- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協議，將聯合開發采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協議的規定，兩家公司均可生產高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節。
作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
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英飛凌 GaN
- 英飛凌和松下聯合開發GaN器件，將松下的增強型GaN材料技術與英飛凌的SMD封裝技術相結合。
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英飛凌 松下 GaN
- 氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業宣傳文檔后你當然會這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現出色!帥呆了!
至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN：硅基、碳化硅(S
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GaN 射頻
- 摘要：用場效應晶體管設計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類，后級采用甲乙類推挽放大技術。實驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關。從聽音效果來看，末級電流200mA是理想值。
前后級間耦合電容對聽音影響較大，要求質量高些。
對于音頻功率放大器而言，最好聽的莫過于甲類放大器。根據頻率分析的結果，由集成運算放大器構成的前級聲音單薄、缺乏活力。所以，可不可以前級采用單管甲類放大器，后級采用甲乙類功率放大器?這樣既兼顧聽音需要，又兼顧效率的需要。目前，電子管音頻功率放大器仍然占據
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FET 場效應管 功率放大器
- 隨著城市快節奏的發展，大多數人擁有自己的車，這也使得交通變得擁堵，而汽車在高峰期的走走停停會耗掉很多的能源，不僅浪費還污染環境。故而引進了汽車系統中的“啟停”功能，但是這種系統也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術挑戰，汽車啟停系統中電源設計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設計。
為了控制燃油消耗，許多汽車制造商在下一代汽車中實現了“啟停”功能，而且為數眾多的這種汽車已經開始上路。這些系統會在汽車停下來時關閉發動機，當腳從剎車踏板移動
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P-FET MOSFET
- 新型靈活應用的高密度電源模塊現在能夠以易于使用的集成封裝提供先進的電熱性能。系統性能的提升促進了對更高功率電源的要求，以及由于需要快速實現收入的壓力迫使設計人員縮短開發周期，從而對全功能、快速實現電源解決方案的需要呈激增之勢。電源模塊可以解決這些問題，并提供系統設計人員所需的靈活性和性能，幫助他們從最小的空間獲得最大的功率
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新電源 FET ISL8225
- 2014年3月17日Silego于美國加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術的16?mΩ雙通道GreenFET3?負載開關產品即SLG59M1527V。該款負載開關每條通道最高電流可達到?4.5A?、總電流高達9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術來實現低導通電阻、外形尺寸最小同時可靠性提高。 SLG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
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Silego FET SLG59M1527V
- 為提高高壓電源系統能源效率，半導體業者無不積極研發經濟型高性能功率場效應電晶體（FET）；其中，采用Cascode結構的...
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Cascode GaN 場效應管
- GaN被認為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時候，因它還有很多未被探索出來的部分。
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GaN.功率元件
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業也圍繞這些元件展開了激烈的開發競爭。
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
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SiC GaN
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業也圍繞這些元件展開了激烈的開發競爭。
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
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GaN 功率半導體
- 韓國蔚山科技大學(UNIST)的研究人員們宣稱開發出一種可大量生產硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法，從而可實現基于石墨烯的場效電晶體(FET)制造與設計。
由Jong-BeomBaek主導的研究團隊們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡單溶劑熱反應，大量生產硼/氮共摻雜石墨烯奈米管，即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。
石墨烯自2004年經由實驗發現后，已經開發出各種方法來制造基于石墨烯的FET，包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶，以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
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石墨烯 FET
- 為了限制油耗，一些汽車制造商在其新一代車型中應用了“啟動/停止”(Start/Stop)功能。當汽車停下來時，這些創新的新系統關閉發動機;而當駕駛人的腳從剎車踏板移向油門踏板時，就自動重新啟動發動機。這就幫助降低市區駕車及停停走走式的交通繁忙期時的油耗。
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MOSFET 二極管 PCB 穩壓器 P-FET
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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反向轉換器 FET 關斷電壓 緩沖 漏極電感
- 發光二極體(LED)的發光效率遠高于傳統光源，耗電量僅約同亮度傳統光源的20%，并具有體積小、壽命長、效率高、不...
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GaN on GaN LED
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