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ddr4 文章 最新資訊

中國(guó)芯：瀾起科技的酸甜苦辣之2014

  • 　　瀾起科技在2014年的年初和年末分別經(jīng)歷了的強(qiáng)烈的指責(zé)以及年末并購(gòu)案對(duì)公司利好的喜悅。那么除了這大喜和大悲之后，瀾起科技在2014年同樣還經(jīng)歷了二次增發(fā)成功的幸福，被做空股價(jià)動(dòng)蕩的苦惱，有收到私有化要約的震驚，有中間起起伏伏的波折，有節(jié)節(jié)高升的業(yè)績(jī)，更有私有化成功的回歸。
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20納米轉(zhuǎn)換困難重重　4GB DDR4主流之路恐延后

  • 　　DRAM廠轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程困難重重，業(yè)界傳出美光(Micron)旗下的20納米制程產(chǎn)品大量導(dǎo)入終端應(yīng)用的時(shí)間點(diǎn)，會(huì)遞延至2016年第1季，象征4GbDDR4成為主流的時(shí)間點(diǎn)也會(huì)延后。然而美光旗下華亞科表示，目前20納米制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度一切都如預(yù)期，年底會(huì)有8萬(wàn)片的12吋晶圓轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程，資本支出不會(huì)改變。 　　日前傳出韓系存儲(chǔ)器廠25納米制程的產(chǎn)品未過(guò)PCOEM客戶認(rèn)證，導(dǎo)致部分貨源流入現(xiàn)貨市場(chǎng)，這也代表進(jìn)入先進(jìn)制程技術(shù)后，產(chǎn)品認(rèn)證的嚴(yán)格度大幅攀升，未來(lái)20納米制程世代的問(wèn)題更嚴(yán)重，轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程
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20納米轉(zhuǎn)換困難重重　4Gb DDR4主流之路恐延后

  • 　　DRAM廠轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程困難重重，業(yè)界傳出美光(Micron)旗下的20納米制程產(chǎn)品大量導(dǎo)入終端應(yīng)用的時(shí)間點(diǎn)，會(huì)遞延至2016年第1季，象征4Gb DDR4成為主流的時(shí)間點(diǎn)也會(huì)延后。然而美光旗下華亞科表示，目前20納米制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度一切都如預(yù)期，年底會(huì)有8萬(wàn)片的12吋晶圓轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程，資本支出不會(huì)改變。 　　日前傳出韓系存儲(chǔ)器廠25納米制程的產(chǎn)品未過(guò)PC OEM客戶認(rèn)證，導(dǎo)致部分貨源流入現(xiàn)貨市場(chǎng)，這也代表進(jìn)入先進(jìn)制程技術(shù)后，產(chǎn)品認(rèn)證的嚴(yán)格度大幅攀升，未來(lái)20納米制程世代的問(wèn)題更嚴(yán)重，轉(zhuǎn)進(jìn)20納米
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淺談 DDR4 的技術(shù)變革與市場(chǎng)趨勢(shì)

  • 　　動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(Dynamic Random-Access Memory，DRAM)是常見(jiàn)的記憶體元件。在處理器相關(guān)運(yùn)作中，DRAM 經(jīng)常被用來(lái)當(dāng)作資料與程式的主要暫存空間。相對(duì)于硬碟或是快閃記憶體(Flash Memory)，DRAM 具有存取速度快、體積小、密度高等綜合優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛的使用在各式各樣現(xiàn)代的科技產(chǎn)品中，例如電腦、手機(jī)、游戲機(jī)、影音播放器等等。 　　   　　自 1970 年英代爾(Intel)發(fā)表最早的商用 DRAM 晶片-Intel 1103 開(kāi)始，隨著半導(dǎo)
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威剛超頻存儲(chǔ)器創(chuàng)紀(jì)錄

  • 　　記憶體品牌威剛科技宣布，威剛XPG Z1 DDR4 3333超頻記憶體搭配華碩(ASUS)ROG系列Rampage V Extreme主機(jī)板，以液態(tài)氮(LN2)超頻，直達(dá)4255MHz CL17，締造了全新紀(jì)錄。 　　威剛長(zhǎng)期與各大主機(jī)板廠合作，努力追求DDR4搭配Intel最新X99平臺(tái)的最高效能。秉持堅(jiān)強(qiáng)的研發(fā)實(shí)力，全新閃耀金色版的威剛XPG Z1 DDR4 3333MHz此次輕松突破4GHz大關(guān)，還達(dá)到了4255MHz CL17的超高頻率與時(shí)序，證明了威剛XPG Z1 DDR4 3333超頻記
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Altera演示FPGA中業(yè)界性能最好的DDR4存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)速率

