- 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運算與幅度調制（AM）等效，可作為低頻調制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
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VCA FET 幅度調制 乘法運算電路
- 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環路組成電路時，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發生變
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FET 結型 電壓控制 放大器
- 美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調查報告)。報告顯示，2010年的市場規模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規模。iSuppli預測，該產品在高性能服務器、筆記本電腦、手機及有線通信設備等方面的應用將取得進展。
目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優點，可提高電源電路的轉
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GaN MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
- 友達光電1月20日宣布， 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產收購技術移轉協議，收購FET的場發射顯示器(field emission displays;FED)技術，該公司為全球FED技術的領導者。友達在此交易中，將取得FET顯示技術及材料的專利、技術、發明，以及相關設備等資產。
FED技術在快速反應時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統CRT相
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友達 FED FET
- 臺灣友達科技近日宣布，他們已經與FET公司以及FET日本公司達成了協議，友達將出資收購FET公司的部分資產，并將因此而獲得FET公司的部分專利技術。FET公司目前在FED場射顯示技術(Field Emission Display)領域占據領先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達并表示，其收購的內容將包括FED場射面板相 關技術專利，FED技術實施方案，以及FED面板生產用設備等。
FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優勢，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
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友達 FED FET
- Strategy Analytics 發布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預測2008-2013”。報告總結，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達到22%，但 Strategy Analytics 預計2009年該市場將持平或轉負增長。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復增長。
一直
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GaAs 外延襯底 FET HBT
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉換器，該器件將寬泛的輸入、輕負載效率以及更小的解決方案尺寸進行完美結合，可實現更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機制的 1 MHz DC/DC 轉換器，與同類競爭產品相比，該器件在將外部輸出電容需求數量降至 32% 的同時，還可實現快速瞬態響應。該轉換器充分利用自動跳過模式與 Eco-mode 輕負載控制機制，幫助設計人員滿足能量之星/90Plus 標準的要求，從而可實現整個負載范圍內的高
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TI FET 轉換器 TPS51315
- 使用國產6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續波輸出功率大于10W，帶內增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產SiC襯底的GaN MMIC。
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MMIC SiC GaN 襯底
- 2009年1月22日，中國北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最新推出一款業界最快的場效應晶體管(FET)運算放大器——ADA4817。這款產品工作頻率高達1GHz，設計用于高性能的便攜式醫療診斷設備和儀器儀表設備。與競爭器件相比，可提供兩倍的帶寬，同時噪聲降低一半。它已被領先的醫療、測試和測量設備公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫療設備。與ADA4
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ADI 運算放大器 FET ADA4817
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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FET TI IC－bq2407x
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發出一種革命性的GaN功率器件技術平臺。與此前最先進的硅基技術平臺相比，該技術平臺可將關鍵特定設備的品質因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設備的性能，并降低能耗。
開拓性GaN功率器件技術平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術，歷經5年研發而成的成果。
IR的GaN功率器件技術平臺有助于實現電源轉換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉換專業知識方面
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IR 功率器件 GaN 終端
- 要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值...
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GAN 蜂窩 話音質量
- TPS54377 是一款輸入電壓為 3V ～6V 的 DC/DC 轉換器，具有可將電壓步降至 0.9V 的集成的 FET。其轉換頻率為同步頻率并可調至 1.6MHz，以減少外部組件數量且有助于確定頻譜噪聲頻帶。該器件在整個溫度范圍內均可提供高達 3A 的輸出電流并可支持 4A 的峰值輸出電流。其具有電源狀態良好指示、啟動、可調慢啟動、電流限制、熱關斷以及 1% 的參考精度等特性。TPS54377 可用于寬帶、聯網和通信基礎設施、分布式電源系統以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 穩壓。
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TI 轉換器 DC/DC FET
- Cree發布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產品，其性能級別進一步證實了Cree在GaN技術上的的領導地位。
新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括：
1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍
2. 相比于商業可用硅LDMOS，提高了工作頻率
3. 在免授權的5.8G
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三極管 WiMAX Cree GaN
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