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ddr4 文章 最新資訊

紫光國微：國產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片預(yù)計年底推向市場

  • 　　國產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國微在深交所互動平臺上表示，目前國產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中，紫光國微預(yù)計今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場。　　之前紫光國微副總裁杜林虎已經(jīng)表示，未來紫光國微會在DRAM存儲器芯片產(chǎn)品方面加大投入，對于公司來說，DDR3內(nèi)存芯片是主流，而DDR4芯片會在年內(nèi)完成設(shè)計和生產(chǎn)。　　紫光DDR4內(nèi)存采用DIMM(U-DIMM)和SO-DIMM開發(fā)。U型DIMM是“SCQ04GU03AF1C-21P”、“SCQ04GE03AF1C-21P”，SO-DIMM的2個型號為“SCQ04
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國產(chǎn)DDR4內(nèi)存邁出第一步：內(nèi)存降價、大國崛起就此一帆風(fēng)順了嗎？

  • 國家在強調(diào)制造升級，內(nèi)存、閃存、處理器為代表的集成電路產(chǎn)業(yè)則是中國公司尚未大規(guī)模攻克的重點領(lǐng)域之一，此事也關(guān)乎大國崛起，沒有拿得出手的高科技優(yōu)勢，中國制定的2025制造業(yè)目標(biāo)就很難實現(xiàn)。
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國產(chǎn)內(nèi)存真的來了：紫光可提供DDR3、DDR4內(nèi)存芯片

  • 　　還記得前段時間鬧得沸沸揚揚的國產(chǎn)DDR4芯片的傳聞嗎?當(dāng)時有消息稱紫光旗下的半導(dǎo)體公司量產(chǎn)了國內(nèi)首個DDR4內(nèi)存，只是這事疑點重重，最后紫光官方也辟謠稱目前并沒有DDR4內(nèi)存量產(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)品正在研發(fā)中。 　　   　　現(xiàn)在國產(chǎn)DDR4內(nèi)存又來了，涉及的還是紫光旗下的西安國芯半導(dǎo)體，其官網(wǎng)頁面明確提到了可以長期供應(yīng)DDR3、DDR4在內(nèi)的DRAM芯片和裸晶圓。 　　這次涉及國產(chǎn)DDR4的還是紫光集團的子公司紫光國芯，旗下?lián)碛形靼沧瞎鈬尽⑸钲趪?、紫光同?chuàng)等公司。根據(jù)官網(wǎng)介紹，&ld
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SK海力士搞定單Die 16Gb DDR4顆粒：256GB內(nèi)存條有戲

  • 　　SK海力士近日悄然在其產(chǎn)品目錄中增加了16Gb(2GB)容量的單Die DDR4內(nèi)存顆粒，不僅可以使用更少的芯片打造大容量內(nèi)存條，還為單條256GB內(nèi)存條鋪平了道路。 　　16Gb乃至是32Gb DDR4顆粒其實并不罕見，SK海力士等早都有了，不過是用兩顆或者四顆8Gb Die堆疊而成的，再造出16GB、32GB內(nèi)存條。 　　但是，如此密集堆疊的內(nèi)存顆粒和內(nèi)存條十分復(fù)雜，比如64GB LRDIMM條子需要設(shè)置為四個Rank，128GB的更得八個Rank，結(jié)果導(dǎo)致延遲非常高，DDR4-2400/26
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價格瘋漲又暴跌：內(nèi)存廠商都賠哭了！

  • 因為近期挖礦緣故，加之此前價格影響，內(nèi)存需求已經(jīng)降至冰點，春節(jié)前回暖的可能性不大，只能寄希望于2月份年后的傳統(tǒng)旺季了。
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紫光國芯官方確認(rèn) 首款國產(chǎn)DDR4內(nèi)存明年上市

  • 　　最近，一張印有紫光國芯(UniIC)LOGO 的內(nèi)存條出現(xiàn)在了網(wǎng)絡(luò)上，有人稱這就是紫光自主研發(fā)的 DDR4 內(nèi)存。一開始大家還不太相信圖片的真實性，因為貼紙上出現(xiàn)了 PC3-12800U 的字樣，對應(yīng)的其實是 DDR3 1600 內(nèi)存。但是近日紫光官方竟然主動承認(rèn)了，他們表示這雖然不是真的，但是紫光確實有相關(guān)的計劃。 　　近日，紫光國芯在全景網(wǎng)投資者互動平臺上發(fā)出了正式回應(yīng)，他們表示上述關(guān)于 DDR4 產(chǎn)品的報道并不確切，但是公司現(xiàn)在確實在開展 DDR4存儲芯片和模組的設(shè)計與開發(fā)工作，而按照計劃，該
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兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機

  • 　　搶攻DRAM市場商機，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達(dá)更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 　　DRAM市場表現(xiàn)強勁，IC Insights預(yù)估，2017年DRAM市場將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預(yù)計將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
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賣不出去！內(nèi)存暴漲價自食惡果：沒貨、降價

