南韓科技巨擘三星 DRAM 市占率再創新高，再加上同胞兄弟 SK 海力士的份額，兩家南韓公司已壟占全球超過八成的 DRAM 市場。
據市調機構 IHS 統計，三星第二季 DRAM 市占率來到 45.2%，較前季成長 1.1 個百分點，且刷新 2011 年所寫下 45% 的紀錄。自去年第三季以來，三星 DRAM 市占率每季都在 4 成以上。
業界人士認為三星在 20 奈米制程技術的硬實力，全球無人能敵，是三星得以在 DRAM 半導體業務上取勝的重要因素，且短期之內
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三星 DRAM
南韓科技巨擘三星 DRAM 市占率再創新高，再加上同胞兄弟 SK 海力士的份額，兩家南韓公司已壟占全球超過八成的 DRAM 市場。
據市調機構 IHS 統計，三星第二季 DRAM 市占率來到 45.2%，較前季成長 1.1 個百分點，且刷新 2011 年所寫下 45% 的紀錄。自去年第三季以來，三星 DRAM 市占率每季都在 4 成以上。
業界人士認為三星在 20 奈米制程技術的硬實力，全球無人能敵，是三星得以在 DRAM 半導體業務上取勝的重要因素，且短期之內
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三星 DRAM
中國大陸紅色供應鏈威脅有增無減，IC設計業者表示，整并壯大自己，是因應對策之一，只是缺乏高級管理人才，將是當前整并發展趨勢下，臺灣可能面臨的最大問題。
中國大陸政府強力扶植半導體產業，近年來中國大陸企業采取挖角與并購并進策略，期能加速半導體產業發展。
南亞科總經理高啟全日前退休，并傳將加入中國大陸紫光集團，負責半導體儲存業務，為國內動態隨機存取記憶體(DRAM)，甚至是半導體業拋下震撼彈。
業界憂心，高啟全若真跳槽紫光集團，在他過去多年與美光協商合作經驗下，有助促成紫光集團與美光合作
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DRAM 紫光
盡管目前全球存儲器四強競局維持平衡狀態，然近期各廠投資動作頻頻，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)與東芝(Toshiba)為量產3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產線進行轉換，SK海力士(SK Hynix)亦可能利用M10廠生產3D NAND Flash，業界預期未來3~4年內存儲器產業既有平衡競局恐將被打破。
半導體業者表示，3D NAND技術是未來存儲器產品主流，然技術層次及難度十分高，目前在制程良率上仍面臨許多挑戰，預計2016年真正
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美光 DRAM
紅色供應鏈給臺企帶來了巨大壓力，市場萎縮，人才流失，再也損失不起了。
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DRAM 紫光
南亞科董事長吳嘉昭昨(6)日表示，雖然中國在DRAM產業急起直追，但至少還要花三年才能追上臺灣。對于前總座高啟全退休前往中國紫光集團發展，想要創造中美臺合作空間，南亞科新任總經理李培瑛說，一切仍有不確定性，公司目前尚無實質作法。
南亞科昨天舉行臨時董事會，通過高啟全退休案，但仍擔任南亞科董事，并決議即日起由資深副總李培瑛接任總經理。
吳嘉昭透露，高啟全是在9月18日提出申請退休，對于他的離開感到惋惜，雖然不清楚高的詳細生涯規畫，但仍給予祝福。
此外，高啟全
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南亞科 DRAM
臺灣過去數十年培養出來的半導體人才，現在一個一個往大陸跑，臺企離沒落不遠了。
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京東方 DRAM
資策會產業情報研究所(MIC)報告指出，受到新興市場智慧型手機晶片價格快速下滑及需求不佳影響，預估明年全球半導體市場成長率較今年衰退1%，臺灣半 導體產業在DRAM產值跌幅趨緩之下，明年產值將達2.2兆元微幅年增2.2%。
資策會MIC資深產業分析師施雅茹表示，今年臺灣半導體 產業表現不如全球，主要受DRAM與IC設計產值下滑影響，估算今年臺灣IC設計產業產值約4,971億元新臺幣，年減6%，DRAM產業產值2,325 億元，年減13%;預估明年可望在DRAM產值跌幅趨緩，以及晶圓代工、IC封測
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半導體 DRAM
