美國試圖鎖死中國下一代芯片技術注意，這里說的是下一代，是下一代！與現在的EDA軟件無關，這項EDA軟件的禁令只是針對GAA架構制程，這項工藝目前只有三星利用在了3nm的芯片生產上，而不出意外的話，臺積電也會在今年量產同代的芯。中國目前的最先進的工藝來自中芯國際，中芯在前不久被發現“偷偷”用DUV光刻機實現了7nm工藝的量產。但即使進步如此神速，中芯國際和三星、臺積電之間，至少還隔著一個7nm+（EUV版的7nm工藝）、5nm兩代，對中芯來說，GAA至少是下下代才用到的東西，而目前中芯連7nm+的可能性都看
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EDA GAAFET
據財聯社報道，美國商務部周五發布一項臨時最終規定，對設計GAAFET（全柵場效應晶體管）結構集成電路所必須的ECAD軟件；金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導體材料；燃氣渦輪發動機使用的壓力增益燃燒(PGC)等四項技術實施新的出口管制。據悉，GAAFET晶體管技術是相對于FinFET晶體管更先進的技術，FinFET技術最多能做到3nm，而GAAFET可以實現2nm。氧化鎵(Ga2O3）、金剛石則是被普遍關注的第四代半導體材料。圖片來源：攝圖網 501123322EDA軟件限制的影響力有多大？強如三星，其6月
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EDA 第四代半導體材料
來源：金融界 新材料｜產業鏈限制再加碼，關注半導體材料國產化 近期美國對半導體產業鏈限制持續加碼，凸顯半導體國產化急迫性，短期看，在自主可控邏輯下，供應體系中的材料龍頭企業有望充分受益，加速其在國內晶圓廠的產品導入速度，提升市占率。中長期看，半導體材料需求持續增長，我們看好產業內技術實力領先，存在放量邏輯，有望充分受益國產化的龍頭公司。 ▍美國對芯片產業鏈限制再加碼，涉及設計軟件及超寬禁帶半導體材料。 根據聯邦公報，8月12日，美國商務部工業和安全局（BIS）發布一項臨時最終規定，對4項“新興和基
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GAAFET EDA 市場分析
芯片法案之后，美國再次在先進制程芯片領域揮出重拳。這一次，與“斷供涉及先進半導體的EDA”有關。更確切地說，此番美國商務部針對先進半導體和燃氣渦輪發動機生產技術發布了新禁令。其中涉及半導體的出口管制包括：GAAFET結構集成電路所必需的EDA軟件金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導體材料禁令將于8月15日正式生效。雖然EDA之前有個限定詞“GAAFET”，但“芯片之母”這個關鍵詞一出，還是立即在社交媒體上引發熱議。不少網友表示，雖然這次沒有點名中國，但此舉很明顯是為了限制與美國存在競爭關系的國家，先進制程半
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EDA
本周五，美國商務部BIS (Bureau of Industry and Security) 發布一項暫行最終規定，主要是對4項技術的出口做出控制：包括寬禁帶半導體相關材料氧化鎵 (Ga2O3) 和金剛石；特別針對GAAFET晶體管結構的ECAD (Electronic Computer-Aided Design) 軟件；燃氣渦輪發動機使用的增壓燃燒 (Pressure Gain Combustion) 技術。規定生效時間為8
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EDA
美國商務部上周五發布最終規定，對設計GAAFET（全柵場效應晶體管）結構集成電路所必須的EDA軟件等技術實施新的出口管制。相關禁令2022年8月15日正式生效。這是自美國“芯片法案”落地，美國對中國芯片產業的又一次打壓。有關分析認為，盡管美國在芯片領域的一系列組合拳對中國芯片的短期發展構成了一定影響，但也倒逼國內芯片產業加速迭代和自立，從而全盤謀劃，全面破局。步步緊逼的產業鏈阻擊“美國EDA斷供就是想讓中國內地沒工具設計3nm及以下的高端芯片，設計卡死在5nm，制造卡死在7nm。然后拉開中美在高速運算、A
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EDA
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EDA
8月12日，美國商務部工業和安全局（BIS）發布一項臨時最終規則。該規則中，對四項新興和基礎技術確立了新的出口管制，管制原因是國家安全。臨終最終規則（interim final rulus，IFR），指的是由聯邦機構發布的規則，在發布后生效，無需首先就規則的實質內容征求公眾意見。IFR在緊急情況和其他需要時使用，可以幫助加快監管流程，以快速實施具有約束力的監管要求。后續會根據效果決定是否進行調整，有一定期限性。一位資深律師的分析是，這個臨時最終規則可以被視為是對中國的暫行條例。“這四項技術中，最讓外界關注
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EDA