  • 內(nèi)存價格持續(xù)上漲了幾乎兩年的時間，對于接下來的內(nèi)存行情，經(jīng)銷商普遍不看好，主要是渠道需求不佳，行情繼續(xù)橫盤，恐怕依然會有很大的震蕩，關(guān)鍵就看DDR4顆粒供應(yīng)緊張能否有所改善了。
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紫光自主DDR4內(nèi)存曝光：單條4GB

  • 半導(dǎo)體領(lǐng)域一直是個很大的短板，當(dāng)然我們也在努力追趕，CPU處理器無論超算還是消費領(lǐng)域都有了突破，內(nèi)存存儲也在大踏步追趕。
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三星第二代10nm級別8Gb DDR4內(nèi)存投產(chǎn)，以后高頻條3600MHz起跳

  • 　　三星剛才宣布量產(chǎn)第二代10nm級別(1y-nm)的8Gb DDR4內(nèi)存顆粒，新的內(nèi)存具備更高的頻率與更低的供貨，以及更小的尺寸，產(chǎn)能可以比初代10nm級別(1x-nm)的高30%，然而價格嘛……應(yīng)該暫時不會降。 　　   　　新的1y-nm 8Gb DDR4顆粒采用了先進(jìn)的專用電路設(shè)計技術(shù)，性能水平與效能會比1x-nm的高約10%到15%，它能夠在3600MHz下運行，而1x-nm的8Gb DDR4顆粒則是3200MHz，也就是說以后的高頻內(nèi)存要以360
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第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%,明年首季確定再漲

  • 　　DRAM 內(nèi)存市場近期嚴(yán)重供不應(yīng)求，造成全球內(nèi)存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價格再上調(diào) 3% 至 5%。 而另一家內(nèi)存大廠 SK 海力士也將調(diào)漲約 5%。 除此之外，有部分供應(yīng)鏈透露，2018 年第 2 季的價格恐也將不樂觀，價格將續(xù)漲 5% 以上。 因此，在需求太強勁的情況下，此波 DRAM 價格從 2016年下半年以來，每季都呈現(xiàn)上漲的態(tài)勢。 如果加上 2018 年第 1 季持續(xù)漲價，報價已經(jīng)連續(xù) 7 季走揚，堪稱 DRAM 史上時間最長的多頭行情。 　　事實上，當(dāng)前的第 4 季是傳統(tǒng)
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至少到明年一季度！內(nèi)存價格依舊持續(xù)維持高位

  • 　　近一年多來，內(nèi)存價格持續(xù)高漲，雖然這一段時間暫時有所平穩(wěn)，漲價的勢頭似乎被遏制住了，但想降價的話短期內(nèi)還是個夢。 　　   　　據(jù)博板堂統(tǒng)計，2017年10月份中國區(qū)TOP11內(nèi)存品牌總出貨量又下滑了10%左右，連續(xù)兩個月倒退。 　　原因主要是上游DRAM內(nèi)存顆粒供應(yīng)依然十分緊張，而且供貨時間有限，再加上雙11電商備貨影響，整個市場異常慘淡。 　　   　　作為內(nèi)存行業(yè)老大，金士頓缺貨問題非常嚴(yán)重，實際出貨時間只有半個月左右，整體工廠出貨量創(chuàng)下歷史新低，當(dāng)月還
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DDR4快破千！內(nèi)存價格一路瘋漲：明年形勢依舊

  • 　　上周日,內(nèi)存的價格波動再次引發(fā)了外界的關(guān)注,國內(nèi)銷量第一的金士頓駭客神條D4-2400飆出779元的新高。 　　   　　今天,京東上,D4-2133來到829元,D4-2400再次創(chuàng)下799元的新紀(jì)錄。 　　   　　京東的問答區(qū)已經(jīng)完全被漲價淪陷,“破千指日可待”“金子做的嗎”“這么便宜?一千以下不敢買”。 　　   　　根據(jù)網(wǎng)友的曬單,去年D4-2133條一度刷到了
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如何降低DDR4系統(tǒng)功耗？PSOD輸出藏貓膩

  • DDR4是JEDEC組織關(guān)于DRAM器件的下一代標(biāo)準(zhǔn)。DDR4主要是針對需要高帶寬低功耗的場合。這些需求導(dǎo)致了DDR4芯片引入了一些新的特點，這些新的特點，導(dǎo)致在系統(tǒng)設(shè)計中，引入一些新的設(shè)計需求。
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DDR4陣營持續(xù)擴大 將首度超越DDR3

  • 　　第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來，銷售額在整體DRAM存儲器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(ASP)跌至約與DDR3相同，當(dāng)年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。 　　調(diào)研機構(gòu)ICInsights預(yù)估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86Core系列處理器等都開始向DDR4存儲器靠攏，預(yù)計2017年全球DDR4銷售額占比將會揚升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結(jié)過去6年DDR3占比持續(xù)維持第一的
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ddr4 介紹

DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細(xì) ]

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