- 三星電子一季度在全球DRAM市場的份額超過了40%，但銷售額在這一季度有下滑。外媒的數據顯示，一季度三星電子在全球DRAM市場的份額為44.1%，是第一大廠商，較第二大廠商SK海力士高出了近15個百分點，后者的市場份額為29.3%。雖然三星的市場份額超過了40%，但一季度三星DRAM的營收其實有下滑，較上一季度下滑3%。DRAM市場份額僅次于三星的SK海力士，一季度的銷售額也下滑了4%，下滑幅度還高于三星。三星電子和SK海力士之后的第三大DRAM廠商是美光科技，其一季度的市場份額為20.8%，銷售額下滑1
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三星 DRAM
- 盡管JEDEC固態協會尚未敲定DDR5內存標準的最終細節,但作為聯合制定者的韓國SK海力士率先將自家產品細節公之于眾。簡單來說,DDR5內存頻率從3200MHz起跳(廠商一般都會從4800MHz出貨)、最高可達8400MHz(時序瑟瑟發抖……)。核心容量密度方面,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說,DDR5時代單條內存最大可到128GB。其它參數也均有明顯改進,兩個關鍵電壓VDD/VDDq和VPP分別從1.2V、2.5V將至1.1V、1.8V,可進一步緩解
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內存 SK海力士 DDR5
- 盡管JEDEC固態協會尚未敲定DDR5內存標準的最終細節，但作為聯合制定者的韓國SK海力士率先將自家產品細節公之于眾。 簡單來說，DDR5內存頻率從3200MHz起跳（廠商一般都會從4800MHz出貨）、最高可達8400MHz（時序瑟瑟發抖……）。 核心容量密度方面，SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇，也就是說，DDR5時代單條內存最大可到128GB。 其它參數也均有明顯改進，兩個關鍵電壓VDD/VDDq和
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SK海力士 DDR5 內存
- 從20nm技術節點開始，漏電流一直都是動態隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現明顯的結構異常，DRAM設計中漏電流造成的問題也會導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關重要的一個考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲單元；(b)單元晶體管中的柵誘導漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線接觸 (BLC) 與存儲節點接觸 (SNC) 之間的電介質泄漏；(d) DRAM電容處的電介質泄漏。DRAM存儲單元（圖1 (a)）在電
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DRAM GIDL
- 據外媒報道稱,由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內存的平臺了。三星方面也已經表示,2021年量產DDR5內存,并且使用EUV工藝,制作將會在韓國平澤的新工廠進行,三星同時宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內存已經出貨了100萬。三星表示EUV技術減少了光刻中多次曝光的重復步驟,并提高了光刻的準確度,從而提高性能、提高產量,并縮短了開發時間。三星估計,使用EUV工藝生產DDR5內存,其12英寸D1a晶圓的生產效率會比舊有的D1x工藝的生產力提升一倍。據悉,三星第四代10nm
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英特爾 內存 GDDR5 DDR5
- 據ZDnet報道，三星宣布，已成功將EUV技術應用于DRAM的生產中。
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三星 EUV DRAM
- 當前在芯片制造中最先進的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內存顆粒的生產中。這家韓國巨頭今日宣布，已經出貨100萬第一代10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評估，這為今后高端PC、手機、企業級服務器等應用領域開啟新大門。得益于EUV技術，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復步驟，并進一步提升產能。三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導入EUV，明年基于D1a大規模量產DDR5和LPDDR5內存芯片，預計會使12
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三星 DRAM EUV
- 韓媒報道稱美國美光公司在中國地區的工廠及辦公室也受到了嚴重影響,生產中斷,拖累DDR5量產,不過美光方面否認了相關報道。最近的疫情危機不僅影響了很多的生活,更重要的是導致一些工廠不能正常開工。韓國媒體報道稱,春節期間,美光公司在中國地區不僅辦公室工作受到影響,生產線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國區目前已經開始恢復生產,但是臨時中斷產線已經帶來嚴重損失,還推遲了DDR5內存量產的計劃,對客戶的供貨也會出現問題。針對這些報道,美光公司下午發表聲明否認,聲稱美光致力維持安全的工作環境,除了密切關注國際性新冠
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美光 內存 DDR5
- 韓媒報道稱美國美光公司在中國地區的工廠及辦公室也受到了嚴重影響,生產中斷,拖累DDR5量產,不過美光方面否認了相關報道。最近的疫情危機不僅影響了很多的生活,更重要的是導致一些工廠不能正常開工。韓國媒體報道稱,春節期間,美光公司在中國地區不僅辦公室工作受到影響,生產線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國區目前已經開始恢復生產,但是臨時中斷產線已經帶來嚴重損失,還推遲了DDR5內存量產的計劃,對客戶的供貨也會出現問題。針對這些報道,美光公司下午發表聲明否認,聲稱美光致力維持安全的工作環境,除了密切關注國際性新冠
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DDR5 美光
- 據IDC預測，2025年全球數據將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數據量，半導體存儲器將具有極大的市場。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營收規模均成長近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營收頭把交椅。整體來說，2017年全球半導體市場規模比2016年成長22.2%，達4197.2億美元，存儲器的
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存儲器、NAND、DRAM
- 最近的疫情危機給全球大多數電子產品的前景蒙上了陰影，智能手機Q1季度會是暴跌50%。不過內存廠商現在可以輕松下了，Q1季度開始就進入全球牛市，預計會連漲七個季度，也就是2020年底才可能穩下來。自從1月初的三星供電停電、東芝工廠起火之后，這兩家公司紛紛表態對生產基本沒影響，但是全球存儲芯片的市場依然像是打了雞血，內存及SSD硬盤的現貨價應聲而起，1月份就漲價高達30%。那這一波內存漲價要持續多久呢？UBS瑞銀分析師Timothy Acuri日前發表報告評估了內存市場的發展趨勢，他認為內存漲價將持續至少7個
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DRAM、內存
- Raj Talluri? （美光科技移動產品事業部 高級副總裁兼總經理） 1 內存和存儲領域會出現哪些應用或技術熱點 數據爆發推動了各個技術領域對內存和存儲的需求，而云和移動是當前內存和存儲的最大需求來源。 在移動領域，基于視頻內容和游戲的需求不斷增長，智能手機比以往需要更大的 DRAM ， 以 支持計算攝影、面部識別、增強現實等各種功能。根據客戶的需求趨勢判斷，美光認為2020年，智能手機的平均容量將達到5GB的DRAM和120 GB的NAND。 與此同時，5G網絡的普及將刺激對DRAM和N
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202002 內存 DRAM AI
- 張明花（集邦咨詢顧問（深圳）有限公司 編輯，深圳 518000） 摘? 要：預估2020年全球內存市場的年成長率僅為12.2%，這個數字在年成長動輒25%、甚至40%~50%的傳統內存產業是非常低的。三星、SK海力士、美光等內存廠商2020年將以獲利為主要目標，資本支出也會減少。 關鍵詞：內存；DRAM；三星；SK海力士；美光 觀察全球內存（DRAM）市場供需格局以及價格走勢，在歷經近5個季度的庫存調整后，2019年第4季 度DRAM市場仍處于微幅供過于求狀態，即便2020年 第1季度DRAM的
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202002 內存 DRAM 三星 SK海力士 美光
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