8月12日，美國商務部工業和安全局（BIS）發布了臨時最終規則。在規則中，對四種新興和基礎技術建立了新的出口管制，管制理由是國家安全。im間最終規則（IFR）指的是聯邦機構發布的規則，在發布后生效，無需首先征求公眾對規則實質內容的意見。IFR用于緊急情況和其他需要，以幫助加快監管流程，快速實施具有約束力的監管要求。今后，是否調整將根據效果決定，并有一定的時限。根據一位資深律師的分析，這項暫行最終規則可以被視為中國的一項暫行規定。“在這四種技術中，EDA軟件是最受外界關注的一種。該規則規定，用于開發全柵場效
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EDA 美國 GAAFET
美國對中國企業和機構斷供工具軟件有跡可循。 ▲7月28日，工作人員在2022全球數字經濟大會展館上介紹運用在交通、金融、能源等領域的人工智能加速芯片及系統。圖/IC photo 文 | 付偉 美國商務部上周五發布最終規定，對設計GAAFET（全柵場效應晶體管）結構集成電路所必須的EDA（電子設計自動化）軟件；金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導體材料；燃氣渦輪發動機使用的壓力增益燃燒（PGC）等四項技術實施新的出口管制。 相關禁令生效日期為2022年8月15日。 1 為什么
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美國 EDA GAAFET
美國商務部祭出新禁令，禁止對中國出口3奈米以下的EDA（電子設計自動化）工具。對此研調機構集邦認為，在沒有美系EDA工具的支持下，中國IC設計業從芯片設計初期、乃至于后端的系統設計，都將陷入發展困境，恐將影響中國半導體長遠的發展。在美國商務部祭出禁止對中國出口3奈米制程以下的EDA工具后，集邦指出，中國即使在本次限制生效前大量采購EDA取得授權，之后軟件也需連網回原廠進行授權（License）更新才能使用，對此美國可以確實進行管制。雖然短期內中國IC設計業還沒有使用更先進的GAA（環繞閘極技術）EDA需求
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EDA 中國半導體
眾所周知，三星在3nm芯片時，采用了GAAFET晶體管技術，這是相對于FinFET晶體管更先進的技術。GAAFET晶體管技術為何更先進？原因在于GAAFET提供比FinFET更好的靜電特性，在同等尺寸結構下，GAA 的溝道控制能力強化，尺寸可以進一步微縮，同時電壓降低。這就使得GAAFET晶體管，可以密度更高，同時電壓更低，這樣性能更強，功耗降低。雖然目前在3nm技術上，三星使用GAAFET技術，而臺積電使用FinFET技術，但到2nm時，不管是臺積電，還是三星，或者intel都會使用GAAFET技術，因
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GAAFET EDA 三星
當地時間上周五（8月12日），美國商務部工業和安全局（BIS）在《聯邦公報》中披露了一項新增的出口限制臨時最終規則，對設計GAAFET（全柵場效應晶體管）結構集成電路所必須的EDA/ECAD軟件；金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導體材料；燃氣渦輪發動機使用的壓力增益燃燒（PGC）等四項技術實施新的出口管制，禁令生效日期為今天（8月15日）。4項技術中惹人注目的是EDA，這被市場解讀為在《芯片和科學法案》后，美國對中國芯片產業的進一步限制，直接影響國內設計3納米及更先進芯片產品的企業。但目前國內還很少用到3
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美國 斷供 EDA 超寬禁帶半導體 國內企業
當地時間8月12日，美國商務部工業和安全局（BIS）在《聯邦公報》中披露了一項新增的出口限制臨時最終規則，涉及先進半導體、渦輪發動機等領域。該禁令對具有GAAFET（環繞柵極場效應晶體管）結構的集成電路所必需的EDA/ECAD軟件、以金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導體材料、包括壓力增益燃燒（PGC）在內的四項技術實施了新的出口管制。GAAFET相關EDA軟件EDA/ECAD指的是用于設計、分析、優化和驗證集成電路或印刷電路板性能的電子計算機輔助軟件。早在8月3日，芯智訊就報道了“美國將對華斷供GAAFE
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EDA GAAFET
8月12日，美國商務部BIS發布一項暫行最終規定，針對4項技術的出口做出嚴格控制。其中涉及半導體的出口管制包括：GAAFET（全柵極場效應晶體管）結構集成電路所必需的EDA軟件、金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導體材料。這也是在芯片法案之后，美國再次在先進制程芯片領域揮出重拳，禁令將于8月15日正式生效。雖然EDA之前有個限定詞“GAAFET”，但“芯片之母”這個關鍵詞一出，還是立即在社交媒體上引發熱議。甚至有部分媒體單純將這一事件解讀為“斷供EDA”，片面、錯誤地將范圍指向全部EDA工具。事實上，EDA
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超寬禁帶半導體 EDA 汽車產業
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