- ? 全球電子設計創新領先企業Cadence設計系統公司(CadenceDesignSystems,Inc.)日前宣布，CadenceDDR4SDRAMPHY和存儲控制器DesignIP的首批產品在TSMC的28HPM和28HP技術工藝上通過硅驗證。
- 關鍵字：
DDR4 28納米
- 全球電子設計創新領先企業Cadence設計系統公司(Cadence Design Systems, Inc.) (NASDQ： CDNS) 日前宣布，Cadence DDR4 SDRAM PHY 和存儲控制器Design IP的首批產品在TSMC的28HPM和28HP技術工藝上通過硅驗證。
- 關鍵字：
Cadence DRAM DDR4
- DDR4作為DDR3 DRAM的繼承者，Micron本周一宣布明年將有望和大家見面，被應用在普通PC上。據澳大利亞的Techworld報道，公司已經為發售初始版本的內存DDR4做好準備。DDR3作為目前主流電腦的不二選擇，相比較即將來臨的DDR4已經明顯在功耗和性能上落后，新的DDR4有望工作在更低的電壓下，相比較和1.5V DDR3只需要1.2V，并且總線速度將定位在2133MHz，無論在讀寫性能和刷新頻率上都明顯強于前任。
制定內存標準的電子設備工程聯合協會(JEDEC)下個月將推出DDR4
- 關鍵字：
Micron DDR4
- 雖然比起目前韓國雙雄兼世界前兩大內存/閃存設備生產商三星與SK Hynix慢了一步，但美光還是緊追不放在今日正式宣布該公司首個DDR4 DRAM模組研發完成。目前即將開始制造樣品給主要客戶送測，預計將于2013年正式進入市場。
根據內存標準化組織JEDEC的規劃，服務器以及企業市場將于2013年最先嘗到DDR4的甜頭，它對比目前的DDR3內存擁有更高的頻率和更低的工作電壓。美光此次宣布的產品和臺灣南亞科技共同研發，采用30nm制程工藝。單“條”內存模組擁有8塊4Gbit
- 關鍵字：
美光 DDR4
- DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內存或于2014年首先用于服務器領域，然后再過一年半左右才進入桌面。據悉，Intel的再下代企業級服務器平臺Haswell-EX將會第一個整合DDR4內存控制器。Haswell-EX和我們經常展望的Haswell屬于同一家族，面向數據中心等大型企業領域，最多擁有16個核心，四路就是64核心。
DDR4內存不僅會帶來頻率的大幅提升(最高可達4266MHz)，更會有1.2V低電壓、更好的對等保護和錯誤恢復等技術，這些大
- 關鍵字：
英特爾 DDR4
- DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內存或于2014年首先用于服務器領域，然后再過一年半左右才進入桌面。據悉，Intel的再下代企業級服務器平臺Haswell-EX將會第一個整合DDR4內存控制器。Haswell-EX和我們經常展望的Haswell屬于同一家族，面向數據中心等大型企業領域，最多擁有16個核心，四路就是64核心。
DDR4內存不僅會帶來頻率的大幅提升(最高可達4266MHz)，更會有1.2V低電壓、更好的對等保護和錯誤恢復等技術，這些大
- 關鍵字：
英特爾 DDR4
- JEDEC固態技術協會今天公布了DDR4內存標準中的部分關鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發布新一代內存標準規范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時繼續降低功耗。JEDEC固態技術協會宣稱，DDR4將具備一系列創新特性，可帶來更快的運行速度和廣泛的實用性，包括服務器、筆記本、臺式機、消費電子產品等等，其頻率、電壓和架構也都在進行重新定義，目標是簡化新標準的遷移和部署。
- 關鍵字：
三星 DDR4
- 內存芯片的雙倍數據速率（DDR4）的標準將包括三個數據寬度的產品，差分信號傳輸，數據屏蔽和一個新的終止計劃，根據JEDEC的固態技術協會，標準開發商制定的標準。
- 關鍵字：
JEDEC DDR4
- 據IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術。2011年DRAM模組出貨量將達8.08億個左右，預計DDR3將占89%，高于去年的67%和2009年的24%。DRAM模組是包含DRAM芯片的封裝，用于PC和其它電子產品之中。
- 關鍵字：
DDR4 DRAM
- 三星電子星期二稱，它已經開發出了一種新的計算機內存模塊，讀寫數據的速度是上一代內存芯片的一倍。
三星電子在聲明中稱，它將在2012年開始使用30納米級的技術生產這種新的DDR4 DRAM內存模塊。
- 關鍵字：
三星 DDR4
ddr4介紹
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態隨即訪問的內存美國JEDEC 的固態技術協會于2000 年6 月公布了雙數據速率同步動態存儲器(DDR SDRAM)規范JESD79 由于它在時鐘觸發沿的上下沿都能進行數據傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
