- 前言人工智能/機器學習（AI/ML）改變了一切，影響著每個行業并觸動著每個人的生
活。人工智能正在推動從5G到物聯網等一系列技術市場的驚人發展。從2012年到
2019年，人工智能訓練集增長了30萬倍，每3.43個月翻一番，這就是最有力的證
明。支持這一發展速度需要的遠不止摩爾定律所能實現的改進，摩爾定律在任何情況下都在放緩，這就要求人工智能計算機硬件和軟件的各個方面都需要不斷的快速改進。從2012年至今，訓練能力增長了30萬倍內存帶寬將成為人工智能持續增長的關鍵焦點領域之一。以先進的駕駛員輔助系
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ADAS ML DRAM 內存
- 實現DRAM量產后，預計生產新一代VNAND與超精細制程的晶圓代工產品 憑借更快更薄的產品搶占移動設備市場，下一步進軍汽車電裝市場 韓國首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠第二生產線正式開工，首發量產產品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻）制程的16Gb（吉字節）LPDDR5移動DRAM，開創業界先河。 ? ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠第二生產線的建筑面積達12.89萬平方米（
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EUV10 納米級 LPDDR5 DRAM
- 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產線已開始量產業界首款采用極紫外光（EUV）技術的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當下最高的移動產品內置內存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業提升到了一個新的門檻，克服了先進節點下DRAM擴展的主要發展障礙。"三星電子DRAM產品與技術執行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號線占地超過128900平方米，相當于約16個足球場，是迄今為止全
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三星 LPDDR5 DRAM
- 早在2019年初的CES大展上，Intel就宣布了基于10nm工藝、面向5G無線基站的Snow Ridge SoC處理器，直到今年2月底才正式發布，定名凌動Atom P5900，但沒有公布具體規格。根據最新消息，Snow Ridge的繼任者代號為“Grand Ridge”，而這次，詳細的規格參數提前一覽無余。Grand Ridge將采用7nm工藝制造，BGA封裝面積47.5×47.5平方毫米，而且特別強調是Intel自家的7nm HLL+工藝，這意味著它可能要到2023年才會面世。但等待是值得的，除了先進
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7nm 24核心 DDR5 PCIe 4.0 Intel
- 根據外媒 VideoCardz 的消息，9 月 2 日，英特爾將推出其 Tiger Lake-U 系列處理器，采用 Willow Cove 架構和 Xe 核顯。爆料者 @momomo_us 的最新消息稱，英特爾計劃在 2021 年初推出名為 Tiger Lake-H 系列產品。▲via Vide
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英特爾 處理器 DDR5
- 日本計劃在東京奧運會上展示無人駕駛技術，展現了近年來汽車智能化的成果。隨著5G技術與人工智能（ AI）的發展，車載通訊技術已慢慢從早期的娛樂影音播放以及導航系統，發展到現在的深度學習與車聯網（ V2X），并朝著無人駕駛的目標前進。而實現此目標的關鍵因素正是半導體。目前，先進駕駛輔助系統（ADAS）是車載通訊中最普遍的應用之一，它包含不同的子功能主動式巡航控制、自動緊急煞車、盲點偵測以及駕駛人監控系統等。車輛制造商一直試著添加更多主動式安全保護，以達到無人駕駛的最終目標。因此，越來越多的半導體產商與車輛制造
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ADAS NOR DRAM AI V2X EM
- 都說一流的企業定標準，可見能夠參與制定標準的企業，都是最頂尖的企業，所以我們能夠看到每當一項國際標準出爐時，各國的企業們都是打破頭的想把自己的標準定為國標標準。比如大家最熟悉的通信標準制定，從1G到5G標準的確定，那可是一項波瀾壯闊的通信技術競爭史，也是中國通信技術的崛起史。而不久前，跳票了近2年時間之后，JEDEC終于確定了JESD79-5 DDR5 SDRAM標準，這也是一項國際標準，有利于內存企業們盡快推出自己的DDR5內存。但與DDR4標準有中國企業參與不同，瀾起科技在DDR4F時代，發明的DDR
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DDR5 內存標準
