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在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生

從5月29日美國(guó)政府頒布對(duì)華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時(shí)間里中美之間的博弈從未停止，但對(duì)于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實(shí)力。作為芯片設(shè)計(jì)最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準(zhǔn)把握未來芯片設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設(shè)計(jì)工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場(chǎng)全球性的競(jìng)賽，將在未來十年內(nèi)重新定義幾乎每個(gè)領(lǐng)域。在過去幾個(gè)月美國(guó)四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢(shì)，這些趨
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臺(tái)積電無(wú)預(yù)警退出GaN市場(chǎng) 納微有望接手美國(guó)訂單

國(guó)際功率半導(dǎo)體廠納微半導(dǎo)體于提交美國(guó)證券交易委員會(huì)（SEC）消息指出，臺(tái)積電將于2027年7月31日結(jié)束氮化鎵（GaN）晶圓代工業(yè)務(wù)，擬向力積電尋求產(chǎn)能支持。對(duì)此，臺(tái)積電回應(yīng)表示，經(jīng)過完整評(píng)估后，決定在未來兩年內(nèi)逐步退出氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)。臺(tái)積電透露，該決定是基于市場(chǎng)與臺(tái)積電公司的長(zhǎng)期業(yè)務(wù)策略; 公司正與客戶緊密合作確保在過渡期間保持順利銜接，并致力在此期間繼續(xù)滿足客戶需求。同時(shí)，臺(tái)積電也指出，仍將著重為合作伙伴及市場(chǎng)持續(xù)創(chuàng)造價(jià)值; 而該項(xiàng)決定將不會(huì)影響之前公布的財(cái)務(wù)目標(biāo)。業(yè)界認(rèn)為，臺(tái)積電此舉凸顯中國(guó)
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瑞薩推出全新GaN FET，增強(qiáng)高密度功率轉(zhuǎn)換能力

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型800V高壓直流架構(gòu)）、電動(dòng)汽車充電、不間斷電源電池備份設(shè)備、電池儲(chǔ)能和太陽(yáng)能逆變器。此類第四代增強(qiáng)型（Gen IV Plus）產(chǎn)品專為多千瓦級(jí)應(yīng)用設(shè)計(jì)，將高效GaN技術(shù)與硅基兼容柵極驅(qū)動(dòng)輸入相結(jié)合，顯著降低開關(guān)功率損耗，同時(shí)保留硅基FET的操作簡(jiǎn)便性。新產(chǎn)品提供TOLT、TO-247和T
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西門子EDA推新解決方案，助力簡(jiǎn)化復(fù)雜3D IC的設(shè)計(jì)與分析流程

●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數(shù)據(jù)完整性分析能力，幫助加速設(shè)計(jì)流程●? ?Calibre 3DStress?可在設(shè)計(jì)流程的各個(gè)階段對(duì)芯片封裝交互作用進(jìn)行早期分析與仿真西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化?(EDA)?產(chǎn)品組合新增兩大解決方案，助力半導(dǎo)體設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設(shè)計(jì)與制造的復(fù)雜挑戰(zhàn)。西門
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GaN FET支持更高電壓的衛(wèi)星電源

EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛(wèi)星電源和推進(jìn)應(yīng)用樹立了新的基準(zhǔn)。EPC7030MSH隨著衛(wèi)星制造商過渡到更高電壓的電源總線和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件滿足了對(duì)緊湊、高效和抗輻射功率轉(zhuǎn)換日益增長(zhǎng)的需求。EPC7030MSH專為在極端輻射和熱條件下運(yùn)行的前端 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電力推進(jìn)系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。文檔顯示，該器件的額定工作電壓為 300 V，線性能量傳輸（LET）為 63
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Wise計(jì)劃將GaN和數(shù)字控制器封裝在一起

法國(guó)電力初創(chuàng)公司 Wise Integration 正計(jì)劃推出一種帶有氮化鎵（GaN）晶體管的聯(lián)合封裝數(shù)字控制器，以簡(jiǎn)化工業(yè)和數(shù)據(jù)中心 AI 電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。與此同時(shí)，該公司推出了用于基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC）的數(shù)字控制器。零電壓開關(guān) （ZVS）開關(guān)算法在 STMicroelectronics 的 STM32G4 控制器中實(shí)現(xiàn)，形成 WiseWare1.1 控制器，支持高達(dá) 2MHz 的開關(guān)，適用于更小的設(shè)計(jì)，效率高達(dá) 98%。“對(duì)于公司來說，將這款數(shù)字控制器推向市場(chǎng)是一個(gè)重要
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采用3D芯片設(shè)計(jì)的更快、更節(jié)能的電子設(shè)備

麻省理工學(xué)院和其他地方的研究人員開發(fā)了一種新的制造工藝，將高性能 GaN 晶體管集成到標(biāo)準(zhǔn)硅 CMOS 芯片上來自麻省理工學(xué)院網(wǎng)站：他們的方法包括在 GaN 芯片表面構(gòu)建許多微小的晶體管，切出每個(gè)單獨(dú)的晶體管，然后使用低溫工藝將所需數(shù)量的晶體管鍵合到硅芯片上，以保持兩種材料的功能。由于芯片中只添加了少量的 GaN 材料，因此成本仍然很低，但由此產(chǎn)生的器件可以從緊湊的高速晶體管中獲得顯著的性能提升。此外，通過將 GaN 電路分離成可以分布在硅芯片上的分立晶體管，新技術(shù)能夠降低整個(gè)系統(tǒng)的溫度。研究人員使用這種
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探索TI GaN FET在類人機(jī)器人中的應(yīng)用

