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英飛凌發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》：技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域氮化鎵高速增長

●? ?至2030年，氮化鎵（GaN）市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到30億美元，年復(fù)合增長率高達(dá)44%●? ?英飛凌高壓GaN雙向開關(guān)采用變革性的共漏極設(shè)計(jì)與雙柵極結(jié)構(gòu)●? ?GaN功率半導(dǎo)體拓展至AI、機(jī)器人、量子計(jì)算等新興市場氮化鎵（GaN）電源解決方案的普及正推動(dòng)功率電子行業(yè)迎來一場重大變革。全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》，深度解析GaN的技術(shù)現(xiàn)狀、應(yīng)用場景及未來前景，為行業(yè)提供重要參考。英
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英飛凌推出帶光耦仿真輸入的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)IC，加速SiC方案設(shè)計(jì)

英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統(tǒng)基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據(jù)官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED301xMC12I 系列器件在引腳上與現(xiàn)有的光耦仿真器和光耦合器兼容。對于《eeNews Europe》的讀者——尤其是從事工業(yè)與能源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的工程師而言，這一產(chǎn)品意義重大：它提供了一條無需徹底重新設(shè)計(jì)控制板即可快速升級至更高效率SiC方案的路徑。同時(shí)，這也凸顯了當(dāng)前柵極驅(qū)動(dòng)器性能正不斷演
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臺積電向世界先進(jìn)與格芯授權(quán)GaN技術(shù)

在全球AI浪潮高漲與綠色能源轉(zhuǎn)型加速的雙重驅(qū)動(dòng)下，氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)正步入關(guān)鍵的黃金增長期。根據(jù)TrendForce研究，全球GaN功率器件市場預(yù)計(jì)將從2024年的3.9億美元快速增長至2030年的35.1億美元，年復(fù)合增長率（CAGR）高達(dá)44%。在此高速擴(kuò)張背景下，領(lǐng)先晶圓代工廠的戰(zhàn)略調(diào)整正在重塑GaN產(chǎn)業(yè)鏈格局。盡管臺積電（TSMC）正逐步退出GaN代工服務(wù)，但已通過技術(shù)授權(quán)協(xié)議，將其深厚的技術(shù)積累轉(zhuǎn)移給合作伙伴——世界先進(jìn)（VIS）與格芯（GlobalFoundries, GF）。此舉不僅推動(dòng)產(chǎn)
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小巧、輕便、高效，安森美垂直GaN解鎖功率器件應(yīng)用更多可能

在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動(dòng)。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。垂直架構(gòu)：功率技術(shù)新高度垂直 GaN 創(chuàng)新：vGaN 支持高電壓和高頻率運(yùn)行，效率優(yōu)于硅芯片先進(jìn)制造工廠：GaN 研發(fā)工作在占地 66,000 平方英尺、配備 GaN 生產(chǎn)專用工具的潔凈室設(shè)施中進(jìn)行專有 GaN 生長工藝：工程師借助安森
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精通IC-CPD設(shè)計(jì)：關(guān)于線纜內(nèi)置控制與保護(hù)器件的軟硬件基本指南

摘要本文聚焦于2型電動(dòng)汽車供電設(shè)備(EVSE)的設(shè)計(jì)。構(gòu)建EVSE時(shí)必須遵循的規(guī)則可在IEC 61851-1標(biāo)準(zhǔn)中找到，而針對2型EVSE的具體規(guī)則，則在補(bǔ)充標(biāo)準(zhǔn)IEC 62752中有明確規(guī)定。本文所提供的指南以這些標(biāo)準(zhǔn)為依據(jù)，并以ADI公司的全新參考設(shè)計(jì)為例進(jìn)行說明。充電過程中，電動(dòng)汽車(EV)與電動(dòng)汽車供電設(shè)備(EVSE)之間的通信是通過控制引導(dǎo)(CP)波形來實(shí)現(xiàn)的，文中對CP波形及標(biāo)準(zhǔn)中定義的各類狀態(tài)進(jìn)行了闡述。CP波形與所呈現(xiàn)的調(diào)試信息，共同印證了指南的合理性，有助于更深入理解電動(dòng)汽車充電過程，從
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在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)的注意事項(xiàng)

