電力電子產品的銷售額預計將在這十年及以后飆升。推動這一趨勢的是電動汽車產量的增加和數據中心的增長，由于人工智能的采用，數據中心的電力需求更加苛刻。對于使用電力電子的每種應用，提高其效率都是有益的。收益可能包括增加行駛里程、減少電費、減少供暖和減少碳足跡。由于卓越的效率帶來的這些優勢，基于寬禁帶半導體的器件越來越多地被采用。到目前為止，基于 SiC 的 MOSFET 創造了最多的收入，其中 MOSFET 因贏得電動汽車部署而成為頭條新聞。然而，盡管取得了很大的成功，SiC 器件也存在一些重大缺陷。它們包括
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p-GaN 屏蔽 開關速度
Yole 表示，到 2030 年，功率 GaN 器件市場預計將達到 30 億美元，2024 年至 2030 年復合年增長率為 42%。消費電子產品是領先的采用者，功率氮化鎵繼續在快速充電器領域占據主導地位。盡管與 xEV 市場放緩相關的短期延遲，但汽車和移動出行領域正在出現新興勢頭。預計 2024 年至 2030 年間，xEV GaN 需求將以 73% 的復合年增長率增長。 數據中心正在加速氮化鎵的發展，因為它們對高效電力系統的需求，而氮化鎵正在成為關鍵的推動者。與電信一起，數據中心在
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Yole GaN 復合年增長率
意法半導體的STDRIVEG210和STDRIVEG211半橋氮化鎵(GaN)柵極驅動器是為工業或電信設備母線電壓供電系統、72V電池系統和110V交流電源供電設備專門設計，電源軌額定最大電壓220V，片上集成線性穩壓器，為上下橋臂提供6V柵極驅動信號，拉電流和灌電流路徑采用分開獨立設計，可以靈活控制GaN 的開通和關斷。STDRIVEG210 主打功率變換應用，例如，服務器電源、電池充電器、電源適配器、太陽能微型逆變器和功率優化器、LED燈具、USB-C電源。諧振和硬開關兩種拓撲均適用，300ns啟動時
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意法半導體 半橋柵極驅動器 GaN
推動當今價值超過 5000 億美元的半導體行業將年收入增長到 1 萬億美元，這正在挑戰更廣泛供應鏈的各個方面擁抱人工智能。人工智能正在改變晶圓廠的架構和運行方式、設備的制造方式以及服務器群的構建方式。與此同時，所有這一切都得益于人工智能芯片和算法的進步，這是一種更智能技術的良性循環，使其他技術能夠提高兩者的能力。這是今年在鳳凰城舉行的 SEMICON West 會議上討論的主要話題，推動了近年來缺乏的熱議。從大局來看，人工智能正在各地創造巨大的機會。“擺在我們面前有 2 萬億美元的機會，一個是 AI 工廠
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近年來，工業電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關頻率下實現高功率密度，而MOSFET在相同條件下運行時會產生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯MOSFET并不能節省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術。業界對GaN器件性能表現的關注，相應地催生了對各種GaN器件進行準確仿真以優化應用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對GaN FET驅動進行了優化。借助
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據相關報道，隨著NVIDIA宣布AI服務器進入800V高電壓供電時代，功率半導體領域迎來了新的技術競爭。氮化鎵（GaN）作為寬能隙半導體的重要代表，正成為市場關注的核心。近年來，多家企業積極投入GaN技術的研發，使其應用范圍從傳統的消費性市場逐步拓展到高電壓場景。盡管GaN目前在快速充電領域仍占據主導地位，但其在車用功率模塊和AI服務器中的表現也日益受到重視。部分廠商甚至已開發出適用于1,000V以上環境的GaN技術，展現出廣闊的應用前景。歐系廠商指出，GaN相比碳化硅（SiC）更易于與傳統矽材料整合，這
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GaN AI服務器 電源芯片
2025年11月23日—25日，第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China 2025）將在中國?北京國家會議中心舉辦。此次博覽會以“凝芯聚力·鏈動未來”為主題，圍繞高峰論壇、展覽展示、產業對接、專場活動四大核心板塊，為全球半導體行業搭建專業交流合作平臺，助力半導體產業鏈協同發展。高峰論壇：聚焦產業前沿，匯聚全球智慧共話發展在高峰論壇板塊，多場高規格論壇已確認舉辦，覆蓋半導體產業關鍵領域與前沿方向。1開幕式暨第七屆全球IC企業家大會將作為展會開篇重頭戲，匯聚全球行業領軍人物，共話半導體產業發展趨勢與全
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IC China
深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations近日發布一份新的技術白皮書，詳解其PowiGaN?氮化鎵技術能為下一代AI數據中心帶來的顯著優勢。這份白皮書發布于圣何塞舉行的2025年開放計算項目全球峰會(2025 OCP Global Summit)，其中介紹了1250V和1700V PowiGaN技術適用于800VDC供電架構的功能特性。峰會上，NVIDIA還就800VDC架構的最新進展進行了說明。Power Integrations正與NVIDIA合作，加速推動向8
