esd 文章 最新資訊
TVS之ESD波形圖分析
- 我們都知道,TVS產品的主要作用之一就是用來吸收ESD能量并鉗位,保護我們的后級芯片或電路不受其沖擊影響。所以我們在選型的時候需要特別關注的一點,就是TVS的ESD鉗位參數(shù)。其鉗位參數(shù)的重要性我們在之前的文章中都有提過了,今天我們就和大家一起聊聊ESD的波形圖的一些事兒。01 IEC 標準ESD波形圖ESD波形ESD波形參數(shù)IEC 61000-4-2中明確規(guī)定了ESD的波形圖及其參數(shù),如圖所示。其上升時間非常快,第一個尖峰在0.7~1ns之間,第二個尖峰在30ns,而整個事件持續(xù)時間為60ns。ESD事件
- 關鍵字: Semtech TVS ESD
Nexperia宣布面向高速數(shù)據(jù)線的TrEOS系列ESD保護器件再添兩款新產品
- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia宣布Nexperia TrEOS產品組合再添新產品,即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發(fā)電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶,浪涌抗擾度出眾,出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。 Nexperia高級產品經理Stefan Seider表示:“Nexperia開發(fā)了TrEOS產品組合,專門用于為我們的客戶提供一系列適用于USB3.2、USB4?、Thunderbolt
- 關鍵字: Nexperia 高速數(shù)據(jù)線 TrEOS ESD 保護器件
實驗出真知!可充分發(fā)揮ESD保護元件性能的電路設計
- TDK的多層貼片式壓敏電阻產品陣容齊全,可保護設備因受ESD(靜電放電)影響而引發(fā)的故障和誤動作,能幫助客戶有效解決ESD問題。但隨著用戶設備的小型化、輕量化和高功能化,以前效果出眾的多層貼片式壓敏電阻產品也出現(xiàn)了無法充分發(fā)揮保護效果的情況。為了查明原因,我們以客戶設備的小型化為前提進行了ESD實驗,本期推文就來為您詳細介紹通過此次實驗得出的各數(shù)據(jù)與結果。5G技術的發(fā)展實現(xiàn)了設備之間的相互協(xié)作和實時通信,也對設備的設計提出了更高的要求,比如更小、更輕、更低功耗、更高功能、長期運行、高可靠性、更高的EMC耐
- 關鍵字: TDK ESD
Nexperia超低電容ESD保護二極管保護汽車數(shù)據(jù)接口
- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布擴展其超低鉗位和超低電容ESD保護二極管系列產品組合。該產品組合旨在保護USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽車A/V監(jiān)視器、顯示器和攝像頭等高速數(shù)據(jù)線。此外,該產品組合還旨在解決未來高速視頻鏈路以及開放技術聯(lián)盟MGbit以太網應用。 新晉產品包括2引腳單線器件PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q,采用超緊湊型DFN1006BD-2封裝,同時優(yōu)化了布線靈活性。此外,還有兩款采用DFN1006-3封裝的3引腳
- 關鍵字: Nexperia 超低電容 ESD 保護二極管 汽車數(shù)據(jù)接口
Nexperia的USB4 ESD二極管件實現(xiàn)了保護和性能的出色平衡
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出兩款經優(yōu)化的靜電放電(ESD)保護二極管件,適用于高速數(shù)據(jù)線中的重定時器和信號中繼器。PESD2V8Y1BSF專為保護USB4 (Thunderbolt)接口而設計,而PESD4V0Y1BCSF可適用于USB4以及HDMI 2.1。這兩款產品均使用Nexperia的成熟TrEOS技術,集低鉗位、低電容和高穩(wěn)健性優(yōu)勢于一身。 重定時器和信號中繼器是設計高速USB4接口常用的器件。它們需要電路板走線變更短,從而降低寄生電感,但也會意外地降低整體系統(tǒng)
- 關鍵字: Nexperia USB4 ESD 二極管件
功率半導體IGBT失效分析與可靠性研究
- 高端變頻空調在實際應用中出現(xiàn)大量外機不工作,經過大量失效主板分析確認是主動式PFC電路中IGBT擊穿失效,本文結合大量失效品分析與電路設計分析,對IGBT失效原因及失效機理分析,分析結果表明:經過對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關波形檢測、熱設計分析、IGBT極限參數(shù)檢測對比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因導致,IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應、驅動控制、ESD能力等方面存在不足,逐一分析論證后從IGBT本身及電路設計方面全部提升IGBT工作可靠性。
- 關鍵字: 主動式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應 ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET
esd介紹
ESD的意思是“靜電釋放”的意思,它是英文:Electro-Static discharge 的縮寫
ESD知識介紹
靜電是一種客觀的自然現(xiàn)象,產生的方式多種,如接觸、摩擦等。靜電的特點是高電壓、低電量、小電流和作用時間短的特點。
人體自身的動作或與其他物體的接觸,分離,摩擦或感應等因素,可以產生幾千伏甚至上萬伏的靜電。
靜電在多個領域造成嚴重危害。摩擦起電和人體靜電是電子工業(yè)中的兩 [ 查看詳細 ]
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