- 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統。該系統具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術的芯片）。eSL10的研發是始于最基本的構架，針對研發生產存在多年的問題而開發出了多項突破性技術，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場上任何其他電子束系統都難以比擬的。KLA電子束部門總經理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
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DRAM NAND
- 作為計算機內存發展的重要里程碑，JEDEC固態技術協會發布了下一個主流內存標準DDR5 SDRAM的最終規范。DDR5是DDR標準的最新迭代，DDR5再次擴展了DDR內存的功能，將峰值內存速度提高了一倍，同時也大大增加了內存容量。基于新標準的硬件預計將于2021年推出，先從服務器層面開始采用，之后再逐步推廣到消費者PC和其他設備。外媒anandtech報道，和之前的每一次DDR迭代一樣，DDR5的主要關注點再次放在提高內存密度以及速度上。JEDEC希望將這兩方面都提高一倍，最高內存速度將達到6.4Gbps
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PC DDR5 內存
- 去年下半年開始，使用 LPDDR5 內存的手機陸續發布。雖然用于電腦的 DDR5 內存與用于手機的 LPDDR5 并不相同，但這也讓許多 DIY 玩家期待 DDR5 內存的到來，那么它今天真的來了。JEDEC
固態技術協會最初計劃在 2018 年公布 DDR5 SDRAM
最終規范，但是很顯然跳票了。兩年后的今天，新規范正式公布，同時各大內存廠商也表示基于新規范的內存產品最快年內就能進行量產，不過一開始會用在服務器上，后來才是家用
PC 以及其他設備。本次的新標準主要提升了內存密度和頻率，其中
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DDR5 內存
- 7月2日，SK海力士宣布開始量產超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
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SK海力士 DRAM
- SK海力士宣布開始量產超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發僅十個月之后的成果。 圖1. SK海力士宣布開始量產超高速DRAM, HBM2E SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.
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SK海力士 超高速 DRAM HBM2E
- 6月6日，長三角一體化發展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行，合肥長鑫與蘇州瑞紅電子化學品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設。2019年國內存儲芯片取得了兩個突破——長江存儲的3D閃存、合肥長鑫的DRAM內存雙雙量產，其中內存國產化的意義更重要一些，畢竟這個市場主要就是美日兩大陣營主導，門檻太高。合肥長鑫的12英寸內存項目總計投資高達1500億，去年底量產了1Xnm級別（具體大概是19nm）的內存芯片，可以供應DDR4
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國產 DRAM 內存 合肥長鑫
- 存儲器大廠南亞科28日召開年度股東常會，會中董事長吳嘉昭對于近期的產業狀況發表看法，指出2020年上半年DRAM市場的需求較2019年同期有小幅度的成長，其主要原因是受惠于異地工作、遠端教育、視頻會議等各項需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因為各項不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續的觀察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿易戰導致的關稅問題，使得供應鏈面臨調整，加上全球經濟放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導致DRAM需求減少，使得平均銷貨較2018年減少超過45%，也使得南亞科在2019年
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存儲器 10nm 南亞科 DRAM
- 因為種種原因,Intel的產品規劃這兩年調整非常頻繁,路線圖經常出現變動,無論是消費級還是企業級。在近日與投資者溝通時,Intel公關總監Trey Campbell就保證說,將在今年第二季度末(最遲至6月底)發布代號Ice Lake-SP的下一代至強服務器平臺,明年某個時候則會帶來Sapphire Rapids。Ice Lake-SP將采用和移動端Ice Lake-U/Y系列相同的10nm工藝、Sunny Cove CPU架構,并更換新的LGA4189封裝接口,核心數量和頻率暫時不詳(據說最多38核心),
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英特爾 CPU處理器 服務器 DDR5 至強 PCIe 5.0 Sapphire Rapids
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