由于12吋晶圓持續擴大應用至非存儲器領域，使得全球12吋晶圓生產線持續增加，2015年已超過90條產線，較5年前增加約20條產線，且預計未來4年將再增加近20條產線，相較之下，18吋晶圓商用化時程則會再往后延緩，業界預期2020年之前將不會有采用18吋晶圓進行大量生產的產線。
12吋晶圓除應用在DRAM和NANDFlash等需要大量生產的存儲器芯片，亦持續擴大使用在非存儲器產品，包括電源管理芯片、影像感測器等，甚至用來制造邏輯芯片、微型元件IC等，且為因應市場需求，將芯片產量最大化，半導體廠在1
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晶圓 DRAM
全球DRAM大廠三星昨天傳出下調DRAM報價，調降幅度20%。此舉預告DRAM產業將在第四季出現一波修正期，DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營收恐不如預期。
繼臺積電前天無預警下修第四季財測，市場消息傳出，全球DRAM市占率達四成的三星，將DRAM模組價格從21美元降至16.8美元，換算每顆粒DRAM價格僅剩1.8美元。
8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價格在21美元左右，并將部分PC DRAM產能轉進高階智慧型手機使用的LP DDR4。
隨今年以來DRAM價格持續走低，市場需
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三星 DRAM
全球DRAM大廠三星昨天傳出下調DRAM報價，調降幅度20%。此舉預告DRAM產業將在第四季出現一波修正期，國內DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營收恐不如預期。
繼臺積電前天無預警下修第四季財測，市場消息傳出，全球DRAM市占率達四成的三星，將DRAM模組價格從21美元降至16.8美元，換算每顆粒DRAM價格僅剩1.8美元。
8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價格在21美元左右，并將部分PC DRAM產能轉進高階智慧型手機使用的LP DDR4。
隨今年以來DRAM價格持續走低，市
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三星 DRAM
PROM、EEPROM、FLASH的總結性區別
EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結構。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個附加的Transister組成，由于FLOTOX的特性及兩管結構，所以可以單元讀/寫。技術上，FLASH是結合EPROM和EEPRO
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SRAM DRAM
雖然較大尺寸晶圓的生產材料和技術成本高于小尺寸晶圓，但由于較大晶圓可以切割出更多的芯片，因此經驗顯示，就每單位芯片成本而言，大尺寸晶圓技術至少會比小尺寸晶圓降低20%。
然而在實務上，要采用大尺寸晶圓生產技術，業者必須要先行投入大筆經費。因此在資金和技術的障礙下，各業者往往會采用將現有技術進行效率最大化的方式進行生產，而不是對新開發的大尺寸晶圓生產技術進行投資。
以最新18吋(450mm)晶圓生產技術的采用為例，就正處于這樣一種狀況下。根據調研機構ICInsights最新公布的2015~2
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晶圓 DRAM
雖然大陸景氣疲軟，2015年韓國存儲器廠的業績展望相對明朗。然大陸智能型手機需求縮減，2016年移動DRAM價格可能下滑，2016年前景反而不透明。
據ET News報導，全球排名前一、二名的DRAM制造廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年業績可能會與當初預期相近，或小幅提升。近來大陸景氣迅速萎縮，但對下半年暫時不會有太大影響。
三星下半年IT及移動裝置(IM)事業部業績可能下滑，但半導體事業暨裝置解決方案(DS)事業部的存儲器和系統晶
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存儲器 DRAM
由于對DRAM過于依賴，近年來英特爾半導體龍頭地位搖搖欲墜，現在英特爾似乎下決心要扳倒后進：打算力推嵌入式DRAM (eDRAM)，三星、海力士表示亞歷山大。
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Intel DRAM
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