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gan mos driver 文章 最新資訊

SJ-MOS與VDMOS動(dòng)態(tài)性能比較

  • 引言：為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導(dǎo)通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導(dǎo)體物理學(xué)界提出的一種新型MOS結(jié)構(gòu)，稱為...
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富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)GaN功率器件

  • 　　上海，2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。 　　與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
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富士通明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

  • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。
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X-FAB發(fā)表XT018獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝

  • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018，世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數(shù)量，也避免栓鎖效應(yīng)(latch-up)更提供對(duì)抗電磁干擾的卓越性。
  • 關(guān)鍵字： X-FAB  XT018  MOS  

功放為智能手機(jī)提供最佳效率

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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舞臺(tái)功放MOS管改裝介紹

  • 以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見(jiàn)中圖)。改裝后對(duì)應(yīng)電路見(jiàn)下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動(dòng)電壓差異。為了保證電壓推動(dòng)管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
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“主流GaN”的發(fā)展和未來(lái)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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英飛凌推出抗輻射加固型MOS開(kāi)關(guān)器件

  • 英飛凌科技推出其首個(gè)專用于空間和航空應(yīng)用而設(shè)計(jì)的電源開(kāi)關(guān)器件。全新BUY25CSXX系列抗輻射加固型(RH)功率MOS器件擁有出類拔萃的性能，可支持面向空間應(yīng)用的高能效電源調(diào)理和電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  MOS  

科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺(tái)

  • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
  • 關(guān)鍵字： 科銳  放大器  GaN  

舞臺(tái)功放MOS管改裝電路圖及方法

  • 以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見(jiàn)中圖)。改裝后對(duì)應(yīng)電路見(jiàn)下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動(dòng)電壓差異。為了保證電壓推動(dòng)管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
  • 關(guān)鍵字： 電路圖  方法  改裝  MOS  功放  舞臺(tái)  

基于C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

  • 電路的功能近來(lái)出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢(shì)，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級(jí)TTL構(gòu)成的時(shí)鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代，因?yàn)門(mén)TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng)，容易停振或
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單顆LED大功率手電筒 AMC7135 LED Driver

  • 這款單顆LED大功率手電筒是以單顆發(fā)光二極管(LED)作為光源的一種新型照明工具，它具有省電、耐用、亮度強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)?？捎糜谝剐?、登山、野營(yíng)、醫(yī)用、維修等。且使用效果很不錯(cuò)。一、LED的選擇現(xiàn)在大功率LED的功率有1W、
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（一）

  • 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
  • 關(guān)鍵字： SiC  功率元件  GaN  導(dǎo)通電阻  

無(wú)比型動(dòng)態(tài)MOS反相器

Linux下SANE Driver自動(dòng)化測(cè)試工具的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • SANE（Scanner Access Now Easy）是一個(gè)應(yīng)用程序接口API（Application Programming Interface）[1]，提供了對(duì)光柵圖像掃描硬件的標(biāo)準(zhǔn)訪問(wèn)[2]。Linux對(duì)掃描儀的支持就是通過(guò)SANE實(shí)現(xiàn)的。SANE標(biāo)準(zhǔn)中將實(shí)現(xiàn)SANE接口的驅(qū)
  • 關(guān)鍵字： Driver  Linux  SANE  自動(dòng)化    
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gan mos driver介紹

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