本文詳細(xì)討論了GaN技術(shù)，解釋了如何在開關(guān)模式電源中使用此類寬禁帶開關(guān)，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅(qū)動(dòng)器和控制器的優(yōu)勢。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開關(guān)在電源中的使用情況。最后，展望了GaN技術(shù)的未來。
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借助TOLL GaN突破太陽能系統(tǒng)的界限

太陽能系統(tǒng)的發(fā)展勢頭越來越強(qiáng)，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計(jì)該項(xiàng)光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項(xiàng)創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統(tǒng)。GaN 不僅能提高太陽能系統(tǒng)的性能，也能提升整個(gè)系統(tǒng)的效率，此外，在保證縮小系統(tǒng)尺寸的同時(shí)，還能降低熱損耗、易于安裝和降低成本。比較 GaN、SiC 和 IGBTGaN 憑借其每個(gè)裸片區(qū)更優(yōu)的電阻（Rsp）、更低的輸入輸出電容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢復(fù)電荷等特性，顯著提升了
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技術(shù)干貨 | 借助 TOLL GaN 突破太陽能系統(tǒng)的界限

太陽能系統(tǒng)的發(fā)展勢頭越來越強(qiáng)，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計(jì)該項(xiàng)光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項(xiàng)創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統(tǒng)。GaN 不僅能提高太陽能系統(tǒng)的性能，也能提升整個(gè)系統(tǒng)的效率，此外，在保證縮小系統(tǒng)尺寸的同時(shí)，還能降低熱損耗、易于安裝和降低成本。比較 GaN、SiC 和 IGBTGaN 憑借其每個(gè)裸片區(qū)更優(yōu)的電阻（Rsp）、更低的輸入輸出電容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢復(fù)電荷等特性，顯著提升了
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算力巨頭入局 EDA、頭部晶圓廠押3D IC EDA新范式

近日，英偉達(dá)宣布入股新思科技，并開啟多年深度合作，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。作為一家以算力和應(yīng)用見長的芯片公司，為什么要親自“下場”綁定一家 EDA 工具商？與之相呼應(yīng)的是，臺積電早已與楷登電子在先進(jìn)制程與 3D 封裝上形成緊密合作，把工藝規(guī)則直接嵌入設(shè)計(jì)工具之中。這一系列動(dòng)作清晰地揭示了一個(gè)深層趨勢：在摩爾定律逼近極限、先進(jìn)封裝成為算力增長核心引擎的今天，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭范式正從單一的制程競賽，轉(zhuǎn)向系統(tǒng)級的協(xié)同優(yōu)化。想要繼續(xù)提升性能、控制成本，就必須實(shí)現(xiàn)“工藝 + EDA + 設(shè)計(jì)”的深度協(xié)同，而
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中國集成電路行業(yè)投入超過100億元人民幣

近幾周，中國半導(dǎo)體行業(yè)對集成電路（IC）行業(yè)的重大資本投資有所增加。上海IC產(chǎn)業(yè)投資基金階段II資本增至240.6億元人民幣，增長66%公司注冊數(shù)據(jù)顯示，上海集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金階段二號有限公司注冊資本從約145.3億元人民幣增至240.6億元，增長約66%。該基金成立于2020年5月，總部位于上海浦東新區(qū)，是一家國家支持的私募股權(quán)工具，股東包括上海克洲集團(tuán)、上海國生集團(tuán)、上海國際集團(tuán)、浦東風(fēng)險(xiǎn)投資集團(tuán)、臨港新區(qū)基金、興家股權(quán)和浦東新工業(yè)投資。以支持中國集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展為關(guān)鍵承諾，階段II將投資整個(gè)
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美國國際貿(mào)易委員會(huì)裁定英飛凌在針對英諾賽科的一項(xiàng)專利侵權(quán)案中勝訴

●? ?美國國際貿(mào)易委員會(huì)的最終裁定可能導(dǎo)致英諾賽科涉嫌侵權(quán)的產(chǎn)品被禁止進(jìn)口至美國●? ?該裁決是又一項(xiàng)積極結(jié)果，彰顯了英飛凌在業(yè)界領(lǐng)先的專利組合的價(jià)值●? ?氮化鎵?(GaN)?在實(shí)現(xiàn)高性能、高能效功率系統(tǒng)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用英飛凌300mm GaN技術(shù)美國國際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）裁定英諾賽科侵犯了英飛凌科技股份公司擁有的一項(xiàng)氮化鎵（GaN）技術(shù)專利1。此外，在初步裁定中，美國國際貿(mào)易委員會(huì)確認(rèn)，英飛凌在向該委員會(huì)提起的訴訟中
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ST宣布用于運(yùn)動(dòng)控制的GaN集成電路平臺