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Power Integrations 數據中心 GaN
Imec 啟動了一項新的開放式創新計劃，專注于用于低壓和高壓電力電子的 300mm GaN 技術。該計劃旨在提高氮化鎵器件性能，同時降低制造成本，標志著功率半導體行業向前邁出了重要一步。對于eeNews Europe的讀者來說，尤其是電力電子、半導體和代工生態系統的讀者，這一發展凸顯了向300毫米氮化鎵晶圓加工的關鍵轉變，這可能會加速氮化鎵在汽車、數據中心和可再生能源應用中的采用。將氮化鎵擴展到 300 毫米，以提高性能和成本效益300mm GaN 計劃是 imec GaN
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Imec 300mm GaN 下一代功率器件
專家在座：半導體工程與西門子 EDA 產品管理高級總監 John Ferguson 坐下來討論 3D-IC 設計挑戰以及堆疊芯片對 EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業部 IP 解決方案小芯片高級產品組總監;莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業務經理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產品管理高級總監 Amlendu Shekhar Choubey。本討論的第 1 部分在這里，第 2&
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3D-IC 芯片設計
2025年9月29日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡稱：納芯微）、聯合汽車電子有限公司（以下簡稱：聯合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱：英諾賽科）共同簽署戰略合作協議。三方將聚焦新能源汽車功率電子系統，聯合研發智能集成氮化鎵（GaN）相關產品。全新開發的智能GaN產品將依托三方技術積淀，提供更可靠的驅動及GaN保護集成方案，進一步提升系統功率密度。三方還將協同推動相關解決方案的產業化落地，助力新能源汽車產業的可持續發展與價值提升。簽約儀式現場合影見證代表：圖中：聯合電子副總經理 郭曉
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9月25日，作為2025北京微電子國際研討會暨IC WORLD大會的重要專題論壇，RDI生態·北京創新論壇·2025在北京亦莊舉行。本次論壇以“挑戰·對策·破局·加速”為主題，匯聚產業鏈上下游代表，圍繞RISC-V在垂直場景下的商業化路徑及策略展開深度研討，共同推動RISC-V從原型產品向規模商用落地邁進。論壇現場會上，工業和信息化部電子信息司二級巡視員周海燕，北京市經濟和信息化局總工程師李輝，北京經開區管委會副主任、北京市集成電路重大項目辦公室主任歷彥濤，RISC-V工委會戰略指導委員會主任倪光南，RI
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摘要微型逆變器和便攜式電源的普及度持續增長，部分原因是人們對更具可持續性且靈活的電源解決方案的需求不斷增加。隨著最近推出陽臺型逆變器（該產品將微型逆變器與小型電池儲能系統結合在一起），這兩種技術的普及率可能會進一步提升。本技術文章概述了一種新型單級轉換器（稱為“cyclo 轉換器”），它使微型逆變器和便攜式電源的實施更加高效，體積更小，同時還降低了成本。簡介微型逆變器中的功率轉換系統通常采用兩級式設計，如圖 1 所示。圖 1：微型逆變器兩級拓撲在這種方案中，首先是一個直流/直流級（反激式或推挽式升壓級），
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202509 德州儀器 GaN Cyclo 微型逆變器 便攜式電源
電力電子行業將進入增長的最后階段，預計到 2025 年評估市場價值將達到 517.3 億美元，到 2030 年將達到 674.2 億美元。5.4% 的穩定復合年增長率源于對能源效率、可再生能源集成和半導體先進技術的需求穩步增長。增長動力：市場的積極勢頭源于相互關聯的現象：清潔能源勢在必行隨著世界試圖實現碳中和，包括太陽能光伏和風電場在內的可再生能源系統將成為主流。因此，電力電子設備被用于這些系統，以實現高效的能源轉換、電網集成和實時管理。交通電氣化隨著電動汽車和混合動力汽車不再被視為小眾市場，現在對高性能
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_____動態導通電阻（RDS(on)）是電源轉換器設計人員理解電荷俘獲效應影響的重要參數。然而，關于其測量技術的知識體系仍相對較新。傳統的動態RDS(on)測量技術依賴于二極管鉗位電路，使示波器能夠以足夠的分辨率測量漏源電壓，而不會使示波器輸入過載。泰克為4、5和6系列MSO示波器推出的寬禁帶雙脈沖測試（WBG-DPT）測量軟件引入了一種新的軟件鉗位方法，采用獨特的雙探頭技術，無需使用鉗位電路。測量動態RDS(on)的挑戰動態RDS(on)是指FET在開關過程中導通時，漏極與源極端子之間的平均電阻。漏源
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動態導通電阻 RDS(on)測量 泰克 GaN Tektronix
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