- 研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結構。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質量，并且研究人員還報告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應用實驗室的300mmCRIUS金屬-有機化學氣相外延（MOVPE）反應腔中生長的。???????
“對實現在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標來說，在200mm硅晶圓上生長出
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硅晶圓 GaN 200mm MEMC
- 要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值的工具，本文將介紹如何進行此類測試。
UMA/GAN是一種能讓移動電話在傳輸話音、數據、既有話音也有數據或既無話音也無數據時在蜂窩網絡(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網)和IP接入網絡(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統。作為網絡融合發展過程中一項里程碑式的技術，UMA/GAN能讓手機用戶得以享受固定寬帶網提供的服務。UMA/GAN最初叫做免許可移動接入(UMA)網，之后被3
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移動電話 UMA GAN SEGW WLAN
- 由青島杰生電氣有限公司承擔的國家863半導體照明工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設備研制取得突破，我國首臺具有自主知識產權的并能同時生長6片外延片的MOCVD設備研制成功。
該設備在高亮度的藍光發光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領域具有廣泛應用。MOCVD是半導體照明上游關鍵設備，目前國內半導體照明產業的研發和生產所需設備全部依賴進口。在此之前，杰生電氣已先后研發出2英寸單片和2英寸3片的
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青島杰生電氣 MOCVD LED LD GaN
- 當輸入至輸出的開銷電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時，線性電池充電器的功耗相當大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節鋰離子電池組、12V車載適配器、1.2A額定充電電流)為例，其線性充電器的平均功耗超過5W。 bq241xx系列開關充電器是對過熱問題的簡便解決方案。內置功率FET能夠提供高達2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz，輸入電壓最高可達18V，非常適用于由單節、雙或三節電池組供電的系統。該系列開關充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優異特性，并且
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FET 鋰離子開關充電器 電源
- Intersil 公司宣布推出新的、高效、2A 集成式 FET 步降 DC/DC 開關穩壓器系列，支持廣泛的工作輸入電壓，并且可以處理高達 100V 的瞬態尖峰。 ISL8560 支持 9V 至 60V 的輸入電壓以及 1.21V 至 55V 的可編程輸出電壓；而 ISL8540 支持 9
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模擬技術 電源技術 Intersil FET 穩壓器 電源
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優化的集成式FET加驅動器功率級解決方案FDMF6700，采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對于空間極度受約束的應用，比如小外形尺寸的臺式電腦、媒體中心PC、超密集服務器、刀片服務器、先進的游戲系統、圖形卡、網絡和電信設備，以及其它電路板空間有限的DC-DC應用，FDMF6700為設計人員提供別具吸引力的解決方案。
在個人電腦主板中，典型的降壓轉換器在每個相位可能包含：采用DPAK封裝的三個N溝道MOSFE
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嵌入式系統 單片機 飛兆 DrMOS FET 模塊
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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FET DAC ADI
- LTC4414是一種功率P-EFT控制器，主要用于控制電源的通、斷及自動切換，也可用作高端功率開關。該器件主要特點：工作電壓范圍寬，為3.5～36V；電路簡單，外圍元器件少；靜態電流小，典型值為30μA；能驅動大電流P溝道功率MOSFET；有電池反極性保護及外接P-MOSFET的柵極箝位保護；可采用微控制器進行控制或采用手動控制；節省空間的8引腳MSOP封裝；工作溫度范圍-40℃～+125℃。
圖1 LTC4414的引腳排列
引腳排列及功能
LTC4414的引腳排列如圖1所示，各引腳
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LTC4414 P-FET 電源技術 工業控制 模擬技術 工業控制
- 頻譜分析儀的電流模式一般有自10Hz低頻起始的頻率響應。當與1Hz或帶寬更窄的 FET 軟件結合使用時，現代頻譜分析儀就具備了擴展的低頻性能，使之成為設計與調試高性能模擬電路不可或缺的工具。
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FET 射頻 頻譜分析儀 高阻抗
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