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gan ic 文章 最新資訊

日研究團隊制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET

  • 　　日本三菱化學(xué)及富士電機、豐田中央研究所、京都大學(xué)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的聯(lián)合團隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導(dǎo)體是碳化硅功率半導(dǎo)體的下一代技術(shù)。日本通過發(fā)光二極管的開發(fā)積累了GaN元件技術(shù)，GaN芯片生產(chǎn)量占據(jù)世界最高份額。若做到現(xiàn)有技術(shù)的實用化，將處于世界優(yōu)勢地位。 　　功率半導(dǎo)體有利于家電、汽車、電車等的節(jié)能，產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導(dǎo)體中，硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設(shè)備已經(jīng)量產(chǎn)，但是，GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
  • 關(guān)鍵字： GaN  MOSFET  

常見的IC芯片解密方法與原理解析！

  • 　　其實了解芯片解密方法之前先要知道什么是芯片解密，網(wǎng)絡(luò)上對芯片解密的定義很多，其實芯片解密就是通過半導(dǎo)體反向開發(fā)技術(shù)手段，將已加密的芯片變?yōu)椴患用艿男酒M而使用編程器讀取程序出來。　　芯片解密所要具備的條件是：　　第一、你有一定的知識，懂得如何將一個已加密的芯片變?yōu)椴患用堋！　〉诙⒈仨氂凶x取程序的工具，可能有人就會說，無非就是一個編程器。是的，就是一個編程器，但并非所有的編程器是具備可以讀的功能。這也是就為什么我們有時候為了解密一個芯片而會去開發(fā)一個可讀編程器的原因。具備有一個可讀的編程器，那我們就
  • 關(guān)鍵字： IC  芯片  

扭轉(zhuǎn)“兩頭在外”處境 中國IC產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)亟需調(diào)整

  • IC設(shè)計行業(yè)正在發(fā)生變化，未來真正的“中國芯”——以中國制造為主、供應(yīng)內(nèi)需市場將是大勢所趨。
  • 關(guān)鍵字： IC  晶圓  

2017誰將成為功率器件市場亮點？

  • 　　通信、汽車驅(qū)動市場增長，國有品牌競爭力提升 　　市場規(guī)模繼續(xù)擴大，增速較2015年有所回升 　　2016年，中國電子信息制造業(yè)生產(chǎn)總體平穩(wěn)，增速有所加快，受此影響，中國功率器件市場規(guī)模持續(xù)擴大，市場規(guī)模預(yù)計達到1496.1億元，同比增長7.2%，增速較2015年有所回升。 　　通信、汽車成為2016年市場增長亮點 　　從下游應(yīng)用產(chǎn)品的需求來看，通信和汽車領(lǐng)域是推動功率器件市場增長的主要驅(qū)動力。 　　從通信主要產(chǎn)品產(chǎn)量來看，1-10月，我國生產(chǎn)手機17億部，同比增長19.9%，其中智能手機12
  • 關(guān)鍵字： 功率器件  GaN  

預(yù)計今年全球IC市場規(guī)模年增5%

  • 　　調(diào)研機構(gòu)IC Insights表示，有別于2010年之前，現(xiàn)今全球IC產(chǎn)業(yè)成長深受全球經(jīng)濟發(fā)展狀況影響。諸如利率、石油價格、財政激勵等外在經(jīng)濟環(huán)境因素都會成為影響IC市場規(guī)模成長的重要因素。 　　該機構(gòu)表示，在2010年之前，IC產(chǎn)業(yè)市場周期主要是受到如業(yè)者資本支出、IC產(chǎn)能，以及產(chǎn)品價格等因素影響。 　　根據(jù)1992年以來全球生產(chǎn)毛額(GDP)年增率與IC市場規(guī)模年增率資料，在1992~2010年期間，全球GDP年增率與IC市場規(guī)模年增率呈現(xiàn)出不規(guī)則變化，并且彼此間也沒有顯現(xiàn)出相關(guān)性。 　　然
  • 關(guān)鍵字： IC  

臺媒：大陸2025年IC自主目標恐難達成 海外技術(shù)取得成關(guān)鍵

  • 　　中國大陸擁有龐大IC產(chǎn)品需求市場，但自給自足率卻明顯偏低，必須高度仰賴海外IC產(chǎn)品進口。為此中國國務(wù)院于2015年3月發(fā)起“2025年中國制造”(MIC 2025)計劃，目標到了2020年達到4成的IC產(chǎn)品自給自足率目標，到了2025年更要達到7成水準。不過市調(diào)機構(gòu)IC Insights分析認為，這項目標恐難達成，而技術(shù)落差也成為現(xiàn)階段大陸IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的最主要困境。 　　國家層級IC產(chǎn)業(yè)供需自給自足的迷思 　　根據(jù)IC Insights報導(dǎo)指出，現(xiàn)實情況下在整體IC產(chǎn)業(yè)
  • 關(guān)鍵字： IC  DRAM  