  • 　　Altera公司今天宣布，在硅片中演示了DDR4存儲(chǔ)器接口，其工作速率是業(yè)界最高的2，666 Mbps。Altera的Arria® 10 FPGA和SoC是目前業(yè)界唯一能夠支持這一速率DDR4存儲(chǔ)器的FPGA，存儲(chǔ)器性能比前一代FPGA提高了43%，比競(jìng)爭(zhēng)20 nm FPGA高出10%。硬件設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以使用最新的Quartus® II軟件v14.1，在Arria 10 FPGA和SoC設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)2，666 Mbps DDR4存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)速率。視頻演示表明，魯棒的存儲(chǔ)器接口能夠工作在2
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鎖定巨量數(shù)據(jù)應(yīng)用 三星加快量產(chǎn)DDR4、TLC SSD

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)為迎接巨量資料(Big Data)時(shí)代的來(lái)臨，將以資料儲(chǔ)存半導(dǎo)體事業(yè)一決勝負(fù)，目標(biāo)擬以DDR4 DRAM和3D V-NAND為基礎(chǔ)的固態(tài)硬碟(SSD)列為核心產(chǎn)品。 　　據(jù)韓國(guó)Inews 24報(bào)導(dǎo)，總括負(fù)責(zé)三星半導(dǎo)體事業(yè)部的DS部門將擴(kuò)編人力，在集團(tuán)底下成立巨量資料中心，并依照產(chǎn)品分析消費(fèi)者的喜好程度等，強(qiáng)化事業(yè)力量。 　　DDR4 DRAM相較于DDR3，待機(jī)電流減少30%、耗電量減少35%，是能源使用效率高的產(chǎn)品。資料傳輸速度也較DDR3快2倍
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Intel絕妙創(chuàng)意：同時(shí)兼容DDR3/DDR4規(guī)格

  • 　　以往每次內(nèi)存更新?lián)Q代的時(shí)候，Intel總是同時(shí)提供支持，主板廠商也會(huì)推出一些同時(shí)有兩種插槽的板子，給大家更多選擇，但是這一次的Haswell-E，Intel狠心只支持DDR4(據(jù)說(shuō)其實(shí)也支持DDR3但屏蔽了)，實(shí)在有點(diǎn)激進(jìn)。 　　不過(guò)，Intel其實(shí)還有一個(gè)鬼點(diǎn)子“UniDIMM”(Universal DIMM)，可以讓DDR3、DDR4、LPDDR3甚至是未來(lái)的LPDDR4共享一種接口規(guī)格，隨便更換、升級(jí)。 　　   　　Universal DIMM(U
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瀾起科技推出全球首顆第二代DDR4的寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)芯片

  • 　　瀾起科技集團(tuán)有限公司，專注于為家庭娛樂(lè)和云計(jì)算市場(chǎng)提供以芯片為基礎(chǔ)的全方位解決方案的全球無(wú)晶圓廠供應(yīng)商，27日宣布推出全球首顆第二代DDR4寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片(DDR4RCD02)。 　　DDR4RCD02 芯片完全符合最新的JEDEC DDR4RCD02規(guī)范，支持2667MHz及以上的時(shí)鐘頻率。該芯片在性能和速度較其最高支持DDR4-2400的第一代DDR4寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)芯片(DDR4RCD01)有顯著改善。目前瀾起科技已經(jīng)將DDR4RCD02工程樣片交給客戶，供其開(kāi)發(fā)支持第二代DDR4 RDI
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DDR4市場(chǎng)容量將達(dá)十億美金

  • 　　歷經(jīng)六年的開(kāi)發(fā)時(shí)間，DDR4終于踏上征程，揚(yáng)帆起航。 　　近日英特爾服務(wù)器處理器Xeon E5-2600系列，正式推出采用Haswell新運(yùn)算架構(gòu)的第三代產(chǎn)品Xeon E5-2600 v3，開(kāi)始支持時(shí)鐘頻率達(dá)2133MHz的DDR4存儲(chǔ)器，這表明在PC、服務(wù)器平臺(tái)叱咤風(fēng)云多年的DDR3進(jìn)入世代交替的階段。 　　其實(shí)英特爾的這個(gè)出乎意料的舉動(dòng)還滿反常的，因?yàn)檫@異于其以往處理器支持新規(guī)格存儲(chǔ)器的步調(diào)──通常先針對(duì)PC平臺(tái)、再針對(duì)服務(wù)器平臺(tái)。但目前英特爾僅在第三季才剛推出的高階桌上型PC處理器當(dāng)中(Co
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三星業(yè)內(nèi)首先量產(chǎn)企業(yè)級(jí)服務(wù)器用DDR4內(nèi)存