類人機(jī)器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時(shí)保持此復(fù)雜系統(tǒng)平穩(wěn)運(yùn)行，會(huì)很難滿足尺寸和散熱要求。類人機(jī)器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實(shí)現(xiàn)與人類相似的運(yùn)動(dòng)范圍，通常在整個(gè)機(jī)器人中部署大約40個(gè)伺服電機(jī) (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機(jī)分布在機(jī)器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機(jī)。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個(gè)微型電機(jī)。這些電機(jī)的電源要求取決
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如何在開關(guān)模式電源中運(yùn)用氮化鎵技術(shù)

本文闡釋了在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關(guān)所涉及的獨(dú)特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專用GaN驅(qū)動(dòng)器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩(wěn)固可靠的設(shè)計(jì)。此外，本文還建議將LTspice?作為合適的工具鏈來使用，以便成功部署GaN開關(guān)。
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納芯微高壓半橋驅(qū)動(dòng)NSD2622N：為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案

納芯微發(fā)布專為增強(qiáng)型GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N，該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力，可以顯著簡(jiǎn)化GaN驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。應(yīng)用背景近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關(guān)頻率、低開關(guān)損耗的顯著優(yōu)勢(shì)，能夠大幅提升電源系統(tǒng)的功率密度，明顯優(yōu)化能效表現(xiàn)，降低整體系統(tǒng)成本，在人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心電源、微型逆變器、車載充電機(jī)(OBC)等高壓大功率領(lǐng)域得到日益廣泛的應(yīng)用。然而，GaN器件在實(shí)際應(yīng)用中仍面臨諸多
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GaN，助力6G

新的基于 GaN 的架構(gòu)將使海量數(shù)據(jù)的通信和傳輸變得更加容易。
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Finwave籌集820萬(wàn)美元短期投資以推動(dòng)市場(chǎng)發(fā)展

美國(guó)馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領(lǐng)投，技術(shù)合作伙伴 GlobalFoundries 戰(zhàn)略參與。Finwave 認(rèn)為，新一輪融資表明投資者和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者對(duì)其獨(dú)特的硅基氮化鎵技術(shù)的市場(chǎng)潛力充滿信心，因?yàn)樗趶囊约夹g(shù)為中心的創(chuàng)新者轉(zhuǎn)變?yōu)楫a(chǎn)品驅(qū)動(dòng)型公司。這家科技公司由麻省理工學(xué)院（MIT）的研究人員于 2012
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革新電力電子：氮化鎵雙向開關(guān)

傳統(tǒng)方法的局限性多年來，工程師們一直致力于解決單向開關(guān)的基本限制。當(dāng)需要雙向電壓阻斷時(shí)，設(shè)計(jì)人員必須使用多個(gè)分立元件實(shí)現(xiàn)背靠背配置，導(dǎo)致系統(tǒng)復(fù)雜性增加、尺寸增大和成本上升。這些配置還會(huì)引入額外的寄生元件，從而影響開關(guān)性能和效率。此外，傳統(tǒng)的三端 UDS 設(shè)備無(wú)法獨(dú)立控制雙向電流流，限制了它們?cè)诟呒?jí)電源轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械膽?yīng)用。圖片由 Adobe Stock 提供隨著行業(yè)向更高功率密度、更高效率和更低系統(tǒng)成本發(fā)展，這些挑戰(zhàn)變得越來越重要。傳統(tǒng)的使用背靠背分立開關(guān)的方法，在
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GaN可靠性里程碑突破硅天花板

半導(dǎo)體行業(yè)正處于性能、效率和可靠性必須同步發(fā)展的階段。AI 基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車、電源轉(zhuǎn)換和通信系統(tǒng)的需求正在將材料推向極限。氮化鎵（GaN）越來越受到關(guān)注，因?yàn)樗梢詽M足這些需求。該行業(yè)已經(jīng)到了這樣一個(gè)地步，人們的話題不再是 GaN 是否可行，而是如何可靠、大規(guī)模地部署它。二十多年來，我專注于外延生長(zhǎng)，見證了 GaN 從一種利基研究驅(qū)動(dòng)型材料轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏﹄娮宇I(lǐng)域的領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)者。進(jìn)展是穩(wěn)定的，不是一蹴而就的。現(xiàn)在傾向于 GaN 的公司和工程師是為下一代系統(tǒng)定位自己的公司。設(shè)備性能從外延開始對(duì)于 G
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通過集成驅(qū)動(dòng)器和高級(jí)保護(hù)功能簡(jiǎn)化GaN電源設(shè)計(jì)

高效率和高功率密度是為當(dāng)今產(chǎn)品設(shè)計(jì)電源時(shí)的關(guān)鍵特性。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，開發(fā)人員正在轉(zhuǎn)向氮化鎵（GaN），這是一種可實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的功率半導(dǎo)體技術(shù)相比，GaN 最大限度地減少了所需無(wú)源元件的尺寸，同時(shí)降低了柵極驅(qū)動(dòng)和反向恢復(fù)損耗。此外，半導(dǎo)體制造商正在將其 GaN 器件封裝在高度集成的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝中，從而縮小印刷電路板（PCB）的占地面積要求，同時(shí)簡(jiǎn)化供應(yīng)鏈。GaN 應(yīng)用在 650 V AC-DC 轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，變壓器外形無(wú)鉛（TOLL）封裝是電源設(shè)計(jì)的有效選擇。采用此封
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