǒng)（SoC）劃分為專門的功能層來優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)。CMOS 2.0 利用先進(jìn)的 3D 互連和背面供電網(wǎng)絡(luò) （BSPDN）來提高電源效率并實(shí)現(xiàn) SoC 內(nèi)不同功能的異構(gòu)堆疊。背面連接和 BSPDN 有助于晶圓兩側(cè)電源和信號(hào)的無縫集成，減少紅外壓降并增強(qiáng)移動(dòng) SoC 和其他應(yīng)用的整體性能。在快速發(fā)展的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，imec 最近在晶圓間混合鍵合和背面連接方面的突破正在為 CMOS 2.0 鋪平道路，這是
關(guān)鍵字： CMOS 2.0 半導(dǎo)體

堅(jiān)固的微鏡可以將激光雷達(dá)帶到更多汽車上

五年前，埃里克·阿吉拉爾（Eric Aguilar）受夠了。他在特斯拉和谷歌 X 研究激光雷達(dá)和其他傳感器多年，但這項(xiàng)技術(shù)似乎總是太昂貴，更重要的是，不可靠。當(dāng)激光雷達(dá)傳感器損壞時(shí)，他更換了它們——這種情況太頻繁了，而且似乎是隨機(jī)的——并開發(fā)了復(fù)雜的校準(zhǔn)方法和維護(hù)程序，只是為了保持它們的運(yùn)行和汽車的駕駛能力。因此，當(dāng)他走到盡頭時(shí)，他發(fā)明了一種更強(qiáng)大的技術(shù)——他稱之為“有史以來最強(qiáng)大的微型機(jī)器”。Aguilar 和他在初創(chuàng)公司 Omnitron Sensors 的
關(guān)鍵字：微鏡激光雷達(dá) 數(shù)據(jù)中心 MEMS

面向工業(yè)資產(chǎn)健康監(jiān)測(cè)的新型邊緣傳感解決方案

本文深入探討了一款先進(jìn)的智能振動(dòng)傳感器，重點(diǎn)介紹它基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的設(shè)計(jì)、功能和應(yīng)用。這款傳感器的核心目標(biāo)是在各種工業(yè)和研究環(huán)境中提供高精度、高可靠性和實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)能力，展現(xiàn)ADI公司不同MEMS傳感技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。
關(guān)鍵字：工業(yè)資產(chǎn) 狀態(tài)監(jiān)控 CbM CMS MEMS

走進(jìn)芯片：CMOS反相器

以一個(gè)實(shí)際的CMOS反相器實(shí)物為例，從逆向的角度出發(fā)，為大家簡(jiǎn)單介紹其在芯片中的具體呈現(xiàn)形式。通過這一過程，希望能夠幫助各位讀者在后續(xù)的逆向工程實(shí)踐中，快速而準(zhǔn)確地判斷出CMOS反相器，從而為深入分析芯片的整體架構(gòu)和功能奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。在芯片的微觀世界中，CMOS反相器通常由一個(gè)P型MOSFET和一個(gè)N型MOSFET組成。這兩個(gè)晶體管的源極和漏極分別相連，形成一個(gè)互補(bǔ)對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。當(dāng)輸入信號(hào)為低電平時(shí)，N型MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，而P型MOSFET則導(dǎo)通，電流從電源流向輸出端，使得輸出端呈現(xiàn)高電平；反之，
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器 ISP

GlobalFoundries 與中國(guó)代工廠合作，進(jìn)行本地化汽車級(jí) CMOS 生產(chǎn)

盡管第三季度前景疲軟，受消費(fèi)者需求低迷影響，但 GlobalFoundries 正在中國(guó)采取大膽行動(dòng)。這家芯片制造商通過與新代工廠的新協(xié)議，正在加速其“中國(guó)為中國(guó)”戰(zhàn)略，首期將啟動(dòng)汽車級(jí) CMOS 和 BCD 技術(shù)，根據(jù)其新聞稿和 IT Home 的報(bào)道。如 IT之家所強(qiáng)調(diào)，并援引公司高管的話，目標(biāo)訂單來自在中國(guó)有需求的國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體公司——在轉(zhuǎn)移代工廠時(shí)，無需客戶重新開發(fā)或重新認(rèn)證其芯片設(shè)計(jì)。根據(jù)來自 Seeking Alpha 的財(cái)報(bào)記錄，
關(guān)鍵字： CMOS 汽車電子傳感器

CMOS 2.0：后納米芯片時(shí)代的分層邏輯

五十多年來，半導(dǎo)體行業(yè)一直依賴一個(gè)簡(jiǎn)單的方程式——縮小晶體管，在每片晶圓上封裝更多晶體管，并隨著成本的下降而看到性能飆升。雖然每個(gè)新節(jié)點(diǎn)在速度、能效和密度方面都提供了可預(yù)測(cè)的提升，但這個(gè)公式正在迅速耗盡。隨著晶體管接近個(gè)位數(shù)納米工藝，制造成本正在飆升，而不是下降。電力傳輸正在成為速度與熱控制的瓶頸，定義摩爾定律的自動(dòng)性能提升正在減少。為了保持進(jìn)步，芯片制造商已經(jīng)開始抬頭看——字面意思。他們不是將所有內(nèi)容都構(gòu)建在一個(gè)平面上，而是垂直堆疊邏輯、電源和內(nèi)存。雖然 2.5D 封裝已經(jīng)將其中一些投入生產(chǎn)，將芯片并排
關(guān)鍵字： CMOS 2.0 納米分層邏輯