  • 　　全球存儲(chǔ)領(lǐng)軍品牌三星電子今日宣布，已開(kāi)始正式量產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款基于3D TSV(through silicon via,硅通孔)封裝技術(shù)的64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存。該款高密度高性能的內(nèi)存模塊不僅能推動(dòng)企業(yè)級(jí)服務(wù)器和云計(jì)算環(huán)境下應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，也會(huì)在數(shù)據(jù)中心解決方案的進(jìn)一步多樣化上起到關(guān)鍵性作用。 　　新推出的RDIMM內(nèi)存由36個(gè)DDR4 DRAM芯片組成，而每片芯片又包含4顆4Gb的DDR4 DRAM裸片。這款低能耗的芯片采用了三星最尖端的20納米級(jí)制程技術(shù)和3D TSV封裝技術(shù)。
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Molex更新DDR4 DIMM插座

  • 　　Molex公司現(xiàn)推出DDR4 DIMM插座產(chǎn)品，具有氣動(dòng)及標(biāo)準(zhǔn)兩種型款，為設(shè)計(jì)工程師提供更多的選項(xiàng)和更高的性能，同時(shí)保持成本競(jìng)爭(zhēng)力。氣動(dòng)插座產(chǎn)品具有通孔端接類型和流線型的鎖閂及外殼, 提供更好的氣流及節(jié)省空間;而標(biāo)準(zhǔn)型款則具有三種端接類型：用于免焊工藝的壓接式;簡(jiǎn)化印刷電路板(PCB)跡線路由的表面安裝類型;以及用于高成本效益應(yīng)用的通孔類型。 　　所有Molex DDR4 DIMM插座均可滿足JEDEC規(guī)范并支持UDIMM、RDIMM和LRDIMM內(nèi)存應(yīng)用，設(shè)計(jì)用于數(shù)據(jù)、計(jì)算、電信和網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器，具有
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Cadence推出16納米FinFET制程DDR4 PHY IP

  • 　　全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS)于2014年5月20日宣布，立即推出基于臺(tái)積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知識(shí)產(chǎn)權(quán))。16納米技術(shù)與Cadence創(chuàng)新的架構(gòu)相結(jié)合，可幫助客戶達(dá)到DDR4標(biāo)準(zhǔn)的最高性能，亦即達(dá)到3200Mbps的級(jí)別，相比之下，目前無(wú)論DDR3還是DDR4技術(shù)，最高也只能達(dá)到2133Mbps的性能。通過(guò)該技術(shù)，需要高內(nèi)存帶寬的服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)交換、存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)和其他片上系統(tǒng)(SoC)現(xiàn)在可以使用Cadence? DD
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Teledyne LeCroy提供了新的288腳的DDR4內(nèi)插器

  • 　　Teledyne?LeCroy(力科)，世界高速I/O分析和協(xié)議測(cè)試方案的領(lǐng)導(dǎo)者，升級(jí)了其Kibra?480?DDR協(xié)議分析儀平臺(tái)，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內(nèi)存模塊的探測(cè)選件。新的內(nèi)插器支持DDR4?U-DIMM，R-DIMM，以及LR-DIMM，并能夠?qū)γ總€(gè)通道的速率高達(dá)3200MT/s的兩個(gè)DIMM進(jìn)行非侵入式監(jiān)控?！　⌒碌膬?nèi)插器的設(shè)計(jì)是用于配合力科的Kibra?480的協(xié)議分析儀的使用，其可坐落于DIMM內(nèi)存槽中，且可
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力科新288腳DDR4內(nèi)插器配合Kibra 480協(xié)議分析儀

  • 　　Teledyne?LeCroy(力科)，世界高速I/O分析和協(xié)議測(cè)試方案的領(lǐng)導(dǎo)者，升級(jí)了其Kibra?480?DDR協(xié)議分析儀平臺(tái)，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內(nèi)存模塊的探測(cè)選件。新的內(nèi)插器支持DDR4?U-DIMM，R-DIMM，以及LR-DIMM，并能夠?qū)γ總€(gè)通道的速率高達(dá)3200MT/s的兩個(gè)DIMM進(jìn)行非侵入式監(jiān)控。　　新的內(nèi)插器的設(shè)計(jì)是用于配合力科的Kibra?480的協(xié)議分析儀的使用，其可坐落于DIMM內(nèi)存槽中，且可
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ddr4 介紹

DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問(wèn)的內(nèi)存美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細(xì) ]

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