意法半導(dǎo)體發(fā)布了新的智能電源組件，使家用電器和工業(yè)驅(qū)動(dòng)能夠利用最新的氮化鎵技術(shù)，提升能源效率、性能提升并節(jié)省成本。市場上的氮化鎵電源適配器和充電器能夠承受筆記本電腦和USB-C快充所需的足夠功率，實(shí)現(xiàn)極高效率以滿足嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)范。ST最新的氮化鎵集成電路使該技術(shù)適用于洗衣機(jī)、吹風(fēng)機(jī)、電動(dòng)工具和工廠自動(dòng)化等產(chǎn)品的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。意法半導(dǎo)體應(yīng)用專用產(chǎn)品部門總經(jīng)理多梅尼科·阿里戈表示：“我們的新GaNSPIN系統(tǒng)封裝平臺通過引入優(yōu)化系統(tǒng)性能和保障可靠性的特殊功能，釋放了運(yùn)動(dòng)控制應(yīng)用中的寬帶隙效率提升。”“這些新設(shè)
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STicroelectronics 新的 GaN 集成電路運(yùn)動(dòng)控制平臺提升了電器能耗

意法半導(dǎo)體發(fā)布了新的智能電力組件，使家用電器和工業(yè)驅(qū)動(dòng)能夠利用最新的氮化鎵（氮化鎵）技術(shù)，提升能源效率、性能提升并節(jié)省成本。市場上的氮化鎵電源適配器和充電器能夠承受筆記本電腦和USB-C快充所需的足夠功率，實(shí)現(xiàn)極高效率以滿足嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)范。ST最新的氮化鎵集成電路使該技術(shù)適用于洗衣機(jī)、吹風(fēng)機(jī)、電動(dòng)工具和工廠自動(dòng)化等產(chǎn)品的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。?意法半導(dǎo)體應(yīng)用專用產(chǎn)品部總經(jīng)理Domenico Arrigo表示：“我們的新GaNSPIN系統(tǒng)封裝平臺通過引入優(yōu)化系統(tǒng)性能和保障可靠性的特殊功能，釋放了運(yùn)動(dòng)控制應(yīng)
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Allegro與英諾賽科聯(lián)合推出全GaN參考設(shè)計(jì)，賦能AI數(shù)據(jù)中心電源

全球運(yùn)動(dòng)控制與節(jié)能系統(tǒng)電源及傳感解決方案領(lǐng)導(dǎo)者之一Allegro MicroSystems, Inc.?(以下簡稱“Allegro”，納斯達(dá)克股票代碼：ALGM)，與全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵制造供應(yīng)商英諾賽科?(Innoscience，港交所：-2577.HK)?宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作，推出了一款開創(chuàng)性的?4.2kW?全?GaN?參考設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)采用了?Allegro?的先進(jìn)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)和英諾賽科高性能氮化鎵。這一創(chuàng)新解決方
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IEEE Wintechon 2025 通過數(shù)據(jù)、多樣性與協(xié)作驅(qū)動(dòng)印度半導(dǎo)體未來

第六屆IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日，召集了800多名女性工程師、技術(shù)專家、行業(yè)領(lǐng)袖、學(xué)術(shù)界、學(xué)生和研究人員，主題為“以數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體創(chuàng)新改變未來”。今年，該會(huì)議由IEEE班加羅爾分會(huì)、IEEE計(jì)算機(jī)科學(xué)學(xué)會(huì)班加羅爾分會(huì)和Women in Engineering AG班加羅爾分會(huì)聯(lián)合主辦，由三星半導(dǎo)體印度研究院（SSIR）主辦。IEEE班加羅爾分會(huì)主席Chandrakanta Kumar博士表示：“IEEE Wintechcon 2025展示了印度半導(dǎo)體創(chuàng)新引擎
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