中國最大半導(dǎo)體并購案:建廣資產(chǎn)收購NXP標準件業(yè)務(wù)完成交割

  • 雖然收購恩智浦的標準件業(yè)務(wù)讓建廣資本聲名鶴立，但絕不是一戰(zhàn)成名。鮮為人知的是，建廣資本已經(jīng)在一系列產(chǎn)業(yè)投資與跨國并購中取得了斐然的成績。
  • 關(guān)鍵字： NXP  IC  

紫光集團300億投資南京 建IC國際城

  • 　　據(jù)紫光集團官網(wǎng)，紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地及新IT投資與研發(fā)總部項目在南京正式簽約。 　　紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目由紫光集團投資建設(shè)，主要產(chǎn)品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲芯片等，占地面積約1500畝，總投資超300億美元。項目一期投資約100億美元，月產(chǎn)芯片10萬片。 　　除投資額300億美元的芯片工廠建設(shè)外，紫光集團還將投資約300億元人民幣建設(shè)配套IC國際城，包含科技園、設(shè)計封裝產(chǎn)業(yè)基地、國際學(xué)校、商業(yè)設(shè)施、國際人才公寓等綜合配套設(shè)施。 　　新IT投資與研發(fā)總部項目，由紫光集團旗
  • 關(guān)鍵字： 紫光  IC  

技術(shù)路線圖指導(dǎo) 做強中國功率半導(dǎo)體

  • 在我國綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動下，功率半導(dǎo)體已經(jīng)成為建設(shè)節(jié)約型社會、促進國民經(jīng)濟發(fā)展、踐行創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略的重要支撐。
  • 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體  GaN  

“十三五”期間，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線圖？

  • 　　如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導(dǎo)體就是電機的心臟，它可以實現(xiàn)對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》，勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過程中，功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。 　　然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較，其實如果按比例計算，我國功率半導(dǎo)體的進口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
  • 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體  GaN  

手機及可穿戴產(chǎn)品需要快速充電及小體積適配器

  • 　　充電和電池管理對智能手機來說，仍是關(guān)鍵的功能，未來多年將持續(xù)有創(chuàng)新。有線和無線充電的改進可能大大擴展便攜式產(chǎn)品的使用，我們不斷提升此功能的極限。充電系統(tǒng)要求供電產(chǎn)品(如壁式適配器)或無線充電發(fā)射器和接收器(如智能手機和平板電腦)的設(shè)計都具高能效。安森美半導(dǎo)體專注于這兩大應(yīng)用，提供完整、優(yōu)化和高能效的充電方案，以滿足所有這些產(chǎn)品的功率要求。　　市場對于更快充電時間、更大電池容量和更小適配器的要求，把智能手機和平板電腦的供電能力推到傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件不可行的地步。新一代系統(tǒng)將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統(tǒng)M
  • 關(guān)鍵字： 安森美  GaN  

國家戰(zhàn)略助IC產(chǎn)業(yè)“彎道超車” 5G能否成產(chǎn)業(yè)機遇期？

  • 　　隨著紫光集團有限公司一次出資協(xié)議公開，到目前為止，中國半導(dǎo)體行業(yè)(也被稱為IC產(chǎn)業(yè))最大一筆投資落地。 　　日前，紫光集團對外公布，計劃通過其下屬控股子公司紫光控股，與長江存儲現(xiàn)有股東共同出資設(shè)立長江控股以實現(xiàn)對長江存儲的控制，其中，紫光控股出資197億元，占長江控股注冊資本的51.04%，擔任長江存儲的控股股東。 　　“這是我國IC產(chǎn)業(yè)目前落地的最大規(guī)模項目。”一位立足湖北的券商研究員對21世紀經(jīng)濟報道記者表示，近幾年來，中國加大對IC產(chǎn)業(yè)的政策扶持，特別是在資金方面的投
  • 關(guān)鍵字： 5G  IC  

【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
  • 關(guān)鍵字： GaN  SiC  

IC卡型H8/310系列單片機H8/310SeriesMicrocomputer

  • IC卡型H8/310系列單片機H8/310SeriesMicrocomputer
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
  • 關(guān)鍵字： GaN  SiC  
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